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公开(公告)号：CN104752953B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201510107058.0
申请日：2015-03-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种GaAs基PHEMT垂直腔面发射激光器，该激光器由GaAs基PHEMT和VCSEL两部分组成，所述GaAs基PHEMT和所述VCSEL被腐蚀截止层InGaP隔开；所述GaAs基PHEMT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的第一缓冲层GaAs、十五个周期的Al0.22Ga0.78As/GaAs超晶格层、沟道下势垒层Al0.22Ga0.78As、沟道层In0.2Gao0.8As、空间隔离层Al0.22Ga0.78As、平面掺杂层、势垒层Al0.22Ga0.78As、N型高掺杂盖帽层GaAs构成；所述VCSEL由在腐蚀截止层InGaP上依次分子束外延生长的第二GaAs缓冲层、34.5对λ0/4光学厚度的Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As N型下分布布拉格反射镜层、Al0.2Ga0.8As/GaAs有源层、3对λ0/4光学厚度的Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As P型分布布拉格反射镜层、Al0.98Ga0.02As氧化限制层、21.5对λ0/4光学厚度的Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As P型上分布布拉格反射镜层、GaAs帽层。
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公开(公告)号：CN104377547B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201410665286.5
申请日：2014-11-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种GaN基HEMT和LD单片集成的直接调制半导体激光器结构及其生长过程，该结构由GaN基HEMT和LD两部分组成，所述GaN基HEMT和所述LD被隔离层隔开；所述LD由在GaN衬底上依次外延生长的AlGaN下包层、GaN下波导层、InGaN注入层、MQW有源层、AlGaN电子阻挡层、GaN上波导层、AlGaN上包层构成；所述隔离层在所述AlGaN上包层上外延生长而成；所述GaN基HEMT由在隔离层上依次外延生长的AlGaN非掺杂层、GaN非掺杂的通道层、AlN空间隔离层、AlGaN非掺杂势垒层构成。本发明将GaN基HEMT和LD集成在同一块衬底上，实现单片集成GaN基HEMT和LD直接调制半导体激光器。
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公开(公告)号：CN104898285B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201510260084.7
申请日：2015-05-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02B27/09
Abstract: 本发明公开了一种获取光场均匀化激光的装置，该装置包括：用于对激光进行相位调制的全息散光片和MEMS变形镜；所述全息散光片位于所述MEMS变形镜的上方，且与所述MEMS变形镜间隔预设距离；其中，激光光束照射全息散光片的第一面，穿透所述全息散光片之后进入所述MEMS变形镜，经由所述MEMS变形镜反射后再次从全息散光片的第二面进入所述全息散光片，从所述全息散光片的第一面出射消除激光光束中干涉现象的光场均匀化激光；所述全息散光片的第一面远离所述MEMS变形镜。本发明公开的装置，有效的实现了激光光场的均匀化。
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公开(公告)号：CN106772805A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611095316.9
申请日：2016-12-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种基于光纤耦合单管半导体激光器的传光束结构，所述传光束结构由至少一个光纤合束器、用于将光纤合束器进行封装和固定的封装结构和输出结构依次连接而成。所述光纤合束器由n根光纤熔融拉锥后形成一根光纤，包括光纤合束器主体、熔融拉锥区和合束光纤。所述输出结构包括套管和封装在套管中的多根光纤，所述光纤的数目与光纤合束器数目相等，每个光纤合束器对应一根光纤作为输出端。本发明利用一种光纤合束器将多个单管激光器发射的光进行合束，从而增大了单管半导体激光器的输出功率；传光束结构制作简单，使用方便，解决了单管半导体激光器输出功率小的问题。
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公开(公告)号：CN106653713A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611207836.4
