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公开(公告)号：CN114496928A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011254333.9
申请日：2020-11-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/8242
Abstract: 本发明涉及一种电容器孔和DRAM的制造方法，属于半导体技术领域，解决了如何通过SLP1/SLP2缩减孔的临界尺寸的问题。该方法包括：在半导体衬底上方顺序形成待刻蚀层、第一硬掩模层、第一转移图案层和第一光刻胶图案；将第一光刻胶图案转移至第一转移图案层；沉积第一侧墙材料层并刻蚀为第一侧墙图案；将第一侧墙图案转移至第一硬掩模层；去除第一侧墙图案的凸起并在第一硬掩模层图案上方顺序形成第二硬掩模层、第二转移图案层和第二光刻胶图案；以类似方式形成第二硬掩模层图案；第一硬掩模图案和第二硬掩模图案反相为第三硬掩模图案；以第三掩模层图案为掩模，对待刻蚀层进行刻蚀以形成电容器孔。通过控制侧墙材料层的厚度来缩减孔的临界尺寸。
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公开(公告)号：CN114446888A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202011219639.0
申请日：2020-11-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 本发明涉及一种电容器孔制造方法及DRAM制造方法，属于半导体技术领域，解决沟槽侧壁弯曲和顶部掩模腐蚀造成的顶部关键尺寸增加的问题。该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上方顺序形成刻蚀停止层和待刻蚀层；刻蚀第三支撑层并过刻蚀第二模制层，以形成第一沟槽；通过沉积工艺在第一沟槽上方形成侧墙材料层；对第一沟槽的底面处的侧墙材料进行开口刻蚀，其中，通过剩余的侧墙材料限定电容器孔的尺寸；以顶部覆盖的侧墙材料层为掩模，对第一沟槽的底部的第二支撑层、第一模制层和第一支撑层进行刻蚀，直到刻蚀停止层停止。通过侧墙材料防止侧壁弯曲和顶部掩模腐蚀，从而避免顶部关键尺寸增加。
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公开(公告)号：CN114388504A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011142248.3
申请日：2020-10-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体装置及其制备方法，包括：半导体衬底；电容接触插塞，形成在所述半导体衬底上；电容器，形成于所述电容接触插塞上，包括下电极、电容介质层以及上电极，所述下电极与所述电容接触插塞连接，其中，使用大马士革镶嵌工艺将所述下电极堆叠形成在所述电容介质层内，简化了电容器的制作工艺，提高了半导体器件的集成度。
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公开(公告)号：CN114199193A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010987012.3
申请日：2020-09-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G01C9/00 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明涉及一种倾斜检测装置、方法和机械臂系统，属于测量技术领域，解决了现有在晶圆持续性的移动时，发现承载结构问题的时机点通常都是在晶圆损坏以及刮伤或工艺不良(边缘低良率)发生后的问题。倾斜检测装置包括：待测对象，放置在机械臂承载结构上；激光光纤传感器，包括第一激光光纤传感器和第二激光光纤传感器，以中心对称的方式分别设置在机械臂承载结构和机械臂臂部之间的阻挡件的两端处，其中，用于在待测对象移动过程中，以平行方式朝向待测对象分别发射激光束并相应地接收从待测对象反射的反射光，以根据反射光判断待测对象是否倾斜。能够检测倾斜，以避免由于倾斜造成的晶圆刮伤和损坏，提升了良率。
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公开(公告)号：CN114192440A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010986949.9
申请日：2020-09-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请公开了一种不合格晶圆的检出装置及检出方法、晶圆制造设备，属于半导体制造技术领域，用以解决现有技术中晶圆检测量大、时间长、工艺和装置复杂的问题。上述检出装置包括光源、光电传感器和控制器，光源和光电传感器位于待检晶圆的同侧。上述检测方法为打开光源；光源发出的光线经过待检晶圆表面反射后射入光电传感器，光电传感器将反射光信号转化为电模拟信号；控制器接收光电传感器发送的电模拟信号并转换为电数据；将电数据与电参考数据进行比较，电数据在电参考数据范围内，则判断待检晶圆合格，电数据不在电参考数据范围内，则判断待检晶圆不合格。本申请的检出装置及检出方法、晶圆制造设备可用于不合格晶圆的检出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114093833A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202010751260.8
