公开(公告)号：CN112400218B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN201980002694.3

申请日：2019-09-27

Applicant: 艾德麦普株式会社

Inventor： 中村将基

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供一种能够简单且低成本地进行成膜构造体的再生的方法以及通过该方法制造的再生成膜构造体。成膜构造体的再生方法的特征在于，包含：在与受到损伤的活性面10a位于相反侧的非活性面10b层叠新SiC层16的新成膜层层叠工序；对活性面10a进行加工，得到聚焦环10的活性面加工工序。

公开(公告)号：CN111868885B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN201980002150.7

申请日：2019-08-28

Applicant: 艾德麦普株式会社

Inventor： 川本聪

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/01 ,  C23C16/42 ,  H01L21/31 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种SiC膜单体结构体，SiC膜单体结构体的功能面不受膜厚的影响，且能够通过增加膜厚来实现强度的提高。其为通过气相沉积型的成膜法层积SiC层而构成的膜单体结构体，其特征在于，以SiC膜单体结构体(10)中的成为功能面(12)的第一SiC层(20)为基准层积SiC层。另外，在位于任意的特定部位的正反两面的功能面(12)和非功能面(14)中，功能面(12)的平滑度高于非功能面(14)的平滑度。