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公开(公告)号：CN215985185U
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202122615869.5
申请日：2021-10-28
Applicant: 中车青岛四方机车车辆股份有限公司 , 北京工业大学
IPC: G01M13/028
Abstract: 本实用新型公开一种磁流变阻尼器的测控系统，包括：振动装置，包括激励源、振动台和减振机构，所述减振机构设置在所述激励源和所述振动台之间，所述减振机构包括磁流变阻尼器；传感装置，包括第一传感部件，所述第一传感部件安装于所述振动台；控制装置，与所述激励源、所述磁流变阻尼器和所述第一传感部件均信号连接。振动装置配置有激励源，用于产生振动激励，并传递至振动台；第一传感部件可以检测振动台的振动信号，并可将该振动信号传递至控制装置；控制装置还能够结合前述的振动信号控制磁流变阻尼器所输出的阻尼力，阻尼力的改变又可以反向调节第一传感器测得的振动台的振动信号；如此，可以形成一个闭环系统，测试结果更为切合实际。
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公开(公告)号：CN201953032U
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201020687425.1
申请日：2010-12-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本实用新型公开了一种线性规则区域布料大颗粒的抗静电瓷砖，属于建筑材料科学技术领域。半导体釉覆盖在瓷砖坯体的上表面，导电颗粒线性分布在瓷砖坯体的上部，并与半导体釉相连通。线性分布是指：在一块固定尺寸的地砖内虚设有平行于砖体边缘线的示意布料线，纵横向布料线间距范围为100-600mm，砖体边缘线也是布料线之一；导电颗粒分布于以布料线为中心、宽度为3-30mm的区域内，布料颗粒的尺寸为1-5mm。本实用新型减小了导电颗粒的使用量而降低成本，同时也可保证切割后的边缘导电颗粒的保有量，且分布方式利于美观化。
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公开(公告)号：CN201339295Y
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200820124251.0
申请日：2008-12-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种抗静电瓷砖属于建筑材料科学技术领域。现有抗静电瓷砖存在施工不方便、施工后稳定性差及综合性能较差的缺点。本实用新型所提供的抗静电瓷砖包括有半导体釉和瓷砖坯体，半导体釉覆盖在瓷砖坯体的上表面，还包括有导电颗粒；其中，导电颗粒分布在瓷砖坯体的上部，并与半导体釉相连通，导电颗粒的尺寸为4～16目。优选将导电颗粒以1～4个/cm2的密度分布在瓷砖坯体的上部，并与半导体釉相连通。本实用新型抗静电瓷砖抗静电性能好，成本低，有利于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN2474975Y
公开(公告)日：2002-01-30
申请号：CN01218853.0
申请日：2001-04-06
Applicant: 北京工业大学
IPC: F27B17/02
Abstract: 材料等实验设备领域的多功能高温实验炉,主要有计算机、炉管、炉壳及耐火砖构成的主反应室;有至少两路气路,调压阀,流量计,压力表,换向阀,干燥管和脱氧管构成的气体控制柜;真空泵构成的真空装置;电子天平构成的质量测量器;温控仪、加热元件及测温元件构成的温度测量及控制装置。真空泵抽净炉内空气,混合气由气体控制柜送入主反应室,计算机对电子天平和温控仪测得的数据分析并处理。该炉具有精度高、功能全、实用等特点。
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公开(公告)号：CN220302612U
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202320626525.0
申请日：2023-03-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种具有导磁臂的磁流变阻尼器涉及磁流变阻尼器技术领域，包括活塞盘、绕线架、导磁臂、阻尼间隙、导磁上缸筒、励磁线圈、活塞杆、隔磁上端盖、线圈通道、隔磁下端盖、下缸筒、导电滑轨。其中活塞盘、绕线架以及导磁臂组成一个整体称为活塞主体，并通过螺纹连接与活塞杆连接在一起，活塞杆以及活塞主体组成的活塞组穿过上下两个隔磁端盖，通过密封系统进行密封，隔磁端盖通过螺纹与导磁上缸筒进行连接，下缸筒与上缸筒通过螺纹连接。本实用新型通过延长活塞与磁流变液的有效长度实现阻尼间隙的全间隙利用，以与传统阻尼器相同的体积实现更高的出力值，或与传统阻尼器相同的出力值时，实现阻尼器的小型化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN215800017U
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202120602719.8
