公开(公告)号：CN103512667B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201310418144.4

申请日：2013-09-13

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 张新宇 ,  佟庆 ,  康胜武 ,  罗俊 ,  桑红石 ,  谢长生

IPC: G01J5/10

Abstract: 本发明公开了一种红外透视成像探测芯片，包括：陶瓷外壳、金属支撑与散热板、驱控和透视图像预处理模块、面阵非制冷红外探测器、以及面阵红外折射微透镜，驱控和透视图像预处理模块、面阵非制冷红外探测器、以及面阵红外折射微透镜同轴顺序设置于陶瓷外壳内，陶瓷外壳后部设置于金属支撑与散热板顶部，驱控和透视图像预处理模块设置于陶瓷外壳后部与金属支撑与散热板连接处，面阵非制冷红外探测器设置于驱控和透视图像预处理模块顶部，面阵红外折射微透镜设置于面阵非制冷红外探测器顶部。本发明结构紧凑，且具有基于红外波束方向辨识对红外目标进行单芯片透视成像探测、测量精度高、易与常规红外光学系统兼容或耦合、目标和环境适应性好的特点。

公开(公告)号：CN104717508A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201510117752.0

申请日：2015-03-17

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 颜露新 ,  张天序 ,  陈立群 ,  桑红石 ,  颜钊 ,  蔡昔 ,  钟胜

IPC: H04N19/42 ,  H04N19/137 ,  H04N19/182

Abstract: 本发明公开了一种适合硬件实现的JPEG-LS无损/近无损图像压缩标准中像素重建方法。像素重建的主要步骤为，对残差值Errval进行量化处理得到Errval_q，再与预测修正值Px_c、近无损度Near以及上下文索引值Q的符号标志SIGN进行计算，得到当前像素重建值，给下个像素的上下文建模使用。预测残差量化过程中除数和被除数都是变化参数的除法运算：直接硬件实现效率低,本发明对其进行了等价简化：先通过倍率放大将除法转换成乘法，再截位还原和误差补偿，有效避免了除法运算，适合硬件实现。本发明实现结果与标准算法完全等价，并且克服了现有技术中编码器处理速度慢的缺点，具体步骤如下：(1)残差取绝值(2)倍率放大(3)截位还原(4)误差补偿(5)计算像素重建值。

公开(公告)号：CN102944960B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201210450938.4

申请日：2012-11-12

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 康胜武 ,  佟庆 ,  张新宇 ,  桑红石 ,  张天序

IPC: G02F1/29 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1333 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明公开了一种电扫描焦点可摆动液晶微透镜，包括上玻璃衬底、PI定向层、ITO透明下电极、液晶层、玻璃间隔子、ITO透明上电极以及下玻璃衬底，ITO透明下电极和ITO透明上电极分别镀在下玻璃衬底和上玻璃衬底的一面上，且均与外界电源相连，ITO透明上电极具有四个呈十字形对称排列的子电极，子电极的形状为近似条形，ITO透明下电极的圆心与四个子电极所围成的圆形的圆心对齐，PI定向层是镀在ITO透明下电极和ITO透明上电极上，液晶层灌注在上玻璃衬底和下玻璃衬底之间。本发明能够解决现有技术中存在的制作工艺难度大、三层电极结构需要较大驱动电压、驱动电压必须保持同相位从而给应用带来不便、焦点摆动效果不理想的问题。

公开(公告)号：CN104218116A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410454835.4

申请日：2014-09-09

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 罗俊 ,  别业华 ,  李维军 ,  张新宇 ,  佟庆 ,  雷宇 ,  桑红石 ,  张天序 ,  谢长生

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/108 ,  H01L31/184

Abstract: 本发明公开了一种基于超材料的远红外单谱信号探测器，包括自下而上依次设置的衬底层、N型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极。超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列，所述金属开环共振单元阵列包含了一种图形及其特征尺寸参数，该图形对于远红外电磁波具有完全吸收特性，通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段，通过改变N型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中金属开环共振单元阵列的电磁波吸收强度。本发明具有高灵敏度和高速特性，通过选择特定金属开环共振单元结构可以将探测器工作于远红外的一个特定波段。

公开(公告)号：CN103955919A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410141691.7

申请日：2014-04-09

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 桑红石 ,  李茜 ,  张静 ,  梁巢兵 ,  王文 ,  张新宇 ,  何弘

IPC: G06T7/00

Abstract: 本发明公开了一种SIFT特征向量梯度直方图多通道更新电路，使用16个八维四更新的直方图组来取代1个128维16更新的直方图，每一个八维四更新的直方图代表同一空间位置的NBO方向维度的子特征值向量。所述电路包括：第一三线性插值模块、第二三线性插值模块、方向地址仲裁模块、第一至第十六四通道更新仲裁模块、第一至第十六八维四通道更新直方图模块。本发明的电路硬件面积开销仅占传统128维16更新的直方图电路面积开销的28%。从硬件开销方面，本电路优势明显；并且在SMIC0.18um的工艺下，本发明的最高工作频率为130MHz，传统128维16更新的直方图电路最高工作频率为100MHz。

