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公开(公告)号：CN102214554B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110161250.X
申请日：2011-06-15
Applicant: 清华大学
CPC classification number: H01L21/67046
Abstract: 本发明公开了一种用于晶圆的刷洗装置，所述用于晶圆的刷洗装置包括：机架；支撑件，支撑件设在机架上以用于使晶圆可旋转地支撑于支撑件上；以及第一和第二毛刷组件，第一和第二毛刷组件相对地且间隔开地安装在机架上以分别用于刷洗晶圆的两侧表面，其中第一毛刷组件和第二毛刷组件各自包括：主动旋转盘，主动旋转盘可旋转地安装在机架上；毛刷，毛刷可旋转地安装在主动旋转盘上且主动旋转盘的旋转轴线平行于毛刷的旋转轴线；和驱动组件，驱动组件分别与主动旋转盘和毛刷相连以分别驱动主动旋转盘和毛刷绕各自的旋转轴线旋转。根据本发明实施例的用于晶圆的刷洗装置可以保持毛刷的表面润湿，从而提高晶圆的清洗效果。
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公开(公告)号：CN102172888B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201110039297.9
申请日：2011-02-16
Applicant: 清华大学
IPC: B24B39/06
Abstract: 本发明公开了一种抛光头，所述抛光头包括盖板；基座，所述基座固定在所述盖板的下表面上；柔性膜，所述柔性膜固定在所述基座的下表面上，其中柔性膜与所述基座限定出与外界连通的下腔室；保持环，所述保持环固定在所述基座的下表面上且所述保持环的下表面上设有容纳孔；和传感器，所述传感器安装在所述容纳孔内用于检测晶圆。根据本发明实施例的抛光头通过在所述保持环内安装所述传感器，从而可以在第一时间检测到被甩出的晶圆，从而可以及时报警停机，避免因晶圆被撞碎而带来的损失。
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公开(公告)号：CN102590338A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210018098.4
申请日：2012-01-19
Applicant: 清华大学
IPC: G01N29/036
Abstract: 本发明提供了一种基于共振峰的超声空化状态识别方法，包括以下步骤：采集设定时间段内的超声空化场的信号数据，对信号数据进行分帧处理，并将分帧处理后的信号作为待处理信号；采用全极点线性预测方法对待处理信号建模得到线性预测模型，并通过线性预测模型得到各个共振峰峰值及峰值所在的频率值，并根据所述频率值得到基频频率平均值和相对高频共振峰峰值的平均值；根据基频频率平均值与激发空化的超声频率之间的大小关系和相对高频共振峰峰值的平均值大小判断空化状态。本发明通过使用超声空化信号的时频信息简要、直观地描述了超声空化的强度。
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公开(公告)号：CN102539539A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210018026.X
申请日：2012-01-19
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种基于声发射的空蚀检测方法，包括以下步骤：使用声发射传感器采集空蚀发展过程中单位时间长度的声发射信号；对采集的所述声发射信号按照设定层数进行小波分解得到小波系数，并得到所述小波系数所在的频段与空蚀的相关程度，按照所述相关程度和设定层数对所述小波系数去噪；使用去噪后的所述小波系数进行信号重构，得到重构信号；设定所述重构信号的参数估计阈值和计数时间间隔；计算所述重构信号的声发射事件数和声发射事件平均能量；根据所述声发射事件数和所述声发射事件平均能量判断空蚀发展过程中塑性变形和质量损失情况。本发明针对声发射信号的特点去噪，使用简单的估计参数表征空蚀过程中塑性变形和质量损失的发展情况。
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公开(公告)号：CN102049730B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201010623316.8
申请日：2010-12-29
Applicant: 清华大学
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/345 , H01L21/68742
