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公开(公告)号:CN1574398A
公开(公告)日:2005-02-02
申请号:CN03155055.X
申请日:2003-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/283 , H01L21/3205
Abstract: 本发明公开了一种具有低电阻的半导体器件及其制造方法,通过防止形成栅极叠层时出现高电阻材料来获得低电阻。该器件包括形成在半导体衬底上的电介质层,形成在电介质层上的多晶硅层,形成在多晶硅层上的界面反应阻挡层,形成在界面反应阻挡层上的阻挡层,以及形成在阻挡层上的金属层。其中界面反应阻挡层被构造用于阻止多晶硅层与阻挡层之间的反应。
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公开(公告)号:CN102146629A
公开(公告)日:2011-08-10
申请号:CN201110034928.8
申请日:2011-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: D06F39/003 , D06F37/12 , D06F2202/10 , Y02B40/56
Abstract: 本发明提供一种衣物重量感测方法。电机被连续打开和关闭多次,对当电机最终关闭时依赖于电机的反电动势从反电动势检测器输出的脉冲数进行计数,使用计数的脉冲数感测衣物重量。
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公开(公告)号:CN101267040A
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:CN200810083466.7
申请日:2008-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01M8/02 , H02J3/38 , Y02P70/56 , Y10T307/25
Abstract: 本发明公开了一种系统,该系统包括通过氧与燃料反应而产生DC电的燃料电池、将通过燃料电池产生的DC电转换为AC电的逆变器、输出DC电的DC输出终端、和输出AC电的AC输出终端,该AC输出终端连接到电系统。
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公开(公告)号:CN103505069B
公开(公告)日:2017-12-12
申请号:CN201310243912.7
申请日:2013-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: A47J37/06
CPC classification number: F24C15/322 , F24C15/006 , F24C15/2007
Abstract: 本公开提供了一种烹饪器具。提供了一种烤箱的机械室冷却结构,其通过降低机械室的高度而相对地扩大了烹饪室的内部体积。机械室冷却结构包括:风扇,强制地吹动机械室的空气;电机,驱动风扇;排气管,将机械室的空气引导到烤箱前面的区域;以及支架,用于将电极安装在排气管的吸气孔处,该支架包括基座单元、其上放置电机的磁芯的电机结合单元以及连接基座单元与电机结合单元的桥部件,该电机结合单元形成为使得磁芯的下端的高度等于或低于排气管的上端的高度。
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公开(公告)号:CN103505069A
公开(公告)日:2014-01-15
申请号:CN201310243912.7
申请日:2013-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: A47J37/06
CPC classification number: F24C15/322 , F24C15/006 , F24C15/2007
Abstract: 本公开提供了一种烹饪器具。提供了一种烤箱的机械室冷却结构,其通过降低机械室的高度而相对地扩大了烹饪室的内部体积。机械室冷却结构包括:风扇,强制地吹动机械室的空气;电机,驱动风扇;排气管,将机械室的空气引导到烤箱前面的区域;以及支架,用于将电极安装在排气管的吸气孔处,该支架包括基座单元、其上放置电机的磁芯的电机结合单元以及连接基座单元与电机结合单元的桥部件,该电机结合单元形成为使得磁芯的下端的高度等于或低于排气管的上端的高度。
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公开(公告)号:CN101258983A
公开(公告)日:2008-09-10
申请号:CN200810082503.2
申请日:2008-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: D06F39/00 , D06F39/04 , H01M8/04291 , H01M8/0435 , H01M8/0441 , H01M8/04746 , H01M8/04753 , H01M8/04776 , H01M2008/1095 , H01M2250/00 , H01M2250/10 , H01M2250/405 , Y02B90/14 , Y02B90/16
Abstract: 一种家用电器系统,包括:高温电池燃料系统,其中燃料与氧气起化学反应而产生电和高温蒸汽;蒸汽通路,用于传送高温蒸汽;以及家用电器,连接至蒸汽通路以使用高温蒸汽。
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公开(公告)号:CN1581431A
公开(公告)日:2005-02-16
申请号:CN200410057442.6
申请日:2004-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L29/772
CPC classification number: H01L21/26586 , H01L29/66795 , H01L29/7851
Abstract: 公开了一种用于FinFET器件的半导体鳍形结构,该鳍形结构引入上区域和下区域,其中上区域形成有基本上垂直的侧壁,下区域形成有倾斜的侧壁,以制造宽的基础部分。公开的半导体鳍形结构一般还包括上区域和下区域之间的界面处的台阶区。也公开了制造半导体器件的一系列方法,该半导体器件引入具有该双结构的半导体鳍形和引入用于在相邻的半导体鳍形之间形成浅沟槽隔离(STI)结构的绝缘材料如二氧化硅和/或氮化硅的各种组合。
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