一种提高SNSPD系统抗电干扰能力的方法及装置

    公开(公告)号:CN103245424A

    公开(公告)日:2013-08-14

    申请号:CN201210024730.6

    申请日:2012-02-03

    Abstract: 本发明提供一种提高SNSPD系统抗电干扰能力的方法及装置,所述SNSPD系统包括SNSPD器件和偏置树;所述偏置树具有DC端口、DC&RF端口、RF端口;所述偏置树的DC&RF端口与SNSPD器件的一端相连,SNSPD器件的另一端接地;所述提高SNSPD系统抗电干扰能力的方法为:在所述DC端口与SNSPD器件的接地端之间连接一电阻。本发明操作简单,不改变器件结构,不需要增加滤波电路或屏蔽,仅需并联适当阻值的电阻就能提高系统抗电干扰能力,成本低;不改变探测电脉冲信号的形状、幅度与宽度;不会形成反射脉冲从而影响器件性能;不影响探测系统的暗计数率及量子效率。

    纳米尺寸超导热电子测辐射热仪的制备方法

    公开(公告)号:CN101476940A

    公开(公告)日:2009-07-08

    申请号:CN200910045670.4

    申请日:2009-01-21

    Inventor: 尤立星 杨晓燕

    Abstract: 本发明公开了一种纳米尺寸超导热电子测辐射热仪(SHEB)制备方法,包括以下步骤:(1)超薄超导薄膜准备;(2)电极制作;(3)广义微桥形成;(4)纳米尺寸桥区形成。其特征是:在(4)中,采用原子力显微镜纳米刻蚀方法构造纳米尺寸桥区。本发明的优点是:采用原子力显微镜纳米刻蚀方法可以实现纳米尺寸的微桥。其桥区长度由AFM纳米刻蚀所形成的纳米线条的宽度所决定。而纳米线条的宽度由AFM针尖电压、周围环境的湿度、温度以及电场作用时间等参数所控制。该方法可以减小SHEB的有效尺寸,适用于各种不同纳米尺寸的SHEB制备。

    一种低温测试装置
    144.
    实用新型

    公开(公告)号:CN218630032U

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202222895749.X

    申请日:2022-11-01

    Abstract: 本实用新型涉及一种低温测试装置,包括样品盒、测试杆和转接盒,所述测试杆的两端分别与所述样品盒和所述转接盒可拆卸连接,所述测试杆内部中空且与所述样品盒和所述转接盒的内部连通,所述测试杆内设置有柔性传输线缆,所述柔性传输线缆集成有多个传输通道,所述样品盒设置为容纳待测试样品,所述转接盒内设置有转接头,所述转接头设置为与测试仪器电连接,所述柔性传输线缆的两端分别与所述待测试样品和所述转接头电连接,以使所述待测试样品与所述测试仪器电连接。本实用新型的低温测试装置,采用柔性传输线缆集成多个传输通道,体积小,装配方便;且由于其漏热低,液氦消耗小,成本低,测试效率更高。

    背面光耦合超导纳米线单光子探测器件及测试装置

    公开(公告)号:CN210719422U

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201921922748.1

    申请日:2019-11-08

    Abstract: 本实用新型提供一种背面光耦合超导纳米线单光子探测器件及测试装置,背面光耦合超导纳米线单光子探测器件包括器件光敏区域及定位环。测试装置包括封装件及套管,背面光耦合超导纳米线单光子探测器件固定于封装件中,并通过套管与封装件及光纤插头的连接,使得光纤插头的中心与背面光耦合超导纳米线单光子探测器件的中心位于同一垂线上。本实用新型制备具有特殊形貌的背面光耦合超导纳米线单光子探测器件并与测试装置配合应用,实现高稳定性的自对准光耦合;且利用μm级的标记刻度尺,结合光学显微镜可以直接量化对光误差,使得对光误差控制在μm量级。

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