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公开(公告)号：CN106629575B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201610898632.3
申请日：2016-10-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种旁热式微传感器及其制造方法，包括：衬底，衬底内形成有凹槽；焊盘，位于凹槽外围的衬底表面；旁热式微传感器主体，位于凹槽的上方，包括：主体支撑层、旁式加热元件、第一绝缘层及敏感电极，旁式加热元件及敏感电极位于主体支撑层表面，且旁式加热元件位于敏感电极的外侧，第一绝缘层位于旁式加热元件表面；支撑梁，位于衬底及旁热式微传感器主体之间，适于将旁热式微传感器主体固支于衬底上；疏水疏油层，位于第一绝缘层表面、裸露的主体支撑层表面、裸露的衬底表面及支撑梁表面。本发明采用旁热式结构，减少了敏感材料所在区域绝缘层漏电对于敏感测试信号造成的干扰，在敏感电极区域实现简易的自对准式液态敏感材料上载。
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公开(公告)号：CN107561201A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201610507286.1
申请日：2016-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N30/60
Abstract: 本发明提供一种高分离效率的硅基微气相色谱柱及其制备方法，所述制备方法包括：1）于硅衬底上制作微沟道及微流控端口；2）制作掩膜层保护所述硅衬底上的键合面；3）于所述微沟道内构筑纳米介孔氧化硅；4）将一封装盖板键合于所述硅衬底的键合面上；5）基于所需分离的组分于所述纳米介孔氧化硅表面形成相应的修饰材料。由于纳米介孔氧化硅具有较大的比表面积及孔容，且具有较好的热稳定性及机械强度，本发明将其构筑于硅基微气相色谱柱内，能极大地提高色谱柱的分离效率；纳米介孔氧化硅表面具有高密度的硅羟基（Si-OH），可根据分离对象的不同在其表面进一步构筑具有不同分离功能的单分子层，实现所需的分离效果。
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公开(公告)号：CN107328449A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710548160.3
申请日：2017-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01F1/688
Abstract: 本发明提供一种热电堆式气体流量传感器及其制备方法，结构包括：衬底，具有一凹槽，开设于衬底上表面；第一介质膜，覆盖于凹槽上方，与衬底相连接，且与衬底共同围成一个隔热腔体；加热元件，位于第一介质膜表面；至少两个感测元件，位于第一介质膜上，且设置于加热元件两侧，包括至少一组单晶硅-金属热偶对组，单晶硅-金属热偶对组包括若干个单晶硅-金属热偶对。通过上述方案结合本发明的单硅片单面制作技术，在普通单晶硅片上加工出赛贝克系数最高的P型单晶硅-金热偶对，并将热偶对以及加热元件通过隔热腔体与衬底隔离，最大程度降低了加热电阻的热耗散，提高了传感器的检测灵敏度。此外，本发明传感器尺寸小、成本低、适于大批量生产。
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公开(公告)号：CN105226992B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410250499.1
申请日：2014-06-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02N2/18
Abstract: 本发明提供一种振动幅度阈值驱动发电的能量采集器及传感器，至少包括：用于感应外界振动的第一级振子；所述第一级振子包括依次连接的第一弹簧、第一质量块及第一磁体；用于产生电能的第二级振子；所述第二级振子包括依次连接的第二弹簧、第二质量块及第二磁体；所述第一级振子与所述第二级振子均设置于一基座上；当外界振动幅度小于预设阈值时，能量采集器不发电；当外界振动幅度大于所述预设阈值时，所述第一级振子驱动所述第二级振子振动，产生电能。本发明具备阈值驱动发电功能，采用所述能量采集器的传感器可将发电行为作为传感信号，并以脉冲形式发射，实现自供能的“事件驱动”传感功能。
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公开(公告)号：CN106803744A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201510833446.7
申请日：2015-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03B1/02
Abstract: 本发明提供一种微蒸发器、振荡器集成微蒸发器结构及其频率修正方法，包括：微蒸发台、锚点、支撑梁及金属电极；微蒸发台的一面为蒸发面；锚点位于微蒸发台的两侧，且与微蒸发台相隔一定的间距；支撑梁位于微蒸发台与锚点之间，一端与微蒸发台相连接，另一端与锚点相连接；支撑梁的尺寸满足如下关系式；金属电极位于锚点的第一表面。微蒸发台通过支撑梁与表面形成有金属电极的锚点相连接，通过调整设定支撑梁的尺寸，使得支撑梁的热容量小、散热少的特性，又微蒸发台及支撑梁的尺寸较小，只需在金属电极表面施加很小的功率即可以使得微蒸发台达到所需的蒸发温度，同时由于支撑梁的绝热作用，锚点处的温度升温较小，不会对器件的稳定性造成影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106323490A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610835471.3
