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公开(公告)号：CN113937230A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110984774.2
申请日：2021-08-26
Abstract: 本发明涉及一种一步法转印制备高性能的超高分辨QLED。首先制备一种微结构圆柱的PDMS印章，然后将绝缘材料填充至微结构的底部。再将附有绝缘材料的PDMS印章去粘单层的量子点LB膜，使量子点被拾取到微结构顶部。最后将上述印章贴合到空穴传输层上，加热印章使绝缘材料和像素化量子点一起被转印到空穴传输层上。设计和制备不同尺寸印章并且采用转移印刷与LB膜技术相结合的方法，从而获得亚微米以及纳米级别的量子点薄膜发光像素，并通过在QD像素之间嵌入绝缘材料，作为电荷阻挡层。最终制备的高分辨QLED解决了器件中漏电流问题，这种高性能的超高分辨QLED可应用下一代显示。
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公开(公告)号：CN113707769A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110973110.6
申请日：2021-08-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种基于转移印刷绝缘朗缪尔单层的高精度图案化LED漏电流阻挡层及其制备方法，通过在LED中利用朗缪尔单层制备技术和转移印刷技术引入高精度图案化的绝缘层，以缩小发光单元尺寸及消除漏电流，可实现高发光效率超高分辨率发光器件的制备。本发明的漏电流阻挡层利用朗缪尔单层制备技术获取，绝缘材料体系局限性小，可选择范围广。利用朗缪尔单层制备技术及转移印刷技术获取的漏电流阻挡层，免去了光刻工艺显影刻蚀过程中的溶剂污染，将其应用于LED中，可降低甚至消除器件中的漏电流，减少能量损耗，实现高效发光，配合RGB单色发光材料或白光发光材料，可实现高分辨率全彩LED点阵。
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公开(公告)号：CN113512416A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110848617.9
申请日：2021-07-27
Abstract: 本发明公开了一种Ga掺杂的水溶性InP量子点的制备方法，其是在以卤化锌为催化剂的条件下，将铟源与磷源经反应制成磷化铟核，然后掺入镓源以钝化磷化铟核内的缺陷，再在其表面包覆一层ZnS外壳，以提高量子点的稳定性以及发光效率，最后通过巯基类有机酸与量子点间强的结合力使其相互结合，进而制备出Ga掺杂的水溶性InP量子点。本发明制备的量子点不含Cd与Pb等重金属，对环境十分友好，并能溶于水，扩大了量子点的应用场景。
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公开(公告)号：CN108251110B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201810083022.7
申请日：2018-01-29
Applicant: 福州大学
IPC: C09K11/66 , C09K11/06 , G02F1/13357
Abstract: 本发明属于光电发光与显示器件技术领域，具体涉及钙钛矿量子点/薄膜体系构建多色发光膜的方法，包括薄膜体系和钙钛矿量子点。具体为，在基板上制备含卤素成分的薄膜，之后在薄膜上面沉积钙钛矿量子点，得到多色发光膜。该钙钛矿量子点/薄膜体系构建多色发光膜的方法具有成膜简单，基板兼容性好，荧光产率高，色纯度高，易于大面积成膜的优点。
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公开(公告)号：CN112635685A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011599967.8
申请日：2020-12-30
Abstract: 本发明涉及一种基于界面修饰的LB量子点发光二极管及制备方法，从下自上依次包括基板、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、修饰层、LB量子点薄膜、电子传输层以及阴极层。本发明可以直接通过提拉法将LB量子点薄膜转移到器件上，提高LB量子点薄膜在器件上的完整性，具有制备方法简单，量子点薄膜排列整齐致密，量子点薄膜厚度精确控制，易于大面积成膜的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112625680A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011595963.2
申请日：2020-12-29
IPC: C09K11/66
Abstract: 本发明公开了一种提升混合卤素钙钛矿稳定性的方法，其是将混合卤化铅和四正辛基溴化铵混合溶于甲苯中得到溶液A；将碳酸铯、碳酸铷溶于正辛酸中得到溶液B；将乙酸甲脒溶于正辛酸中得到溶液C；将双十二烷基二甲基溴化铵溶于甲苯中得到溶液D；再将溶液B、C混合后迅速加入溶液A中，在室温、磁力搅拌条件下加入溶液D，并加入乙酸乙酯进行萃取，最终得到所述混合卤素钙钛矿。按本发明方法进行处理，可使获得的混合卤素钙钛矿材料具有较好的稳定性和光电性能，将其应用于钙钛矿发光器件的制备，具有较高的亮度和稳定性。
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公开(公告)号：CN112599714A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202110019740.X
申请日：2021-01-07
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种转印图案化量子点制备纳米LED的方法，在透明导电衬底的ITO层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层和图案化量子点薄膜、电子传输层、金属阴极，所述图案化量子点薄膜以转印的方法制备，包括以下步骤：1）预先制备带图案化凹槽的PDMS印章；2）通过LB膜拉膜机生成量子点LB膜；3）将PDMS印章粘附量子点LB膜，使量子点填充满凹槽处，得到图案化的量子点；4）将凹槽处填充了量子点的PDMS印章贴合到空穴传输层上，依次按压、分离PDMS印章，使图案化的量子点被转印到空穴传输层上。该方法可以使QLED器件的像素尺寸缩小至纳米级别，从而获得高亮度、高PPI的显示像素单元。
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公开(公告)号：CN112599692A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202110011504.3
申请日：2021-01-06
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种基于光刻工艺的纳米级像素化量子点发光器件及其制备方法，通过采用光刻工艺制作纳米级直径的Bank或直接对特定的量子点配体进行光交联，从而获得纳米级像素化量子点发光层。基于光刻工艺的图形化方案相对成熟，能获得更高分辨率的发光器件。通过更换基板材料和电极材料，该方案能够制作成柔性或可拉伸发光器件，满足更多应用场景的需求。同时该方案可以在非电接触情况下，通过交流电场驱动可以实现对纳米级像素化量子点发光器件的点亮，从而降低对驱动电路的要求，具有较高的可行性和实用性。
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公开(公告)号：CN109291674B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201811175235.9
申请日：2018-10-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明属于防伪标签材料技术领域，具体涉及一种基于喷墨打印的不可复制防伪标签，包括防伪标签的墨水配制和基板处理。具体为：步骤S1：配制含有防伪材料的墨水；步骤S2：对防伪标签基板进行表面修饰；步骤S3：将配制好的防伪材料墨水按需打印在修饰过的基板上，干燥成膜。本发明制备防伪标签的策略具备工艺简单可靠，成本低廉，材料利用率高，绿色环保，不可复制，防伪级别容量可调，对防伪材料和基板兼容性好，同时可以彩色化、图案化，有利于不可复制防伪标签的普及与产业化。
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公开(公告)号：CN110880558A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201911200107.X
申请日：2019-11-29
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种具有电荷产生层的交流驱动钙钛矿LED器件。包括自下而上依次层叠在衬底基板上的阳极层、第一介电层、第一p-n结型电荷产生层、发光层、第二p-n结型电荷产生层、第二介电层和阴极层。本发明所述发光层采用溶液法制备，操作简单，适用于大规模生产，并且能大幅度降低生产成本。并且在限定的电压或功率下，通过调节频率可以对钙钛矿LED的亮度进行调节；还可以通过改变钙钛矿材料的组分，实现器件的多色发光。
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