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公开(公告)号：CN109962405A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201910345575.X
申请日：2019-04-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种质子注入栅格VCSEL及其制备方法，属于半导体技术领域。所述的VCSEL包括一导电GaAs衬底、n型GaAs缓冲层、n型AlGaAs/AlAs的DBR、AlGaAs下限制层、多量子阱发光区、AlGaAs上限制层、一次外延p型AlGaAs/AlAs的DBR、质子注入栅格结构、二次外延p型AlGaAs/AlAs的DBR、p型GaAs欧姆接触层、n面电极和p面电极。所述的质子注入栅格结构包含3‑5对DBR厚度，既能提供有效的电流和增益限制，又能很好的控制质子注入深度；质子注入栅格宽度由中心向两边递减，整体光增益分布与单横模高斯分布相匹配，实现稳定地单横模激射。
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公开(公告)号：CN109935546A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910316243.9
申请日：2019-04-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/762 , H01L27/12 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/58
Abstract: 本发明公开一种SOI衬底的结构包括：第一Si片和第二Si片，采用热氧化的方法对第一Si片进行氧化，得到一层氧化层，对第一Si片的氧化层进行刻蚀，形成带有沟道的氧化层；然后对第二Si片片注入氢，将第一Si片a和第二Si片b进行键合，并减薄顶层第二Si片的厚度，形成SOI衬底。本发明还提供一种SOI衬底结构的制备方法。可以有效减小传统SOI衬底中固定正电荷产生的电场对外延生长的影响，并提高BOX埋层的热导率。
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公开(公告)号：CN105680318B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201610252446.2
申请日：2016-04-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/024
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种光纤传光束冷却装置。该光纤传光束冷却装置包括光纤传光束以及套设在所述光纤传光束的输出端上的冷却模块，所述冷却模块包括冷却模块外壳，所述冷却模块外壳设有从其前端面连通至后端面的输出端安装孔，所述输出端安装孔与所述光纤传光束的输出端相适配，在所述冷却模块外壳的壳体壁中设有若干冷却通道。该光纤传光束冷却装置通过所述冷却模块既可以起保护光纤传光束的输出端的作用，又可以防止激光能量溢出引起封装结构升温而影响单管半导体激光器的正常使用，具有使用寿命长，体积小，操作简单，成本低的优点。
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公开(公告)号：CN109443532A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811236212.4
申请日：2018-10-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种激光光场互相干系数测试装置，半导体激光器出射的光束经分束镜分成光束Ⅰ和光束Ⅱ，光束Ⅰ和光束Ⅱ经过合束镜后，光束Ⅰ反射出的部分光与光束Ⅱ透射出的部分光产生干涉叠加，通过调节第一全反射镜或第二全反射镜的位置来实现对激光光场不同坐标的叠加，从而获得不同的叠加光场信息；第一光强探测器用于记录光束Ⅰ的光强I1，第三光强探测器用于记录光束Ⅱ的光强I2，第二光强探测器用于记录光束Ⅰ反射出的部分光强I1′与光束Ⅱ透射出的部分光强I2′干涉叠加后的总光强I，根据 计算激光光场的互相干系数κ。本发明可计算出各个坐标组合下的相干系数，对改进半导体激光器的设计、提高光束质量有积极的影响。
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公开(公告)号：CN105278164B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201510785639.X
申请日：2015-11-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02F1/13357 , G02B6/00