申请日：2016-09-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种带有温度控制的离心机转盘温度测试系统，带有温度控制的离心机转盘温度测试系统包括：导电滑环，位于转盘的表面，包括主体、固定接线柱、固定轴及多组引出线；固定接线柱位于主体外围，固定轴位于主体内部，引出线一端经由固定轴内部与固定接线柱相连接，另一端延伸至固定轴一端的外侧；温度传感器，固定于转盘的表面；温度传感器经由连接线与固定连接柱相连接；测试仪器，测试仪器与引出线延伸至固定轴外侧的一端相连接。本发明通过在离心机的转盘表面设置温度传感器，可以直接精确地检测转盘是否达到温度平衡；温度传感器通过导电滑环内的引出线与测试仪器相邻接，整个测试系统的结构比较简单，便于操作。
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公开(公告)号：CN106053881A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610703474.1
申请日：2016-08-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/08
CPC classification number: G01P15/08 , G01P2015/0862
Abstract: 本发明提供一种单芯片硅集成三轴高频宽高冲击加速度计及其制作方法。通过使用一对质量块、第一直拉直压梁、第二直拉直压梁、第一连接板及第二连接板的组合作为Z轴微机械敏感结构单元，将垂直表面Z轴加速度引起的结构形变转化为易于检测的表面内直拉直压梁的拉压，解决了目前垂直表面Z轴加速计不能同时获得高灵敏度及高谐振频率这一问题。综合考虑晶向对各向异性腐蚀、压阻系数等影响，优化结构布局，实现了小芯片上三轴高频宽高冲击加速度计的集成。提供了一套可靠的制作方法，使加速度计同时具备工艺简单、制造成本低廉、芯片尺寸小、结构强度高、适于批量生产等优势。
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公开(公告)号：CN103185613B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201110445804.9
申请日：2011-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种适于表面贴装封装的单硅片微流量传感器及其制作方法，所述单硅片微流量传感器包括一单晶硅基片、二压力传感器和具有出/入通口的微流体沟道，本发明采用单硅片单面体硅微机械加工方法，在单晶硅基片内部制作所述微流体沟道和压力传感器的参考压力腔体，并将所述二压力传感器和微流体沟道出/入通口巧妙地集成在同一单晶硅基片的同一面上，结构简单。本发明既避免了不同键合材料间热匹配失调所导致的残余应力和压力传感器的压力敏感薄膜厚度不均的问题，又适于利用表面贴装封装技术实现单硅片微流量传感器裸片与微流体系统的集成，具有制作成本低、封装方便、灵敏度高、稳定性好等特点，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN105129718A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510341090.5
申请日：2015-06-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种光学读出红外探测器结构及其制作方法，所述探测器结构至少包括：玻璃衬底和通过第二锚悬空于所述玻璃衬底上的悬浮结构；所述悬浮结构包括可见光反射层、红外吸收层以及支撑梁；所述可见光反射层悬空于所述玻璃衬底上，所述红外吸收层通过第一锚悬空于所述可见光反射层上，所述支撑梁悬空于所述可见光反射层上，并且所述支撑梁的一端与同一平面内的所述红外吸收层相连、另一端通过第二锚固定于所述玻璃衬底上。本发明的探测器结构通过将可见光反射层和红外吸收层分离，避免了可见光反射层由于双材料效应导致变形，且可见光反射层面积的增加提高了可见光的利用率，从而使红外探测器同时满足对器件各方面的要求，提高器件的综合性能。
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公开(公告)号：CN104979368A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510368985.8
申请日：2015-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/146 , H01L21/77
Abstract: 本发明提供一种红外探测器阵列及其制作方法，该红外探测器阵列的结构特点在于在非致冷红外探测器像素的悬桥结构上制作两组热敏单元B1和B2，在衬底上制作另外两组热敏单元S1和S2，再通过惠斯通电桥形式将这四组热敏单元连接起来，差分输出电信号，抑制了电路噪声，可显著地提高器件的信噪比。本发明制作方法的特点在于：在释放像素结构时，先在衬底中刻蚀出腐蚀槽，然后采用各向异性腐蚀剂腐蚀硅释放像素结构，提高了腐蚀释放效率，且腐蚀形状及深度可控，可避免像素和衬底之间发生粘连，还可以以未腐蚀尽的硅作为像素的锚，简化了锚的制作工艺。
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