公开(公告)号：CN115976650A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211664306.8

申请日：2018-07-09

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社希克斯 ,  国立研究开发法人情报通信研究机构

Inventor： 仓又朗人 ,  渡边信也 ,  佐佐木公平 ,  八木邦明 ,  八田直记 ,  东胁正高 ,  小西敬太

IPC: C30B33/06 ,  H01L21/02 ,  H01L29/24 ,  H01L29/872 ,  H01L29/78 ,  C30B29/16

Abstract: 提供一种包含单晶Ga2O3系基板的半导体基板，其特征在于，包含将包括Ga2O3系单晶的单晶Ga2O3系基板的接合面与包括多晶体的多晶基板的接合面接合而成的接合基板，上述多晶基板是多晶SiC基板、多晶金刚石基板、多晶Si基板、多晶Al2O3基板、多晶AlN基板中的任意一基板，上述单晶Ga2O3系基板的厚度比上述多晶基板的厚度薄，通过遵循JIS R 1607的断裂韧性试验得到的上述多晶基板的断裂韧性值为3MPa·m1/2以上。

公开(公告)号：CN109478495A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780044382.X

申请日：2017-07-13

Applicant: 株式会社希克斯

Inventor： 今冈功 ,  村崎孝则 ,  下俊久 ,  内田英次 ,  南章行

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种贴合半导体基板，能够降低界面电阻。半导体基板具备单晶SiC基板和多晶SiC基板。单晶SiC基板与多晶SiC基板接合。单晶SiC基板与多晶SiC基板的接合区域含有1×1021(atoms/cm3)以上的特定原子。

公开(公告)号：CN105474354B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201480038163.7

申请日：2014-07-03

Applicant: 株式会社希克斯 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 今冈功 ,  小林元树 ,  内田英次 ,  八木邦明 ,  河原孝光 ,  八田直记 ,  南章行 ,  坂田丰和 ,  牧野友厚 ,  高木秀树 ,  仓岛优一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明涉及半导体基板的制造方法，对于基板表面的平坦化困难的基板也没有导致在接合界面形成氧化膜，并且具有接合强度高的接合面。半导体基板的制造方法具备对支承基板的表面进行改质而形成第一非晶质层并且对半导体的单结晶层的表面进行改质而形成第二非晶质层的非晶质层形成工序。另外，具备使第一非晶质层与第二非晶质层接触的接触工序。另外，具备对第一非晶质层与第二非晶质层接触的状态的支承基板以及单结晶层进行热处理的热处理工序。