Abstract: 蓝光LD多齿反射传导背光照明模组结构，将多齿反射系统的外侧面制成齿状并在非出光面镀有全反射膜层，用于反光。当蓝光LD发出去的光经过该多齿反光系统的时候，光线会反射到齿面上，从而光线会从该多齿反光系统的齿面相对面射出。在该相对面上均匀涂有混有红绿荧光粉的透明胶状物，因此光线从该面射出是会激发其上的荧光粉，混合输出白光。输出的白光进入背板，在背板中的导光板特殊作用下，水平入射的光线垂直从背板上均匀输出。进而达到背板照明的目的。本结构简单、体积小，重量轻，结构紧凑的LD背光照明模组结构，具有设备投资少，生产工艺简单，产品成品率高的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108878458A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810731790.9
申请日：2018-07-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了SOI基单片横向集成PHEMT和MOSFET的外延结构及制备方法，该外延结构由横向集成在同一SOI衬底上的多个GaAs基PHEMT和多个MOSFET构成；制备方法为：在SOI衬底基础上生长GaAs层，再在GaAs层上依次生长各层得到PHEMT，然后再经过图案化，在SOI衬底上形成PHEMT外延结构区和SOI表面Si层，在露出的SOI表面Si层区域，生长MOSFET结构；经过相应的外延和材料沉积工艺，可以达到单片横向集成SOI基PHEMT和MOSFET器件的目的。本发明可用于5G通讯中将功放器件和模拟器件实现单芯片集成。
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公开(公告)号：CN104795409B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201510106780.2
申请日：2015-03-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/144
Abstract: GaAs基PHEMT和长波长谐振腔单片集成光探测器，该结构由GaAs基PHEMT和RCE两部分组成，所述GaAs基PHEMT和RCE被腐蚀截止层InGaP隔开；所述腐蚀截止层InGaP在所述N型高掺杂盖帽层GaAs上分子束外延生长而成；所述RCE由在腐蚀截止层InGaP上依次分子束外延生长的25对λ0/4光学厚度的GaAs/AlAs DBR反射底镜、异变缓冲层/n接触层InAlGaAs、扩散阻挡层InAlGaAs、部分耗尽吸收层InGaAs、吸收层In0.5Ga0.5As、漂移增强层InAlGaAs、p接触层GaAs、八对GaAs/AlAs DBR反射顶镜。
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公开(公告)号：CN105244736B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201510802585.3
申请日：2015-11-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种用于千瓦级光纤激光器的泵浦耦合器，包括：泵浦光纤，主光纤和封装外壳；泵浦光纤连接在主光纤上，在泵浦光纤与主光纤的接入点处设置封装外壳；封装外壳包括外部铜管，导热铜管和导光玻璃层；外部铜管同轴设于导热铜管的外侧；外部铜管和导热铜管构成的腔体内穿有水管；导热铜管内壁上设有导光玻璃层；在导热铜管的端口处，导光玻璃层与主光纤之间设有光学胶层，将接入点密封在导热铜管的空腔内。本发明公开的泵浦耦合器可用于千瓦级光纤激光器中，其制作难度小，生产成本低；同时能够在千瓦级光纤激光器中长时间稳定地工作，尤其适用于工厂全天不间断生产的环境。
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公开(公告)号：CN108098148A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711459674.8
申请日：2017-12-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种激光清洗装置，该装置包括：脉冲激光源、隔离器、传能光纤和输出结构；所述脉冲激光源通过传能光纤与所述输出结构相连，所述传能光纤用于将所述脉冲激光源产生的激光传输至所述输出结构，所述输出结构用于对激光进行准直扩束处理并输出，所述隔离器封装在所述脉冲激光源的内部。本发明提供的一种激光清洗装置，通过将隔离器设置在脉冲激光源的内部，而不是设置在输出结构的内部，既保证可保证激光的正常传输效率，同时可减少输出结构的体积和重量，使输出结构结构小巧，便于使用。
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公开(公告)号：CN108010932A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711228627.2
申请日：2017-11-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种全色堆栈式外延的Micro-LED阵列制备方法，属于半导体技术领域。堆栈式红、蓝、绿三色发光单元以三列为一周期，其外延结构自下而上在同一导电衬底上堆栈式外延红、绿、蓝三种发光单元作为发光单元，之后再利用掩膜和湿法刻蚀技术制成红、蓝、绿三种发光单元。所述微隔离结构，利用沉积、掩膜、刻蚀技术在所述导电衬底上制备SiO2或者SiNx栅格状微隔离结构，栅格中裸露出所述导电衬底，作为发光单元的外延窗口。
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