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公开(公告)号：CN103258710A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310177077.1
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01J37/32
Abstract: 大气等离子体成形电极加工碳化硅密封环类零件的方法，它属于等离子体加工碳化硅密封环类零件的技术领域。它是为了解决碳化硅密封环类零件的难加工问题。它的步骤一：将等离子体成形电极的上端面绝缘连接在工作轴上；步骤二：将待加工碳化硅密封环类零件装卡在地电极上；步骤三：使等离子体成形电极靠近待加工碳化硅密封环类零件的待加工表面；步骤四：预热射频电源和混合等离子体气源；步骤五：通入混合气体，启动射频电源；步骤六：用上述产生的大气等离子体对零件表面进行加工；步骤七、取出待加工碳化硅密封环类零件。本发明能对密封环类零件表面进行加工，加工效率高，精度高。
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公开(公告)号：CN103237406A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310177181.0
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05H1/30
Abstract: 一种带有保护气体大气等离子体发生装置，它属于等离子体加工光学零件的技术领域。它为了解决目前大气等离子体加工过程中存在的表面沉积问题。它的第一圆环形聚四氟乙烯定位套套接在中空管电极上部的外圆面上，地电极上部套接在第一圆环形聚四氟乙烯定位套的外圆面上，第二圆环形聚四氟乙烯定位套套接在射频线接头外表面上，第二圆环形聚四氟乙烯定位套穿过地电极侧面的孔后露出一段，射频线接头的另一端为射频电源的阳极接线端，带孔圆环形聚四氟乙烯定位套套接在中空管电极下部的外圆面上，中空管电极的下端设置在锥形喷嘴内部。本发明能在激发的大气等离子体周围形成保护层，防止大气等离子体中原子团与空气中杂质结合发生复合。
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公开(公告)号：CN103237404A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310177038.1
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 同轴放电模式的大气等离子体发生装置，它属于光学加工领域。它为了解决受电极与工作台间距离的限制，工件的厚度对等离子体的产生以及等离子体活性有直接影响的问题。它的内电极的上端镶嵌在圆环形聚四氟乙烯连接块的内孔的上端中，圆环形绝缘固定套套接在内电极中部，圆环形绝缘固定套外圆面的上部镶嵌在圆环形聚四氟乙烯连接块的内孔的下端处，圆管形陶瓷喷嘴的上端套接在圆环形绝缘固定套外圆面的下部上，使圆管形陶瓷喷嘴的内圆面与内电极的外圆面下部之间有一圈均匀的间隙，中空圆环形外电极的上端与圆环形聚四氟乙烯连接块的下端连接。本发明实现了非接触式的高效加工去除表面及亚表面损伤，层射流模式不受工件形状的影响，便于数控化加工。
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公开(公告)号：CN103231418A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310177067.8
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B26F3/06
Abstract: 模块化电极大气等离子体加工碳化硅密封环类零件的方法，它属于等离子体加工碳化硅密封环类零件的技术领域。它是为了解决碳化硅密封环类零件的难加工问题。它的步骤一：圆盘形电极架的面上设置有多个薄片形电极模块的安装孔；步骤二：待加工碳化硅密封环类零件装在地电极上；步骤三：薄片形电极模块的下端面都靠近待加工表面；步骤四：预热；步骤五：通入混合气体，启动射频电源；步骤六：控制薄片形电极模块的运动轨迹；步骤七、取出待加工碳化硅密封环类零件。本发明能对那些表面要求比较高的、加工难度比较大的、需要多个工序才能完成加工的密封环类零件表面进行先均匀的大去除、然后局部修琢的小去除、最后刻蚀微结构的高精度、高效率的加工。
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公开(公告)号：CN103227092A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310177059.3
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01J37/32
Abstract: 自由曲面微结构光学零件的大气等离子体加工方法，它属于等离子体加工大口径非球面光学零件的技术领域。它是为了解决高精度大口径非球面光学零件的加工效率和表面质量问题。它的步骤一：在五轴联动机床的绝缘工作架上安装有微孔径的等离子体炬；步骤二：将待加工光学零件装卡在地电极上；步骤三：使微孔径的等离子体炬的放电工作面靠近待加工表面；步骤四：预热射频电源和混合等离子体气源；步骤五：启动射频电源；步骤六：使微孔径的等离子体炬进行多自由度运动；步骤七：取出待加工光学零件。本发明采用微孔直径为0.2mm-1mm的微孔电极炬，其放电产生半高宽为0.5mm-2mm的高斯型去除函数，可加工空间周期≥1mm的无表面及亚表面损伤的微结构光学零件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103213172A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310177066.3
