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公开(公告)号：CN106788327A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201510831425.1
申请日：2015-11-25
Applicant: 南京大学
CPC classification number: G01R19/00 , H03H11/28 , H03G3/3005 , H03H11/46
Abstract: 本发明公开了一种新型接触与非接触检测兼用的传感器电路，该电路包括电容Cx、电阻Re、电阻Rf、电阻R1、电阻R2和运算放大器。电容Cx的一端连接检测信号，其另一端连接运算放大器的同相输入端；电阻Re的一端连接运算放大器的同相输入端，其另一端接地；电阻Rf的一端连接运算放大器的同相输入端，其另一端连接运算放大器的输出端；电阻R1的一端连接运算放大器的反相输入端，其另一端接地；电阻R2的一端连接运算放大器的反相输入端，其另一端连接运算放大器的输出端。本发明的电路结构简单，具有接触检测和非接触检测兼用特征，可有效克服接触电阻变化或耦合电容变化引起的电路性能改变，并可有效降低由此产生的噪声。
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公开(公告)号：CN103985719B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410226686.6
申请日：2014-05-26
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种复合介质栅MOSFET光敏探测器的复位方法，具体过程如下：通过FN隧穿的方法将阵列中所有像元的阈值电压先注入提高到3V左右，再用FN方式使电压降低到0.5V左右，最后再通过FN隧穿注入的方式把成像阵列中所有成像器件单元的阈值电压恢复到一个适中的数值（约1V），作为下一次成像的初始阈值电压，并且所有像元的阈值电压分布在一个较小的电压范围，以增加成像窗口，提高动态范围，提高复合介质栅MOSFET光敏探测器的成像效果。本发明的复位方法，可以实现高分辨率复合介质栅MOSFET光敏探测器的快速复位，并且复位功耗很小，简单易实现。
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公开(公告)号：CN103337081B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201310294784.9
申请日：2013-07-12
Applicant: 南京大学
IPC: G06T7/00
Abstract: 本发明公开了一种基于深度层的遮挡判断方法及其装置，属于计算机视觉领域。该方法包括：对原始图像的深度图像进行直方统计，统计深度图像所有灰度值所对应的像素个数；根据上述直方图进行包络检测，得到深度统计包络图；对上述深度统计包络图做邻域平滑滤波；根据平滑的深度统计包络图，计算出最小深度跳变，从而计算出虚拟视图上最小位置平移量；以上述平移量作为空洞尺寸阈值，对不同尺寸空洞采取不同的空洞填充策略。该装置包括：深度直方图统计模块、包络图计算模块、深度层计算模块、空洞大小计算模块和空洞大小判断模块。本发明不仅简化了现有渲染算法的复杂性，加快了渲染的速度，而且大大增强了空洞类型判断的准确性。
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公开(公告)号：CN105305034A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510733273.1
申请日：2015-10-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 带人工磁导体结构的太赫兹天线，利用CMOS工艺后端的多层金属工艺制造人工磁导体结构；天线具有六层金属，从最底到最上层分别为M1～M6层；使用M6制作天线，并通过通孔连接到由MOSEFTs器件构成的太赫兹传感器上；使用M1和M2制作人工磁导体底板来代替原有的光滑底板；底板M1为金属平板，M2金属层制备成周期性金属结构，M2层为正方形周期性金属块结构，正方形金属块边长L为5-8μm，正方形金属块周期间隔约为43-45μm，正方形金属块中心通过中心柱与底板相连，中心柱的尺寸是正方形金属块边长的1/10-1/5；M2金属层制备成周期性金属结构和M1平板之间组成一个等效的LC振荡电路。
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公开(公告)号：CN104900999A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510244096.0
申请日：2015-05-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提出了一种基于CMOS集成电路工艺的太赫兹双频天线，对矩形辐射贴片微带天线进行改进，使得天线辐射贴片的长度L对应一个频率谐振，而贴片宽度W对应另一个频率谐振，然后从矩形辐射贴片对角线的一角馈电，则此时天线同时激发TM01和TM10两个方向模式，就能使同一个辐射贴片工作于两个太赫兹频率上；所述太赫兹双频矩形辐射贴片微带天线对角线的一角通过通孔与晶体管的栅极相连接工作；根据工作频率f跟辐射单元长度L的关系式，能够确定出所需工作频率下的天线辐射贴片的长宽设计要求。选取矩形辐射贴片对角线上一点作为馈电点，并采用同轴线馈电方式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103384343B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310277116.5
