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公开(公告)号：CN204706554U
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201520455492.3
申请日：2015-06-29
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/367
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014
Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置和电子设备，所述半导体装置包括：半导体元件、绝缘基板以及散热板，其中，所述绝缘基板的上表面设置有第1金属层，所述绝缘基板的下表面设置有第2金属层，所述第1金属层通过第1连接层搭载所述半导体元件，所述第2金属层通过第2连接层搭载所述散热板，所述第1金属层设置在与所述半导体元件在水平面上的投影区域相同的区域上，所述第2金属层设置在与所述散热板连接面的整个面上。能够有效提高半导体装置的散热性能。
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