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公开(公告)号：CN106062958B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201480065680.3
申请日：2014-12-10
申请人： 理想能量有限公司
发明人： 理查德·A·布兰查德 , 威廉·C·亚历山大
IPC分类号： H01L29/739
摘要： 用于双侧面半导体器件制造的方法和系统。可以使用耐高温操作晶片和耐中温操作晶片制造在每个表面上具有多个引线的器件。掺杂剂可以被引入在两个侧面上，之后不久，单次长时间高温扩散步骤将所有的掺杂剂在两个侧面上扩散到大致相等的深度。所有的高温处理在没有附接操作晶片的情况下发生，或者在附接有高温操作晶片的情况下发生。一旦中温操作晶片被附接，则不会发生高温处理步骤。高温可以被认为是存在铝基金属时可能对所述器件造成损坏的那些温度。
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公开(公告)号：CN117795685A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280054651.1
申请日：2022-08-10
申请人： 理想能量有限公司
IPC分类号： H01L29/732 , H03K17/60
摘要： 双向沟槽电源开关。至少一个实例是一种半导体装置，其包括：上基极区，其与半导体材料衬底的第一侧相关联；上CE沟槽，其界定于所述第一侧上，所述上CE沟槽界定所述第一侧处的近端开口及所述衬底内的远端；上集电极‑发射极区，其经安置于所述上CE沟槽的所述远端处；下基极区，其与衬底的第二侧相关联；及下集电极‑发射极区，其与所述第二侧相关联。
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公开(公告)号：CN116686095A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202180082318.7
申请日：2021-11-30
申请人： 理想能量有限公司
IPC分类号： H01L29/73
摘要： 本发明涉及操作双向双基极双极结型晶体管(B‑TRAN)。一个实例是一种方法，其包括：使第一负载电流从电源模块的上端子通过晶体管传导到所述晶体管的上集电极‑发射极且从下集电极‑发射极传导到所述电源模块的下端子；及接着响应于第一中断信号断言，通过断开下主FET来中断从所述下集电极‑发射极到所述下端子的所述第一负载电流且借此使第一关断电流通过所述晶体管的下基极换向到所述下端子；及通过所述晶体管阻断从所述上端子到所述下端子的电流。
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公开(公告)号：CN108028603B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201680052122.2
申请日：2016-09-15
申请人： 理想能量有限公司
发明人： 威廉·C·亚历山大 , 理查德·A·布兰查德
IPC分类号： H02M3/158 , H03K17/60 , H01L29/747
摘要： 用于操作双基双向功率双极晶体管的方法及系统。使用了两个定时阶段来转换到截止：一个阶段是其中每个基极被短接到其最近的发射极/集电极区域，而第二个阶段是其中负驱动被施加到发射极侧基极以减少在块体衬底中的少数载流子数。
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公开(公告)号：CN107371382B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201580059244.X
申请日：2015-11-06
申请人： 理想能量有限公司
发明人： 威廉·C·亚历山大
摘要： 本申请特别教示用于操作B‑TRAN(双基极双向双极结型晶体管)的方法和电路。示范性基极驱动电路将高阻抗驱动提供到那一瞬间作为集电极操作的侧面装置上的基极接触区域。(B‑TRAN受所施加的电压控制，而不是受所施加的电流控制。)电流信号操作驱动电路的优选实施方案以提供二极管模式接通和预切断操作以及具有低电压降的硬接通状态(“晶体管接通”状态)。在一些实施例中，自同步整流器电路提供栅极驱动电路的可调整的低电压。在一些优选实施例中，用于驱动c基极区域(在集电极侧上)的基极驱动电压变化，同时监视此端子处的基极电流，以使得不施加不必要的基极电流。这解决了优化B‑TRAN中的基极驱动的困难挑战。
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公开(公告)号：CN104919595B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201480004623.4
申请日：2014-06-24
申请人： 理想能量有限公司
发明人： 理查德·A.·布兰查德 , 威廉·C.·亚历山大
IPC分类号： H01L29/747 , H01L29/73 , H01L27/102
CPC分类号： H02M3/158 , H01L27/0755 , H01L27/0823 , H01L27/0828 , H01L29/0619 , H01L29/0649 , H01L29/0804 , H01L29/0817 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/16 , H01L29/1604 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/73 , H01L29/732 , H01L29/7375 , H01L29/7393 , H01L29/7395 , H02M1/088 , H02M3/1582 , H02M7/797 , H02M11/00 , H03K3/012 , H03K17/60 , H03K17/66 , H03K17/687