申请日：2016-12-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/427 , F28D15/04
CPC classification number: H01L23/427 , F28D15/04 , F28D15/046
Abstract: 本发明提供一种自优化散热的双腔室热管，该热管包括主腔室、次腔室和双向蒸汽开关组，所述主腔室通过所述双向蒸汽开关组与所述次腔室连接。本申请通过两腔室之间的双向蒸汽开关组的开启与关闭，来调节两腔室的充液率和蒸汽压。通过调整所述次腔室外壁的电热装置的热功率，使蒸汽开关有不同的开关阈值。与普通热管相比，本申请提出的自优化散热的双腔室热管的优点在于，可以通过双腔室间的双向蒸汽开关组调整热管的充液率，使之与热源功率和热流密度相匹配，达到最佳散热效率。并且可以有效抑制热管内部蒸汽极限对毛细滤芯液体回流的影响。该热管制作简单，工艺重复性及可靠性良好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106324759A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610914942.X
申请日：2016-10-20
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: G02B6/262 , G02B6/245 , G02B6/2552 , H01S3/091
Abstract: 本发明公开了一种基于三包层光纤的(N+1)×1型侧面泵浦光纤耦合器，它由经过特定处理的N根多模泵浦光纤和三包层信号光纤组成。所述经过特定处理的N根多模泵浦光纤具有如下特点，每根光纤中间部分的涂覆层被剥除，并经过特定的拉锥处理，拉锥完成后将光纤在锥腰处截断，锥区长度和锥腰半径的大小满足低传输损耗条件；所述三包层信号光纤具有纤芯、第一内包层、第二内包层和外包层的特殊结构，可以有效的防止信号光的泄露。该器件在工作时，通过N根经过涂覆层剥除和拉锥处理的多模泵浦光纤和三包层信号光纤的有效贴合组成一种高耦合效率和低信号光插损的(N+1)×1型侧面泵浦耦合器。
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公开(公告)号：CN104815708B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201510107077.3
申请日：2015-03-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于AlGaN/GaN HEMT的生物表面微流道制备方法微流道工艺，该工艺包括以下步骤，使用MOCVD、PECVD等外延生长AlGaN/GaN HEMT的异质结材料结构；制作源漏金属形成欧姆接触；制备微流道；使用PECVD设备生长SiN钝化层。其中微流道制备方法使用双层胶工艺。实现快速的生物样品制备、反应、检测分析集成化。
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公开(公告)号：CN105514772A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510744734.5
申请日：2015-11-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种光纤激光高阶模式剥离器，光纤缠绕在玻璃棒上，光纤沿玻璃棒的螺距从光进入端到输出端由大变小。光纤沿玻璃棒采用固定胶水进行点状固定。用玻璃套管从外侧套住光纤，玻璃套管和玻璃棒之间的空隙涂有渐变折射率胶，渐变折射率胶沿玻璃棒的折射率从光进入端到输出端逐渐增大或阶梯性增大；玻璃棒、渐变折射率胶、玻璃套管、光纤组成样品；最后将制作好的样品放置于固定装置中并且两端用固定胶水封住。光纤高阶模式对弯曲更加敏感，包层光模式较高，而且弯曲光纤有利于使纤芯光高阶模式漏出，提高光束质量。
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公开(公告)号：CN105305225A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510744505.3
申请日：2015-11-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/024
Abstract: 本发明涉及半导体激光列阵技术领域，公开了一种半导体激光器冷却热沉装置，包括：依序设置的进水侧盖、进水层、导引层、回水层以及回水侧盖；其中，进水侧盖的外表面设置有进水孔，回水侧盖的外表面设置有出水孔；在进水侧盖、进水层以及导引层之间形成有减缓导热介质流速的缓流区；导引层中靠近半导体激光器的一侧设置有供导热介质从缓流区流入回水层的若干个通孔；在导引层、回水层以及回水侧盖之间还形成有供导热介质流出的出水通道。本发明提供的半导体激光器冷却热沉装置是3D打印一体成型的装置，避免了现有技术中由于各层焊接引入的热应力及热阻，也避免了装置内壁镀金材料脱落导致热沉堵塞，提高换热效率。
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