Abstract: 本发明为一种用于化学机械抛光设备的晶圆交换装置，属于化学机械抛光设备技术领域，包括一举升架，举升架上部通过中空腔体与举升架下部贯通连接，举升架下部上安装有控制举升架升降的第一气缸和直线轴承，导向轴穿过直线轴承，举升架上部通过弹簧连接盆状的对位环，对位环上安装有控制晶圆托架升降的第二气缸，第二气缸的气缸杆穿过对位环连接到晶圆托架的底部，晶圆托架、第二气缸和对位环轴线重合并且与直线轴承的轴线平行，在抛光过程中，本发明既能与外围机械手配合，完成晶圆送出及取入，又能与抛光头配合，完成晶圆的装载与卸载，在整个装、卸、取、送晶圆的过程中，能够完成晶圆的精确定位，并保证晶圆不被损坏。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102335877A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110306986.1
申请日：2011-10-11
Applicant: 清华大学
IPC: B24B57/02
Abstract: 本发明公开了一种抛光液输送装置，所述抛光液输送装置包括：抛光液储存容器；抛光液输送管，抛光液输送管的进液端与抛光液储存容器相连；开关阀，开关阀设在抛光液输送管上用于接通和断开抛光液输送管；输送泵，输送泵设在抛光液输送管上以将抛光液储存容器内的抛光液从抛光液输送管的出液端排出，其中输送泵位于抛光液储存容器和开关阀之间；和减压阀，减压阀设在抛光液输送管上且位于输送泵和开关阀之间用于稳定抛光液的压力。通过利用抛光液输送装置输送抛光液，可以使输出的抛光液的压力和流量非常稳定，即可以使输出的抛光液均匀地分布在抛光垫上，从而大大地提高抛光效果。
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公开(公告)号：CN102328272A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110288857.4
申请日：2011-09-23
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种化学机械抛光方法，所述化学机械抛光方法包括：A)利用终点测量装置测量晶圆上的多个点的膜厚前值；B)根据多个点的膜厚前值对晶圆进行化学机械抛光；和C)利用终点测量装置测量多个点的膜厚后值，并根据多个点的膜厚后值来判断晶圆的表面抛光厚度是否均匀，如果晶圆的表面抛光厚度不均匀，则根据多个点的膜厚前值与膜厚后值的差值对晶圆进行化学机械抛光直至晶圆的表面抛光厚度均匀。利用根据本发明实施例的化学机械抛光方法对晶圆进行化学机械抛光时无需再使用在线测量装置，从而不仅可以大大地简化进行化学机械抛光的化学机械抛光设备的结构，降低化学机械抛光设备的成本，而且可以大大地降低晶圆的化学机械抛光成本。
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公开(公告)号：CN102252928A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110080675.8
申请日：2011-03-31
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光技术领域，公开了一种机械与化学交互作用测量装置，包括机架、摩擦力测量部分、杠杆加载部分、往复直线运动的氮化硅小球和三电极部分。本发明的装置可以模拟腐蚀条件下的磨粒磨损性能，实现了同时在线测量电化学参数和机械参数；可以测量化学机械抛光过程中单纯的化学腐蚀量、机械磨损量以及交互作用去除量，从而对化学机械抛光过程中的材料去除机理进行研究。
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公开(公告)号：CN102221416A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110058436.2
申请日：2011-03-10
Applicant: 清华大学
CPC classification number: B24B37/044
Abstract: 本发明公开了一种用于化学机械抛光设备的抛光液物理参数测量装置及测量方法。化学机械抛光设备包括抛光头、转台、抛光盘和抛光垫，其中抛光垫设置有通孔。抛光液物理参数测量装置包括传感器，传感器设置在抛光盘内且适于通过抛光垫内的通孔与抛光液接触以测量抛光液的物理参数；变送器，变送器设置在转台内且与传感器相连用于将传感器的测量信号转换为标准电信号；和处理单元，处理单元与变送器相连用于获取标准电信号以得到抛光液的物理参数。根据本发明实施例的抛光液物理参数测量装置可以在线测量并得到抛光头与抛光垫之间的抛光液的物理参数。本发明还公开了一种具有所述抛光液物理参数测量装置的化学机械抛光设备。
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