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公开(公告)号：CN117594347A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310850890.4
申请日：2023-07-12
Applicant: 株式会社田村制作所
Abstract: 本发明提供一种可兼顾高导磁率与低铁损的压粉磁芯用粉末的制造方法。在将润滑剂的热重差热分析中的分解开始的绝对温度设为Td(K)、将绝缘层形成工序中的所述润滑剂的干燥温度上限的绝对温度设为Th(K)、将绝缘层形成工序中的所述润滑剂的干燥温度下限的绝对温度设为Tl(K)时，润滑剂满足下述式(1)及式(2)，绝缘层形成工序中的干燥温度为根据下述式(1)及式(2)算出的Tl(K)的下限值以上且Th(K)的上限值以下。Td‑0.84Td+322.96＜Th＜Td‑0.84Td+362.96···(1)Td‑0.70Td+168.81＜Tl＜Td‑0.70Td+208.81···(2)。
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公开(公告)号：CN111164740B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201880062606.4
申请日：2018-09-26
Applicant: 株式会社田村制作所 , 诺维晶科股份有限公司
Inventor： 佐佐木公平
IPC: H01L21/337 , H01L27/06 , H01L29/12 , H01L29/24 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/28 , H01L21/338 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04
Abstract: 提供一种不使用p型的β‑Ga2O3单晶且截止泄漏特性和耐压优异的Ga2O3系的场效应晶体管。作为一实施方式，提供沟槽型MOSFET(1)，其具备：n型半导体层(11)，其包括Ga2O3系单晶，具有在一个面上开口的多个沟槽(16)；栅极电极(16)；源极电极(14)，其连接到n型半导体层(11)的相邻的沟槽(16)之间的台面形状区域；以及漏极电极(15)，其隔着n型半导体基板(10)连接到n型半导体层(11)的与源极电极(14)相反的一侧。(12)，其埋入于多个沟槽(16)中的每一个沟槽
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公开(公告)号：CN117153891A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310632946.9
申请日：2023-05-31
Applicant: 株式会社田村制作所 , 诺维晶科股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/24 , H01L29/417 , H01L29/47
Abstract: 提供具备包括氧化镓系半导体的半导体层的肖特基势垒二极管，其通过包括SiO2的钝化膜有效地抑制了表面漏电，且绝缘耐压有效地提高。作为一实施方式，提供肖特基势垒二极管(1)，其具备：n型半导体层(10)，其包括氧化镓系半导体；绝缘膜(11)，其包括SiO2，覆盖n型半导体层(10)的上表面(101)的一部分；以及阳极电极(14)，其连接到n型半导体层(10)的上表面(101)，与n型半导体层(10)形成肖特基接合，至少一部分边缘处于绝缘膜(11)上，绝缘膜(11)包含与n型半导体层(10)接触的第1层(12)、以及第1层(12)上的第2层(13)，第1层(12)的折射率比第2层(13)的折射率低。
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公开(公告)号：CN109979735B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201811577408.X
申请日：2018-12-20
Applicant: 株式会社田村制作所
Inventor： 铃木浩太郎
IPC: H01F27/29 , H01F27/30 , H01F27/32 , H01F27/02 , H01F27/24 , H01F27/245 , H01F27/255 , H01F27/28 , H01F37/00
Abstract: 本发明提供一种有效利用空间的小型电抗器。包括：电抗器本体(1)，所述电抗器本体(1)包括芯(10)及安装于芯(10)的线圈(20)；壳体(3)，所述壳体(3)收容电抗器本体(1)，并且具有电抗器本体(1)的一部分向外部突出的开口(33)；母线(41)，所述母线(41)是电性连接于线圈(20)的导电性构件，且覆盖自开口(33)突出的电抗器本体(1)的侧面的一部分；以及端子台(5A)，所述端子台(5A)由将母线(41)的一部分埋入的树脂材料形成，具有沿开口(33)的边缘部设置的延伸部(52A)，并且支撑母线(41)与外部的电性连接部分。
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公开(公告)号：CN116833616A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210850536.7
申请日：2022-07-19
Applicant: 株式会社田村制作所
Inventor： 新井正也
IPC: B23K35/26 , B23K35/02 , B23K35/362 , H05K3/34
Abstract: 本发明涉及无铅软钎料合金、焊膏、电子电路安装基板和电子控制装置。提供：除了具备冷热循环特性之外、还具备对瞬间且集中的力的耐性和良好的导热率、且也能适合用于混合搭载大型的电子部件和小型的电子部件时的钎焊接合的无铅软钎料合金、焊膏、电子电路安装基板和电子控制装置。一种无铅软钎料合金，其包含：2.5质量％以上且4质量％以下的Ag、超过0质量％且1质量％以下的Cu、3质量％以上且7质量％以下的Sb、0.01质量％以上的Ni、和0.005质量％以上的Co，Ni和Co的总含量为0.05质量％以下，余量由Sn和不可避免的杂质组成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116804821A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310254633.4
申请日：2023-03-16
Applicant: 株式会社田村制作所
Abstract: 本发明提供一种感光性树脂组合物及其光固化物、以及具有感光性树脂组合物的光固化膜的印刷配线板，所述感光性树脂组合物能够形成具有绝缘可靠性、并且耐助焊剂性、消光外观、柔软性优异的保护膜。一种感光性树脂组合物，其含有(A)含羧基感光性树脂、(B)无机填料、(C)光聚合引发剂、(D)反应性稀释剂以及(E)环氧化合物，所述(B)无机填料是累计体积百分率为50体积％的粒径D50为0.7μm以上且5.5μm以下的滑石，所述(C)光聚合引发剂含有选自(C1)α‑氨基烷基苯基酮类光聚合引发剂以及(C2)肟酯类光聚合引发剂中的至少1种。
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公开(公告)号：CN111033758B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201880051971.5
申请日：2018-07-23
Applicant: 株式会社田村制作所 , 诺维晶科股份有限公司
Inventor： 佐佐木公平
IPC: H01L29/861 , C30B25/00 , C30B29/16 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/47 , H01L29/868 , H01L29/872
Abstract: 提供一种成本低且能够容易地制造的利用了异质pn结的Ga2O3系的二极管。作为一实施方式，提供二极管(2)，其具备：n型半导体层(21)，其包括n型Ga2O3系单晶；以及p型半导体层(22)，其包括非晶质部分的体积大于结晶质部分的体积的p型半导体，n型半导体层(21)与p型半导体层(22)形成pn结。
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