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公开(公告)号：CN104931812B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201510245720.9
申请日：2015-05-15
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种测量电光晶体电光系数的方法及装置，包括：使一束可见波段的激光依次通过起偏镜、毛玻璃、待测电光晶体、检偏镜，然后用白屏接收出射光点和由毛玻璃造成的散射光形成的干涉图样；其中起偏镜与检偏镜的偏振方向垂直，待测电光晶体上施加一个可调节的直流电压；首先通过理论分析选择合适的激光入射角(θ0，φ0)，(θ0，φ0)为入射激光传播方向与待测电光晶体各电感应主轴的夹角；测量时，先将待测电光晶体上施加的直流电压调节为OV，微调待测电光晶体与入射激光的夹角，使出射光点落在干涉图样中与入射角(θ0，φ0)对应的暗区上，然后逐渐增大直流电压，此过程中出射光点位置不变，而干涉图样将发生变化，当出射光点再次落在干涉图样的下一个紧邻暗区时，记下此时的直流电压数值U；再由理论计算可求得相应电光系数。
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公开(公告)号：CN105157579B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201510445700.6
申请日：2015-07-27
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种微结构阵列光学位移传感器的制造方法及其用于检测微小位移的方法，所述方法包括：首先在基底材料表面进行镀膜，利用微纳米加工方法在基底材料上制备具有光谱特征峰的微结构阵列；将具有微结构阵列的基底固定于被测样品表面并利用光谱仪对样品表面的微结构进行光谱测量；移动位移传感器，记录光谱特征峰移动位置并计算位移量。所述方法制造的微结构阵列光学位移传感器可以测量微小区域内位移变化量，且具有测量灵敏度高、检测速度快的优势。
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公开(公告)号：CN103715292B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201410012447.0
申请日：2014-01-02
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种具有高增益的可见和近红外硅基光电探测器制备方法，其是在n型衬底与n+型黑硅层之间形成n-n+结，该n-n+结经过快速热退火处理激活黑硅硫掺杂层中的硫杂质元素；该硫掺杂黑硅层增加了材料对可见和红外光的吸收；该硅基光电探测器器件工作在反偏电压下，硅基光电探测器器件吸收光子产生的光生电子-空穴对在电场的作用下分离，并向两边的电极运动，被电极收集后形成光电流，从而实现了光探测。本发明具有结构简单、工艺简单、易加工和易保存等优点，最突出的，该光电探测器在400nm-2500nm波长范围内，-5V偏压下的响应度均大于为1A／W，在低偏压下实现了高增益。
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公开(公告)号：CN105157579A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510445700.6
申请日：2015-07-27
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种微结构阵列光学位移传感器的制造方法及其用于检测微小位移的方法，所述方法包括：首先在基底材料表面进行镀膜，利用微纳米加工方法在基底材料上制备具有光谱特征峰的微结构阵列；将具有微结构阵列的基底固定于被测样品表面并利用光谱仪对样品表面的微结构进行光谱测量；移动位移传感器，记录光谱特征峰移动位置并计算位移量。所述方法制造的微结构阵列光学位移传感器可以测量微小区域内位移变化量，且具有测量灵敏度高、检测速度快的优势。
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公开(公告)号：CN102976326B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210543892.0
申请日：2012-12-17
Applicant: 南开大学
IPC: C01B33/021 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种硫掺杂硅纳米颗粒的制备方法。将选取的并清洗干净的硅片置于加工腔内，经过飞秒激光在六氟化硫(SF6)气体中辐照硅片制备硫掺杂硅样品和飞秒激光辐照硫掺杂硅样品制备硫掺杂硅纳米颗粒两大步骤，制备出球形粒径范围为1-500nm的硫掺杂硅纳米颗粒，掺杂浓度为1×1019/cm3～1×1021/cm3。本发明能够快速的制备硫掺杂硅纳米颗粒，掺杂浓度高，而且能够通过控制入射激光能量和辐照时间的方法，控制颗粒的粒径和颗粒量。解决了通常制造硅纳米颗粒速度慢、工艺过程复杂、成本高的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101266320B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200710151177.1
