烹饪器具
    14.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103505069B

    公开(公告)日:2017-12-12

    申请号:CN201310243912.7

    申请日:2013-06-19

    CPC classification number: F24C15/322 F24C15/006 F24C15/2007

    Abstract: 本公开提供了一种烹饪器具。提供了一种烤箱的机械室冷却结构,其通过降低机械室的高度而相对地扩大了烹饪室的内部体积。机械室冷却结构包括:风扇,强制地吹动机械室的空气;电机,驱动风扇;排气管,将机械室的空气引导到烤箱前面的区域;以及支架,用于将电极安装在排气管的吸气孔处,该支架包括基座单元、其上放置电机的磁芯的电机结合单元以及连接基座单元与电机结合单元的桥部件,该电机结合单元形成为使得磁芯的下端的高度等于或低于排气管的上端的高度。

    烹饪器具
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103505069A

    公开(公告)日:2014-01-15

    申请号:CN201310243912.7

    申请日:2013-06-19

    CPC classification number: F24C15/322 F24C15/006 F24C15/2007

    Abstract: 本公开提供了一种烹饪器具。提供了一种烤箱的机械室冷却结构,其通过降低机械室的高度而相对地扩大了烹饪室的内部体积。机械室冷却结构包括:风扇,强制地吹动机械室的空气;电机,驱动风扇;排气管,将机械室的空气引导到烤箱前面的区域;以及支架,用于将电极安装在排气管的吸气孔处,该支架包括基座单元、其上放置电机的磁芯的电机结合单元以及连接基座单元与电机结合单元的桥部件,该电机结合单元形成为使得磁芯的下端的高度等于或低于排气管的上端的高度。

    多结构的硅鳍形及制造方法

    公开(公告)号:CN1581431A

    公开(公告)日:2005-02-16

    申请号:CN200410057442.6

    申请日:2004-08-13

    CPC classification number: H01L21/26586 H01L29/66795 H01L29/7851

    Abstract: 公开了一种用于FinFET器件的半导体鳍形结构,该鳍形结构引入上区域和下区域,其中上区域形成有基本上垂直的侧壁,下区域形成有倾斜的侧壁,以制造宽的基础部分。公开的半导体鳍形结构一般还包括上区域和下区域之间的界面处的台阶区。也公开了制造半导体器件的一系列方法,该半导体器件引入具有该双结构的半导体鳍形和引入用于在相邻的半导体鳍形之间形成浅沟槽隔离(STI)结构的绝缘材料如二氧化硅和/或氮化硅的各种组合。

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