申请日：2021-03-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本实用新型提供一种导电导磁复合膜的制备装置，该装置包括阴极基带、基带刻蚀器、前电镀槽、后电镀槽、后清洗槽、材料收放装置、传动器和电源；所述材料收放装置包括放卷辊和收卷辊；所述阴极基带起始于所述放卷辊，并依次穿过所述基带刻蚀器、所述前电镀槽、所述后电镀槽和所述后清洗槽，终止于所述收卷辊；所述传动器位于所述前电镀槽和所述后电镀槽的中间上方，所述阴极基带穿过所述前电镀槽和所述后电镀槽之间时紧贴于所述传动器；所述电源负极通过导电辊分别连接穿过所述前电镀槽和所述后电镀槽的阴极基带，所述电源正极通过导线分别连接所述前电镀槽和所述后电镀槽的阳极钛篮。本实用新型的制备装置能够实现高效率连续生产复合薄膜。
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公开(公告)号：CN211202719U
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201921848232.7
申请日：2019-10-30
Applicant: 中车青岛四方机车车辆股份有限公司 , 北京工业大学
Abstract: 本实用新型实施例提供一种具有多磁偶结构的磁流变阻尼器，通过将多组励磁线圈分别缠绕于对应的端部连接于导磁内环且呈周向排布的偶数个磁偶结构上，相邻磁偶结构上的励磁线圈的缠绕方向相反；将活塞杆穿过导磁内环并与导磁内环过渡配合，磁偶结构外依次周向设有导磁外环、磁流变液间隙和导磁缸筒，导磁外环上设有多个阻磁间隙，阻磁间隙设于相邻的磁偶结构之间，从而在该阻尼器中形成多条依次穿过导磁内环、磁偶结构、导磁外环、磁流变液间隙和导磁缸筒或相反方向的闭合磁路，相邻的闭合磁路的方向相反，由此增加了活塞的有效长度和有效工作面积，从而输出增大输出的阻尼力，并且由于活塞侧面的磁力线分布均匀，从而使得输出的阻尼力均匀。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN201981416U
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201020540342.X
申请日：2010-09-21
Applicant: 中国人民解放军总后勤部军需装备研究所 , 北京工业大学 , 山东沃源新型面料有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种可提高金属镀层附着牢度的金属化织物基布，该金属化织物基布的纤维表面分布大量微坑，所述微坑的平均深度为0.1～5微米，微坑的覆盖率为纤维表面的40～80％。本实用新型可在纤维表面及内部由浅入深得到亚微米级深孔，使金属元素进入纤维内部以提高纤维的金属含有量、在相同的单位面积质量下可达到更高的电磁屏蔽效能；并在很大的面积比例上形成大量深邃坚固的铆合点，提高金属层的附着牢度。由于可采用现成的纺丝设备和织造染整设备进行电磁屏蔽织物基布的多孔化加工，故加工费用低廉。
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公开(公告)号：CN215800018U
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202120602720.0
申请日：2021-03-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本实用新型提供一种定比沉积合金薄膜的制备装置，该装置包括检测分析组件、校验开关、电源控制组件、双电源和电镀槽体；所述检测分析组件通过所述校验开关与所述电源控制组件连接；所述电源控制组件通过控制器与所述双电源连接；所述双电源负极通过导电辊与所述电镀槽体的阴极带连接；所述双电源正极分别与所述电镀槽体中的阳极钛篮连接；所述电镀槽体通过泵管连接所述检测分析组件。本实用新型保证了沉积的合金薄膜成分性能均匀一致。
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公开(公告)号：CN212278529U
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202020534449.7
申请日：2020-04-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本实用新型涉及等离子体激发装置技术领域，公开了一种多馈源微波等离子体装置，包括反应体、场强辅助增强结构和至少一层微波源组件，反应体内设有微波谐振腔；每层微波源组件均包括多个微波激励源，多个微波激励源沿反应体的周向分布于反应体的侧壁；场强辅助增强结构包括实体锥芯、第一锥形管和第二锥形管，第一锥形管和第二锥形管分别设置于反应体的两端；实体锥芯同轴插设于第一锥形管内，实体锥芯与第一锥形管之间的间隔形成第一气体流道；第二锥形管内设有第二气体流道。该多馈源微波等离子体装置可以提高电场强度，在多个微波激励源同时工作时能够在双尖端结构形成连续贯通的高能量密度等离子体，利于化学反应的完全性。
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