申请日：2007-12-21
Applicant: 南开大学
IPC: G02B6/28
Abstract: 一种自泵浦延迟可调光脉冲群速延迟器。解决现有大可调范围群速延迟器对条件要求比较苛刻，比如超低温环境，独立的泵浦光源等问题。本发明延迟器包括一个平移台，位于平移台前方入射方向上的聚焦透镜，平移台上的非线性介质，及位于平移台后方出射方向上的小孔光阑构成。本发明对于光束的低空间频率部分产生延迟，通过非线性介质的色散起作用，不需额外的泵浦源，自泵浦即可达到要求。由于是通过调节介质位置连续调节其色散，所以延迟连续可调。低空间频率的光既可以产生减慢效应，也可以产生加快效应，这样就可以产生以往常规方法所不能产生的群速加快结果，其功能相当于使被延时的信号产生时间上的提前量，拓展了延迟器的应用前景。
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公开(公告)号：CN102296365A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201010207689.7
申请日：2010-06-24
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种掺钒铌酸锂晶体，采用Czochralski提拉法生长。元素钒掺杂量范围：0.1～5.0mol％(摩尔百分比)。本发明在掺杂量比较少的情况下，晶体具有优异的光折变性能，特别是在紫外光波段(351nm)，光折变性能大大增强，如响应时间短，衍射效率高，光耦合系数大等，并且光吸收系数较小，综合性能优于其他掺杂元素(如：Mg、Zn、In)；此外，由于掺杂量低，利于生长高光学质量的晶体。在掺杂量达到2.0mol％后，晶体将具有104W/cm2以上的抗光折变能力，钒成为抗光折变掺杂。作为铌酸锂晶体新型的掺杂元素，钒无论在光折变还是在抗光折变方面均具有优异的性能，尤其是在紫外光折变方面，既性能突出，又掺杂量低，易于生长高光学质量的单晶，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101776833A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201019102021.3
申请日：2010-02-08
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/35
Abstract: 本发明公开了一种主动式光控可调谐任意波长光延迟器，包括有外壳体，所述外壳体的左端侧壁从后往前依次开有控制光输入端口和信号光输入端口，外壳体右端侧壁上开有一个光输出端口；所述外壳体内从左到右水平放置有第一透镜、半透半反镜、工作介质、带通滤波片，第一透镜位于所述信号光输入端口的正右方，所述带通滤波片位于光输出端口的正左方；所述半透半反镜的正后方水平设置有第二透镜，第二透镜的正后方设置有一个反射镜，该反射镜位于所述控制光输入端口的正右方；所述工作介质为在控制光的波段具有光学非线性响应的材料。本发明公开的光延迟器可对信号光脉冲时延的大小和正负进行精确连续调控，实现对任意波段的信号光脉冲的时延进行调控。
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公开(公告)号：CN101597801A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910068854.2
申请日：2009-05-15
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种锆铜铈三掺铌酸锂晶体，由纯度为99.99％的Li2CO3、Nb2O5、ZrO2、CuO和Ce2O3制成，其制备方法是采用提拉法，1)将粉料按用料比混合，烘干后在混料机上搅拌，使Li2CO3充分分解；2)将上述制得的粉料压实，用中频炉加热，采用提拉法沿c轴方向按拉脖、放肩、等径、收尾程序生长锆铜铈三掺铌酸锂晶体。本发明的优点及效果：锆铜铈三掺铌酸锂晶体具有灵敏度高、能大大缩短光栅写入时间和实现非挥发全息存储等优点，在锆铜铈三掺铌酸锂晶体中能很好的实现了非挥发存储，灵敏度比铜铈双掺铌酸锂晶体提高了10倍以上，为铌酸锂非挥发全息存储的市场化提供了可行性，具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN101597800A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910068853.8
申请日：2009-05-15
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种锆铁锰三掺铌酸锂晶体，由Li2CO3、Nb2O5、ZrO2、Fe2O3和MnO制成，其采用提拉法生长，1)将纯度为99.99％的粉料按用料比混合，烘干后在混料机上混合搅拌使Li2CO3充分分解；2)将上述制得的粉料压实，用中频炉加热，采用提拉法生长锆铁锰三掺铌酸锂晶体。本发明的优点：锆铁锰三掺铌酸锂晶体具有灵敏度高、能大大缩短光栅写入时间和实现非挥发全息存储等优点，在锆铁锰三掺铌酸锂晶体中很好的实现了非挥发存储，响应时间最短达到1.21s，灵敏度达到1.78cm/J，比铁锰双掺铌酸锂晶体提高了20倍以上，为铌酸锂非挥发全息存储的市场化提供了可行性，具有巨大的应用前景。
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