公开(公告)号：CN104078468B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201410119693.6

申请日：2014-03-27

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金建熙 ,  朴辰玹 ,  李京垣 ,  安秉斗 ,  林志勋 ,  林俊亨

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  G02F1/136

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板，该薄膜晶体管阵列面板包括：栅电极，设置在衬底上；绝缘层，设置在栅电极上；氧化物半导体，设置在栅极绝缘层上；源电极，与氧化物半导体的一部分重叠；漏电极，与氧化物半导体的另一部分重叠；以及缓冲层，设置在氧化物半导体与源电极之间以及氧化物半导体与漏电极之间。缓冲层包括锡（Sn）作为掺杂材料。掺杂材料的重量百分比大于约0%并且小于或等于约20%。

公开(公告)号：CN108461522A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810151517.9

申请日：2018-02-14

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金建佑 ,  贾智铉 ,  权泰勋 ,  权镐均 ,  李敏九 ,  李在一 ,  郑镇泰 ,  车承智 ,  安秉斗 ,  李正浩

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3276 ,  G09G3/3233 ,  G09G2300/0413 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2310/0262 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3223 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/326 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L51/0096 ,  H01L27/3246

Abstract: 提供一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括第一像素区域、第二像素区域和外围区域，第二像素区域具有比第一像素区域的面积小的面积并连接到第一像素区域，外围区域至少部分地围绕第一像素区域和第二像素区域；第一像素，设置在第一像素区域中；第二像素，设置在第二像素区域中；第二布线，连接到第二像素；延伸线，延伸到外围区域；虚设部分，位于外围区域中以与延伸线叠置；电力线，连接到第一像素区域和第二像素区域；以及连接线，位于外围区域中以连接到虚设部分，连接线电连接到第二像素区域的一部分，其中，第二像素区域包括与连接线连接的第一子像素区域以及除了第一子像素区域之外的第二子像素区域。

公开(公告)号：CN103038888B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201180037189.6

申请日：2011-07-28

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 森田晋也 ,  三木绫 ,  岩成裕美 ,  钉宫敏洋 ,  安野聪 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01B1/08 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供一种薄膜晶体管的开关特性优异，特别是在保护膜形成后也可以稳定获得良好的特性的薄膜晶体管半导体用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物，是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，所述氧化物含有Zn、Sn和Si。

公开(公告)号：CN104756257A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201380054436.2

申请日：2013-10-15

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 田尾博昭 ,  前田刚彰 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋 ,  安秉斗 ,  具素英 ,  金建熙

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供在氧化物半导体层与保护膜的界面形成的突起的形态被适当地控制、发挥稳定的特性的薄膜晶体管。该薄膜晶体管在以下方面具有特征，即，具有由作为金属元素至少含有In、Zn和Sn的氧化物构成的氧化物半导体层和与该氧化物半导体层直接接触的保护膜，在所述氧化物半导体层的与所述保护膜直接接触的面上形成的突起的最大高度低于5nm。

公开(公告)号：CN104078468A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410119693.6

申请日：2014-03-27

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金建熙 ,  朴辰玹 ,  李京垣 ,  安秉斗 ,  林志勋 ,  林俊亨

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板，该薄膜晶体管阵列面板包括：栅电极，设置在衬底上；绝缘层，设置在栅电极上；氧化物半导体，设置在栅极绝缘层上；源电极，与氧化物半导体的一部分重叠；漏电极，与氧化物半导体的另一部分重叠；以及缓冲层，设置在氧化物半导体与源电极之间以及氧化物半导体与漏电极之间。缓冲层包括锡（Sn）作为掺杂材料。掺杂材料的重量百分比大于约0%并且小于或等于约20%。

公开(公告)号：CN103367455A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210554742.X

申请日：2012-12-19

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 安秉斗 ,  林志勋 ,  金建熙 ,  李京垣 ,  李制勋

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种多半导体氧化物TFT(sos-TFT)在电荷-载流子迁移率和/或阈值电压变化性方面提供了改进的电功能性。sos-TFT可以用来形成用于显示装置的薄膜晶体管阵列面板。示例sos-TFT包括：绝缘的栅极；第一半导体氧化物层，具有含有第一半导体氧化物的组分；第二半导体氧化物层，具有也包含半导体氧化物的不同组分。第一半导体氧化物层和第二半导体氧化物层具有各自的沟道区，所述沟道区受到施加到栅极的控制电压的电容性影响。在一个实施例中，第二半导体氧化物层包含第一半导体氧化物层中不含有的至少一种添加元素，其中，添加元素是镓(Ga)、硅(Si)、铌(Nb)、铪(Hf)和锗(Ge)中的一种。

公开(公告)号：CN103038888A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201180037189.6

申请日：2011-07-28

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 森田晋也 ,  三木绫 ,  岩成裕美 ,  钉宫敏洋 ,  安野聪 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01B1/08 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供一种薄膜晶体管的开关特性优异，特别是在保护膜形成后也可以稳定获得良好的特性的薄膜晶体管半导体用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物，是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，所述氧化物含有Zn、Sn和Si。

公开(公告)号：CN118613087A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410760677.9

申请日：2018-02-14

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金建佑 ,  贾智铉 ,  权泰勋 ,  权镐均 ,  李敏九 ,  李在一 ,  郑镇泰 ,  车承智 ,  安秉斗 ,  李正浩

IPC: H10K59/121 ,  H10K59/122 ,  H10K59/123 ,  H10K59/131

Abstract: 提供一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括第一像素区域、第二像素区域和外围区域，第二像素区域具有比第一像素区域的面积小的面积并连接到第一像素区域，外围区域至少部分地围绕第一像素区域和第二像素区域；第一像素，设置在第一像素区域中；第二像素，设置在第二像素区域中；第二布线，连接到第二像素；延伸线，延伸到外围区域；虚设部分，位于外围区域中以与延伸线叠置；电力线，连接到第一像素区域和第二像素区域；以及连接线，位于外围区域中以连接到虚设部分，连接线电连接到第二像素区域的一部分，其中，第二像素区域包括与连接线连接的第一子像素区域以及除了第一子像素区域之外的第二子像素区域。

公开(公告)号：CN103022144B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201210359296.7

申请日：2012-09-24

Applicant: 三星显示有限公司 ,  朴镇成 ,  株式会社神户制钢所

Inventor： 安秉斗 ,  李制勋 ,  朴世容 ,  朴埈贤 ,  金建熙 ,  林志勋 ,  朴在佑 ,  朴镇成 ,  钉宫敏洋 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  岸智也 ,  田尾博昭

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明提供了一种氧化物半导体。该氧化物半导体包括第一材料和第二材料，该第一材料包括选自由锌（Zn）和锡（Sn）组成的组中的至少一种，其中第一材料与氧（O）之间的电负性差值减去第二材料与氧（O）之间的电负性差值而得到的值小于约1.3。

公开(公告)号：CN104603919B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201380045020.4

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  后藤裕史 ,  田尾博昭 ,  钉宫敏洋 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  朴辰玄 ,  金连洪

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，其在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的单层的氧化物半导体层、用于保护氧化物半导体层的表面的蚀刻阻挡层、源‑漏电极和配置于栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素由In、Zn及Sn构成，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度被控制在4原子％以下。