公开(公告)号：CN103489477A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310398912.4

申请日：2013-09-04

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 桑红石 ,  王文 ,  张天序 ,  梁巢兵 ,  张静 ,  谢扬 ,  袁雅婧

IPC: G11C11/413

CPC classification number: G11C11/4125

Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量效应存储单元电路，全部由PMOS管构成，包括：第一、第二PMOS管，第三、第四PMOS管和第五、第六PMOS管；第一、第二PMOS管为上拉管，第三、第四PMOS管为读出访问管，第五、第六PMOS管为写入访问管。本发明的抗总剂量效应存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固，具有较小的存储单元面积，可用于抗辐射航空航天及嵌入式存储器等领域。

公开(公告)号：CN103474092A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310397216.1

申请日：2013-09-04

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 桑红石 ,  王文 ,  张天序 ,  梁巢兵 ,  张静 ,  谢扬 ,  袁雅婧

IPC: G11C11/4063

CPC classification number: G11C11/4125

Abstract: 本发明公开了一种抗辐射加固存储单元电路，包括：基本存储单元、冗余存储单元和双向反馈单元；其中，基本存储单元包括第一、第二PMOS管和第三、第四PMOS管；冗余存储单元包括第五、第六PMOS管和第七、第八PMOS管；双向反馈单元用于构成存储节点与冗余存储节点间的反馈通路，还用于构成反相存储节点与反相冗余存储节点间的反馈通路。本发明的存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固和抗单粒子闩锁效应加固，同时利用冗余和双路循环反馈技术实现抗单粒子翻转效应加固，具有较好的抗辐射特性，且电路结构简单，单元面积小。

公开(公告)号：CN102968776A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210453680.3

申请日：2012-11-13

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 桑红石 ,  梁巢兵 ,  高伟 ,  张静 ,  王文 ,  李利荣 ,  赵慧 ,  谢连波

IPC: G06T5/50

Abstract: 本发明公开了一种线性与非线性滤波器相结合的非均匀性校正方法，在对线性校正图像进行空间平滑滤波得到真实场景的估计图像时，如果非均匀性水平较高，使用模板为11x11的均值滤波，否则，使用模板为5x5的非线性平滑滤波，在实现边缘保持滤波的同时，计算校正参数的自适应迭代步长，进行异常像素（坏元、冲激噪声）检测与替换，以滤波输出图像作为对真实场景的估计图像，利用变化参考图像实现变化检测，只有当校正图像与变化参考图像的差异大于变化阈值时才对非均匀性校正系数进行迭代更新。本发明既具有线性平滑滤波器平滑作用大、收敛速度快的优点，又具有非线性平滑滤波的边缘保持特性，而且计算复杂度较低，适合硬件电路实现。

公开(公告)号：CN102944960A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210450938.4

申请日：2012-11-12

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 康胜武 ,  佟庆 ,  张新宇 ,  桑红石 ,  张天序

IPC: G02F1/29 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1333 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明公开了一种电扫描焦点可摆动液晶微透镜，包括上玻璃衬底、PI定向层、ITO透明下电极、液晶层、玻璃间隔子、ITO透明上电极以及下玻璃衬底，ITO透明下电极和ITO透明上电极分别镀在下玻璃衬底和上玻璃衬底的一面上，且均与外界电源相连，ITO透明上电极具有四个呈十字形对称排列的子电极，子电极的形状为近似条形，ITO透明下电极的圆心与四个子电极所围成的圆形的圆心对齐，PI定向层是镀在ITO透明下电极和ITO透明上电极上，液晶层灌注在上玻璃衬底和下玻璃衬底之间。本发明能够解决现有技术中存在的制作工艺难度大、三层电极结构需要较大驱动电压、驱动电压必须保持同相位从而给应用带来不便、焦点摆动效果不理想的问题。

公开(公告)号：CN102853917A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210315340.4

申请日：2012-08-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 张新宇 ,  佟庆 ,  康胜武 ,  罗俊 ,  桑红石 ,  张天序

IPC: G01J5/10

Abstract: 本发明公开了一种液晶基电调成像波谱面阵红外探测芯片，包括陶瓷外壳、谱红外成像探测架构以及金属散热板，谱红外成像探测架构设置在陶瓷外壳内，并包括驱控与图像预处理模块、面阵非制冷红外探测器、以及电调成像波谱液晶模块，三者同轴顺序设置，电调成像波谱液晶模块用于接收目标红外入射光，通过其内的多级次高反射干涉相干提取红外入射光中的谱红外光，并传送到面阵非制冷红外探测器，面阵非制冷红外探测器用于对谱红外光进行光电转换，以生成电响应信号。本发明具有结构紧凑，成像波谱响应迅速，可执行任意的波谱切入、凝视或跳转，谱成像探测效能高，易与其它光学/光电/机械结构耦合，以及环境适应性好等特点。