申请日：2013-07-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明的目的在于公开了一种填补图像空洞的方法及其装置，通过利用视频帧序列中的欲处理目标帧和其对应的一张深度图进行图像渲染，在渲染过程中对产生的大小空洞分别进行处理，先处理小的空洞，再利用从余下视频帧序列中，寻找与所要处理的大空洞最佳匹配的像素块的方法，对大空洞进行处理，大大增强了空洞的填补效果。
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公开(公告)号：CN103137775B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110397660.4
申请日：2011-12-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/112
Abstract: 基于快闪存储器结构NMOSFET光敏可控器件，包括p型半导体衬底，衬底上设有n型重掺杂的源区和漏区，衬底上依次为隧穿氧化层、电荷存储层、阻挡氧化层和控制栅极，组成快闪存储器结构的NMOSFET光敏可控器件，阻挡氧化层和控制栅极为透明电极。隧穿氧化层厚度约为7nm至10nm，电荷存储层为多晶硅材料，其厚度约为100nm，阻挡氧化层为二氧化硅/氮化硅/二氧化硅三层结构，其厚度分别约为4nm/10nm/5nm，控制栅为多晶硅材料，厚度约为200nm，栅极长度约为0.16微米，宽度约为0.18微米。工作在电信号增大模式下时，首先对光敏器件进行擦除操作，使擦除后光敏器件阈值电压小于其初始阈值，也可工作在电信号减小模式。
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公开(公告)号：CN104809739A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510251442.8
申请日：2015-05-15
Applicant: 南京大学
IPC: G06T7/00
CPC classification number: G06T2207/10004 , G06T2207/10052 , G06T2207/20201
Abstract: 本发明公开了一种超广角镜头相机视频实时校正的方法，包括以下步骤：使用超广角镜头相机拍摄棋盘格图像；获取棋盘格图像的角点坐标；获取畸变中心坐标；使用本发明的畸变模型获取畸变系数；构造一个畸变坐标与校正坐标的查找表；对棋盘格图像进行校正；观察校正结果，若校正结果不好，则将校正结果作为新的棋盘格图像，返回获取棋盘格图像的角点坐标步骤；若校正结果好，则利用超广角镜头相机拍摄视频；利用软件开发工具包在计算机上快速抓取当前拍摄视频的每一帧；对视频的每一帧利用查找表进行校正。本发明的畸变模型使得畸变的估计更符合事实真相，使用的迭代校正方法使得校正结果更加好。
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公开(公告)号：CN104091837A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410263961.1
申请日：2014-06-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/112
CPC classification number: H01L31/02 , H01L31/119 , H01L31/02024 , H01L31/0288
Abstract: 一种基于光学天线的太赫兹探测器，包括多晶硅材料层制成的光学天线、晶体管或场效应管；光学天线分别置于晶体管的源极和漏极两端，天线边缘距离晶体管栅极边缘间距为100～500nm，光学天线与晶体管源端、漏端和栅端通过标准工艺中填充氧化物隔开；光学天线与晶体管栅极采用同一层多晶硅材料，但掺杂通过其他工艺来单独实现，其厚度为100～300nm；光学天线采用偶极子天线、领结形天线天线结构，多晶硅材料的掺杂浓度为1017～1020；光学天线的太赫兹探测器工作方案为，在晶体管栅极上加上直流偏置电压，源极接地，漏极浮空，信号电压从漏极输出。
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公开(公告)号：CN103985719A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410226686.6
申请日：2014-05-26
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种复合介质栅MOSFET光敏探测器的复位方法，具体过程如下：通过FN隧穿的方法将阵列中所有像元的阈值电压先注入提高到3V左右，再用FN方式使电压降低到0.5V左右，最后再通过FN隧穿注入的方式把成像阵列中所有成像器件单元的阈值电压恢复到一个适中的数值（约1V），作为下一次成像的初始阈值电压，并且所有像元的阈值电压分布在一个较小的电压范围，以增加成像窗口，提高动态范围，提高复合介质栅MOSFET光敏探测器的成像效果。本发明的复位方法，可以实现高分辨率复合介质栅MOSFET光敏探测器的快速复位，并且复位功耗很小，简单易实现。
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