摘要： 使用双向双极晶体管(BTRAN)进行开关的用于功率分组开关功率转换器的方法、系统、电路和器件。四个端子的三层BTRAN在任一方向上都以小于二极管压降的正向电压提供基本相同的操作。BTRAN是完全对称融合的双基极双向双极相反面对的器件，所述器件在高非平衡载流子浓度条件下操作并且在用作用于功率分组开关功率转换器的双向开关时能够具有令人惊奇的协同效应。BTRAN被驱动到高载流子浓度状态，从而使得导通状态电压降非常低。
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公开(公告)号：CN106170861B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201580003842.5
申请日：2015-01-16
申请人： 理想能量有限公司
发明人： 理查德·A·布兰查德
IPC分类号： H01L27/04
摘要： 本申请提供了(除更广泛适用的发明之外)特别适用于利用双极性传导的双侧功率半导体器件的改善。在这类器件中，本发明人已认识到，还可以令人惊异的优点使用四个(或更多个)半导体掺杂部件中的两个或三个，以在两个表面上的有源阵列周围形成场限定环，其中，所述半导体掺杂部件在双侧功率器件的有源器件(阵列)部分中形成载流子发射结构和控制结构。最优选地，在一些实施例但不一定所有实施例中，一种传导类型的浅植入物用于对具有另一传导类型的阱的表面作出抵消掺杂。该浅植入物单独地工作或与具有相同传导类型的另一浅植入物组合地工作，以使阱免受半导体材料的表面处或之上的过量电荷的影响。
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公开(公告)号：CN108028603A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680052122.2
申请日：2016-09-15
申请人： 理想能量有限公司
发明人： 威廉·C·亚历山大 , 理查德·A·布兰查德
IPC分类号： H02M3/158 , H03K17/60 , H01L29/747
摘要： 用于操作双基双向功率双极晶体管的方法及系统。使用了两个定时阶段来转换到截止：一个阶段是其中每个基极被短接到其最近的发射极/集电极区域，而第二个阶段是其中负驱动被施加到发射极侧基极以减少在块体衬底中的少数载流子数。
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公开(公告)号：CN107371382A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201580059244.X
申请日：2015-11-06
申请人： 理想能量有限公司
发明人： 威廉·C·亚历山大
摘要： 本申请特别教示用于操作B-TRAN(双基极双向双极结型晶体管)的方法和电路。示范性基极驱动电路将高阻抗驱动提供到那一瞬间作为集电极操作的侧面装置上的基极接触区域。(B-TRAN受所施加的电压控制，而不是受所施加的电流控制。)电流信号操作驱动电路的优选实施方案以提供二极管模式接通和预切断操作以及具有低电压降的硬接通状态(“晶体管接通”状态)。在一些实施例中，自同步整流器电路提供栅极驱动电路的可调整的低电压。在一些优选实施例中，用于驱动c基极区域(在集电极侧上)的基极驱动电压变化，同时监视此端子处的基极电流，以使得不施加不必要的基极电流。这解决了优化B-TRAN中的基极驱动的困难挑战。
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公开(公告)号：CN106170861A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201580003842.5
申请日：2015-01-16
申请人： 理想能量有限公司
发明人： 理查德·A·布兰查德
IPC分类号： H01L27/04
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L29/0615 , H01L29/0661 , H01L29/0692 , H01L29/0804 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/72 , H01L29/73 , H01L29/732 , H01L29/735 , H01L29/7393 , H01L29/7397 , H01L29/747 , H03K17/66
摘要： 本申请提供了(除更广泛适用的发明之外)特别适用于利用双极性传导的双侧功率半导体器件的改善。在这类器件中，本发明人已认识到，还可以令人惊异的优点使用四个(或更多个)半导体掺杂部件中的两个或三个，以在两个表面上的有源阵列周围形成场限定环，其中，所述半导体掺杂部件在双侧功率器件的有源器件(阵列)部分中形成载流子发射结构和控制结构。最优选地，在一些实施例但不一定所有实施例中，一种传导类型的浅植入物用于对具有另一传导类型的阱的表面作出抵消掺杂。该浅植入物单独地工作或与具有相同传导类型的另一浅植入物组合地工作，以使阱免受半导体材料的表面处或之上的过量电荷的影响。
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