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公开(公告)号：CN115718563A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202210888609.1
申请日：2022-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了包括存储控制器的存储装置和用于操作存储控制器的方法。所述用于操作存储控制器的方法包括：接收第一读取命令；使用第一读取电平执行对存储在非易失性存储器中的数据的第一读取，并接收第一读取数据；执行对第一读取数据的第一纠错解码以确定第一纠错解码是否成功；使用预定方法确定第二读取电平，并确定第二读取电平的第一软决策偏移值；使用确定的第二读取电平和第一软决策偏移值读取存储在非易失性存储器中的数据，并接收第一软决策数据；执行对第一软决策数据的第二纠错解码以确定第二纠错解码是否成功；并存储第二读取电平、用于确定第二读取电平的第一方法和第一软决策偏移值。
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公开(公告)号：CN111667859B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202010483944.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件包括存储单元阵列、电压产生器、页缓冲器电路、行解码器和控制电路。存储单元阵列包括对应于不同位线的多个垫。电压产生器产生施加到存储单元阵列的字线电压。页缓冲器电路通过位线耦接到存储单元阵列。行解码器通过字线耦接到存储单元阵列，并且行解码器将字线电压传送到存储单元阵列。控制电路基于命令和地址来控制电压产生器、行解码器和页缓冲器电路。控制电路根据多个垫中同时操作的垫的数量，选择不同电压之中的电压以施加到字线中的至少一个或位线中的至少一个。
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公开(公告)号：CN111667860B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010484342.0
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件包括存储单元阵列、电压产生器、页缓冲器电路、行解码器和控制电路。存储单元阵列包括对应于不同位线的多个垫。电压产生器产生施加到存储单元阵列的字线电压。页缓冲器电路通过位线耦接到存储单元阵列。行解码器通过字线耦接到存储单元阵列，并且行解码器将字线电压传送到存储单元阵列。控制电路基于命令和地址来控制电压产生器、行解码器和页缓冲器电路。控制电路根据多个垫中同时操作的垫的数量，选择不同电压之中的电压以施加到字线中的至少一个或位线中的至少一个。
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公开(公告)号：CN111667858B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010483932.1
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件包括存储单元阵列、电压产生器、页缓冲器电路、行解码器和控制电路。存储单元阵列包括对应于不同位线的多个垫。电压产生器产生施加到存储单元阵列的字线电压。页缓冲器电路通过位线耦接到存储单元阵列。行解码器通过字线耦接到存储单元阵列，并且行解码器将字线电压传送到存储单元阵列。控制电路基于命令和地址来控制电压产生器、行解码器和页缓冲器电路。控制电路根据多个垫中同时操作的垫的数量，选择不同电压之中的电压以施加到字线中的至少一个或位线中的至少一个。
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