公开(公告)号：CN118693089A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410216539.4

申请日：2024-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李荣彬 ,  张晚

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/088 ,  H01L23/528 ,  H01L23/522

Abstract: 一种集成电路器件，包括：基板；绝缘结构，所述绝缘结构位于所述基板的前部表面上；接触结构，所述接触结构包括延伸穿过所述基板的第一插塞部分；以及自组装有机材料绝缘衬垫，所述自组装有机材料绝缘衬垫在所述第一插塞部分与所述基板之间。

公开(公告)号：CN103579500B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201310349372.0

申请日：2013-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金京旻 ,  金英培 ,  金昌桢 ,  金成镐 ,  金世珍 ,  李承烈 ,  张晚 ,  赵银珠

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/08 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145

Abstract: 本发明提供了电阻开关材料元件以及采用该电阻开关材料元件的器件。电阻开关材料元件包括设置在第一电极与第二电极之间的电阻开关材料层以及设置在电阻开关材料层与第一和第二电极中的任一个之间的自整流层。

公开(公告)号：CN102298970B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201110043409.8

申请日：2011-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金英培 ,  李昌范 ,  李东洙 ,  金昌桢 ,  李明宰 ,  张晚 ,  李承烈

IPC: G11C16/10 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32

Abstract: 本发明公开了一种可变电阻器件及半导体装置以及该半导体装置的操作方法。包括可变电阻器件的半导体装置的操作方法包括：通过施加重置脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第一电阻状态切换到第二电阻状态，写入第一数据到半导体装置；以及通过施加设定脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第二电阻状态切换到第一电阻状态，写入第二数据到半导体装置。重置脉冲电压高于设定脉冲电压，第二电阻状态的电阻大于第一电阻状态的电阻。

公开(公告)号：CN102832337A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210113464.4

申请日：2012-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌范 ,  金昌桢 ,  金英培 ,  李明宰 ,  李东洙 ,  张晚 ,  李承烈 ,  金京旻

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: G11C11/5685 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1658 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明提供多位存储元件、包括多位存储元件的存储装置及其制造方法。所述存储元件可包括存储层和为存储层提供多位存储特性的辅助层。存储层可具有包括第一材料层和第二材料层的多层结构，并可因第一材料层和第二材料层之间的离子物种的移动而具有电阻变化特性。第一材料层可为供氧层，而第二材料层可为氧交换层。辅助层可包含氧化物。例如，辅助层可包含氧化硅层。可用金属至少部分地掺杂辅助层和/或存储层。例如，所述金属可以是钨。

公开(公告)号：CN102568582A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110390449.X

申请日：2011-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张晚 ,  金英培 ,  金昌桢 ,  李明宰 ,  许智贤 ,  李东洙 ,  李昌范 ,  李承烈

IPC: G11C16/10 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0064 ,  G11C2013/0073

Abstract: 一种操作包括可变电阻器件的半导体器件的方法，该方法包括：向可变电阻器件施加第一电压以使得将可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为不同于第一电阻值的第二电阻值；感测流过施加了第一电压的可变电阻器件的第一电流；确定第一电流是否属于第一电流范围；以及如果第一电流不属于第一电流范围，则向可变电阻器件施加等于第一电压的附加第一电压。

公开(公告)号：CN102298970A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110043409.8

申请日：2011-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金英培 ,  李昌范 ,  李东洙 ,  金昌桢 ,  李明宰 ,  张晚 ,  李承烈

IPC: G11C16/10 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32

Abstract: 本发明公开了一种可变电阻器件及半导体装置以及该半导体装置的操作方法。包括可变电阻器件的半导体装置的操作方法包括：通过施加重置脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第一电阻状态切换到第二电阻状态，写入第一数据到半导体装置；以及通过施加设定脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第二电阻状态切换到第一电阻状态，写入第二数据到半导体装置。重置脉冲电压高于设定脉冲电压，第二电阻状态的电阻大于第一电阻状态的电阻。