公开(公告)号：CN118678663A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202311557212.5

申请日：2023-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元硕载 ,  姜玧求 ,  朴宰弘

IPC: H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/10 ,  H10B63/00

Abstract: 半导体装置可以包括：衬底上的器件隔离部，器件隔离部限定第一有源部分和第二有源部分，第一有源部分的中心部分在第一方向上与第二有源部分的边缘部分相邻。第一杂质区可以在第一有源部分的中心部分中，第二杂质区可以在第二有源部分的边缘部分中。第一位线可以与第一杂质区直接接触，并且可以在与第一方向相交的第二方向上横跨衬底延伸。存储节点接触件可以与第二杂质区接触，存储节点接触件的上侧壁和下侧壁在存储节点接触件的共同侧上彼此不竖直对齐。

公开(公告)号：CN116997181A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310473453.5

申请日：2023-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜玧求 ,  吴相允 ,  柳原锡 ,  丁璟钰 ,  姜荷诗

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括：有源区；有源区的侧表面上的隔离区；栅极沟槽，与有源区相交，并且延伸到隔离区中；栅极沟槽中的栅极结构；第一杂质区和第二杂质区，在栅极结构的两侧上的有源区中，并且彼此间隔开；位线结构，包括与栅极结构相交的线部和在线部下方并电连接到第一杂质区的插塞部；以及在插塞部的侧表面上的绝缘结构。绝缘结构包括：间隔物，包括第一材料；绝缘图案，在插塞部和间隔物之间，并且包括第二材料；以及绝缘衬层，覆盖绝缘图案的侧表面和底表面，并且包括第三材料。

公开(公告)号：CN116741729A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310175891.3

申请日：2023-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俓旭 ,  姜相敏 ,  姜玧求 ,  徐昌佑 ,  宋秀妍 ,  李多仁

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件可以包括位于衬底上的接触插塞结构以及填充所述接触插塞结构之间的空间以使所述接触插塞结构彼此绝缘的绝缘结构。所述接触插塞结构可以在第一方向上彼此间隔开。所述绝缘结构可以包括第一绝缘图案和第二绝缘图案。所述第二绝缘图案可以包括相对于氧化硅具有蚀刻选择性的绝缘材料。所述第一绝缘图案可以接触所述第二绝缘图案的侧壁的一部分和所述接触插塞结构的侧壁的一部分。所述第一绝缘图案可以包括带隙高于所述第二绝缘图案的带隙的材料。