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公开(公告)号：CN106449631B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201610637818.3
申请日：2016-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L27/11548 , H01L27/11556
Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括基底、多个存储单元阵列和气隙结构。基底包括单元区、外围电路区和边界区。边界区在单元区与外围电路区之间。多个存储单元阵列在单元区上。气隙结构包括形成在基底的边界区中的沟槽。气隙结构限定气隙。
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