申请日：2020-07-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/535 , H01L27/108 , H01L21/027 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及一种接触孔及DRAM的制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有光刻工艺的临界尺寸导致接触孔的相关尺寸被限制的问题。该制造方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成器件层；在器件层上由下至上顺序形成底部硬掩模层、第二掩模层和第一掩模层；将第二掩模层形成为第一图案和第二图案组成的组合图案；将第二掩模层图案转移为侧墙图案，并去除第二掩模层图案；将侧墙图案转移到底部硬掩模层上以形成底部硬掩模层图案；以及以底部硬掩模层图案为掩模刻蚀器件层以形成接触孔图案。侧墙转移技术与淀积薄膜厚度相关，使侧墙转移技术尺寸不受光刻条件限制。
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公开(公告)号：CN114023745A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111274063.2
申请日：2021-10-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/115 , H01L27/11556 , H01L27/11529 , H01L27/11582 , H01L27/11573 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开一种半导体结构及其制备方法、三维存储器，涉及三维存储器件技术领域技术领域，用于提供一种可以减少光刻次数且台阶侧壁形貌较佳的台阶结构的技术方案。半导体结构的制备方法包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上依次形成层叠设置的N个堆叠结构；对所述N个堆叠结构依次进行m次光刻和刻蚀，得到具有N个台阶的目标台阶结构；其中，N大于m，所述N与m满足预设关系。半导体结构，根据上述的半导体结构的制备方法制备。三维存储器，包括上述半导体结构。
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公开(公告)号：CN113972163A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202010719944.X
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/8242
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的隔离的形成方法，所述方法包括：提供衬底，该衬底包括第一区域和第二区域；在衬底上形成图案化的硬掩膜层；以图案化的硬掩膜层为掩膜对衬底进行第一次刻蚀，在第一区域形成若干第一沟槽，在第二区域形成若干第二沟槽，第一沟槽的宽度小于第二沟槽的宽度，第一沟槽的深度小于第二沟槽的深度；在图案化的硬掩膜层的上表面及第一沟槽和第二沟槽各自的底面和侧壁形成牺牲层；以牺牲层为掩膜，沿第一沟槽对衬底进行第二次刻蚀，直至第一沟槽的深度与第二沟槽的深度基本相同；去除残留的牺牲层。本发明能够减轻硅刻蚀负载效应。
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公开(公告)号：CN113948438A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202010695883.8
申请日：2020-07-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘、蚀刻半导体设备及晶片的安装方法，其中，静电卡盘，包括：卡盘本体和限位环；限位环用于承托晶片；限位环的表面设置有连接部，连接部用于通过与移动件连接带动限位环和晶片移动，以将晶片安装在卡盘本体上；在晶片安装在卡盘本体上的情况下，限位环套接在卡盘本体的外围周侧。本发明能够延长静电卡盘的使用寿命。
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公开(公告)号：CN113948359A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202010695475.2
申请日：2020-07-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种静电吸盘，所述静电吸盘包括：一电介质层，该电介质层中设置有正电极和负电极，所述静电吸盘还包括供电系统，该供电系统包括基本电压源、基本电压控制器以及自偏压传感器，其中，基本电压源连接于正电极和负电极之间，用于供应正电极和负电极各自需要的电荷；自偏压传感器用于对自偏压进行检测，自偏压为静电吸盘所吸附的晶圆的表面在等离子体环境下形成的负的电压；基本电压控制器用于根据自偏压的值对基本电压源的输出电压进行控制，以使自偏压与静电吸盘的正电极电压之间的电压差无法形成电弧。本发明能够防止静电吸盘出现拉弧。
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