公开(公告)号：CN117476606A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310936474.6

申请日：2023-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔智旻 ,  慎重垣 ,  禹盛允 ,  李瑌真 ,  李钟旼 ,  黄世现

IPC: H01L23/544

Abstract: 一种半导体器件可以包括基板上的多个芯片区域、在基板上围绕所述多个芯片区域中的每个的至少一个划道、包括在所述多个芯片区域中的多个第一对准键图案和多个第一测试元件组图案、以及包括在所述至少一个划道中的多个第二对准键图案和多个第二测试元件组图案。

公开(公告)号：CN113517254A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110143214.4

申请日：2021-02-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 慎重垣 ,  李瑌真 ,  李仁荣 ,  崔智旻 ,  韩正勳

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/14

Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：半导体基底；导电垫，位于半导体基底的第一表面上；钝化层，位于半导体基底的第一表面上，钝化层具有暴露导电垫的第一开口；有机介电层，位于钝化层上，有机介电层具有第二开口；以及凸块结构，位于导电垫上并且位于第一开口和第二开口中。有机介电层包括与钝化层的材料不同的材料。第二开口空间地连接到第一开口并且暴露钝化层的部分。凸块结构包括与钝化层和有机介电层接触的柱图案。

公开(公告)号：CN112599488A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202010704750.2

申请日：2020-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周益 ,  慎重垣 ,  张志熏 ,  韩正勋 ,  李俊雨

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了一种半导体器件,所述半导体器件包括设置在层间绝缘层中并且设置在基底上的多个中间互连件和多个中间插塞。上绝缘层设置在层间绝缘层上。第一上插塞、第一上互连件、第二上插塞和第二上互连件设置在上绝缘层中。所述多个中间互连件中的每个具有第一厚度。第一上互连件具有大于第一厚度的第二厚度。第二上互连件具有大于第一厚度的第三厚度。第三厚度是第一厚度的2倍至100倍。第二上互连件包括与第二上插塞的材料不同的材料。