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B26F3/06
Abstract: 水电极大气等离子体加工大口径非球面光学零件的装置，它属于等离子体加工大口径非球面光学零件的技术领域。它是为了解决高精度大口径非球面光学零件的加工效率和表面质量问题。它的成形电极的上端面连接在工作架上；在待加工零件的下方设置的所有喷头喷出的水都喷射到待加工光学零件的下端面上，所有喷头喷出的水都接地；成形电极靠近待加工光学零件的待加工表面；放电间隙附近设置有出气管，出气管的进气端口与混合等离子体气源的出气端口导气连通。本发明采用直线式排列的水射流作为电极来进行等离子体加工，多条水射流可以保证在每条直线上的放电特性相同，避免放电不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN102744652A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210250993.9
申请日：2012-07-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B24B1/00
Abstract: 大面积平面光学零件加工装置及加工方法，它涉及一种平面光学零件加工装置及方法。本发明为解决现有的等离子体抛光装置成本高以及抛光方法效率低的问题。两个外电极与两个隔离板两两相对形成封闭结构，内电极位于两个外电极，两个外电极、两个隔离板和内电极之间形成两个等离子体产生腔室，所述氦气瓶、四氟化碳瓶和氧气瓶通过流量控制器与两个第一通孔连通；方法：向电极加冷却水；对流量控制器预热；通过流量控制器调节氦气和四氟化碳的气体流量；将待加工工件放置在工作台面的电极之上，使待加工工件逆时针旋转；对射频电源逐步增加功率；控制稳定的等离子体放电；关闭射频电源和阀门，取出待加工工件。本发明用于大面积平面光学零件加工。
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公开(公告)号：CN100462199C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200710072022.9
申请日：2007-04-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B24B1/00
Abstract: 常压等离子体抛光方法，它涉及一种抛光方法。本发明的目的是为解决常规的机械式研抛方法存在的不足及在碳化硅等硬脆性难加工材料的超光滑表面加工中存在的效率低、易产生表层及亚表层损伤、表面清洗困难等问题。本发明的方法主要是，等离子体气体与反应气体的体积比为4∶1～1000∶1；启动射频电源，逐步施加功率，控制反射功率为零，初始有效功率为180～240瓦，常用功率为400～1200瓦，最高功率可加至1500瓦。本发明可在常压下通过等离子体化学反应实现超光滑表面加工，不需要真空室，可降低设备成本并扩大其使用范围。加工效率是传统抛光方法的十倍，并且无表面损伤、无亚表层损伤、无表面污染，抛光工件的表面粗糙度小于1nmRa。
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公开(公告)号：CN101214626A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810063872.7
申请日：2008-01-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 薄壁微结构零件研抛装置，它涉及一种研抛装置。本发明解决了现有技术中微薄壁零件的变质层研抛主要由手工完成，效率低，而且成品率低，当大批量生产时，手工研抛无法满足要求的问题。下主轴套(3)固装在工作台(1)上的y轴电动工作台(1－2)上，上主轴套(2)固装在下主轴套(3)上，主轴(4)的一端置于上主轴套(2)与下主轴套(3)之间，主轴(4)的另一端与研抛头(5)固接，夹具(6)安装在工作台(1)的精密旋转台(1－4)上，电容传感器(7)安装在夹具(6)内。本发明提高了微薄壁零件变质层的研抛效率及成品率，具有无级调速、微量调整、显微测量、在线修正和接触感知的功能，可实现亚微米级的定位精度和毫牛级的力感知能力，从而可实现稳定可控的微米级材料去除。
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公开(公告)号：CN101116913A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710072782.X
申请日：2007-09-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种制备纳米晶镁合金粉末的方法，它涉及镁合金粉末的制备方法。它解决了现有机械方法制备粉末其球磨时间长、粉末易氧化、生产效率低，快速凝固方法制备粉末，由于受热力学条件的限制，仅有极少数合金成分特殊的镁合金可以获得纳米晶组织，对大多数镁合金而言，晶粒仅能细化到1～3μm的问题。本发明的方法为：一、将镁合金铸锭破碎成粗粉；二、将步骤一的粗粉料放入球磨罐中，抽真空并充入氢气；三、在充氢条件下进行机械球磨；四、将氢化态纳米晶镁合金粉末加热进行真空脱氢后，即可获得纳米晶镁合金粉末材料。本发明综合了氢处理和机械球磨方法，使细化晶粒效果显著，能快速得到纳米晶粒，还具有氢化态粉体热稳定好、组织均匀和不易氧化等优点。
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