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公开(公告)号：CN102046543A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980121185.9
申请日：2009-05-06
Applicant: 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司
IPC: C03B19/09
CPC classification number: C30B15/10 , C03B19/095 , C30B35/002
Abstract: 本发明源于一种用于生产石英玻璃坩埚的方法，其中在包含轻气体的气氛中，在等离子体的作用下使旋转的熔模(1)中的SiO2内层颗粒玻璃化以获得透明的内层，熔模(1)至少部分地被隔热罩(2)覆盖，至少部分轻气体通过隔热罩的进气口(8，9)供给到熔模(1)中。为了在特别低的气泡含量以及在能量和材料方面最小的消耗的情况下形成内层，提出了在玻璃化步骤之前的层形成步骤中，使内壁上形成SiO2内层颗粒的颗粒层(14)，并且其中等离子体区域(13)和隔热罩(2)与进气口(8，9)一起至少可在垂直于旋转轴线的方向上移动，并且在玻璃化步骤期间在颗粒层(14)的方向上横向移动，从而使颗粒层(14)玻璃化。
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公开(公告)号：CN102031558A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010503569.1
申请日：2010-09-30
Applicant: 日本超精石英株式会社
CPC classification number: C03B19/095 , C30B15/10 , Y02P40/57
Abstract: 本发明提供二氧化硅玻璃坩埚的制造装置以及制造方法，可以进行正确的烟尘产生量的测量，从而能防止内表面的特性的降低，同时也能实时地进行原料熔融状态的控制。上述装置用于制造二氧化硅玻璃坩埚50，即，将二氧化硅粉放入模具10内并形成二氧化硅粉层，对该二氧化硅粉层11进行电弧放电将其加热熔化，以此制造二氧化硅玻璃坩埚50，该装置包括：规定二氧化硅玻璃坩埚的外形的模具10；具备多个碳电极13以及电力供给单元40的电弧放电单元；检测在模具10内产生的烟尘80的量的烟尘量测量部30。
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公开(公告)号：CN101983262A
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200980112152.8
申请日：2009-03-23
Applicant: 日本超精石英株式会社
CPC classification number: C30B15/10 , C03B19/095 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明提供一种石英玻璃坩埚及其制造方法，该石英玻璃坩埚用于硅单晶的提拉中，内面层的均质性优异，且内面层的气泡含有率较低。在硅单晶的提拉中所使用的石英玻璃坩埚的制造方法中，当由合成石英粉形成内面层30时，由具有比形成该内面层30的内侧部分31的第1合成石英粉小的平均粒度的第2合成石英粉形成该内面层30的表面侧部分32。相对于形成内面层30的内侧部分31的第1合成石英粉的平均粒径，形成该内面层30的表面侧部分32的第2合成石英粉的平均粒径小10μm以上。
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公开(公告)号：CN101570391B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200910141938.4
申请日：2009-06-10
Applicant: 余姚市晶英电弧坩埚有限公司
CPC classification number: C03B19/095
Abstract: 本发明涉及坩埚制造领域，是一种真空加涂层生产电弧石英坩埚的工艺，设备，及其产品。解决了现有技术坩埚制造工艺无法解决石英坩埚长时间，高温度，高纯度的使用要求问题，且存在无法在真空状态下喷涂均匀形成均匀的高纯石英层，无法准确及时分层喷涂等问题，提供一种真空加涂层生产电弧石英坩埚的工艺及设备：将石英砂倒入真空模具内刮出预制的形状，进入熔制室，开启真空泵，控制温度在开始熔制，预热，通过控制双斗加料机的两个料斗，先将把高纯的石英砂涂料喷涂到正在融化的石英坩埚内，然后喷涂混合喷涂料，保持温度时关闭真空泵。通过本发明工艺和设备生产的石英坩埚在高温下、长时间的抗变形能力强，耐损耗性强，可以长时间使用。
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公开(公告)号：CN101724888A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910003378.6
申请日：2009-01-22
Applicant: 日本超精石英株式会社
CPC classification number: C03B19/095
Abstract: 本发明提供不进行内表面的全面磨削处理即可减少透明层中气泡量的硅单晶提拉用石英玻璃坩埚的新型制造方法。该方法包括下述步骤：通过对由石英原料粉形成的坩埚形状成型体从内表面向外表面方向减压、并使上述坩埚形状成型体旋转的同时进行电弧熔融形成内表面侧为透明层、外表面侧为起泡层的石英玻璃坩埚的步骤；底部方向移动步骤，即利用电弧熔融使石英玻璃坩埚的壁部内表面再熔，使存在于上述壁部内表面的透明层中的气泡向上述壁部内表面的底部方向移动的步骤；以及，外周方向移动步骤，即利用电弧熔融使石英玻璃坩埚的底部内表面再熔，使存在于上述底部内表面的透明层中的气泡向上述底部内表面的外周方向移动的步骤。通过本发明的制造方法，可得到在壁部内表面和底部内表面形成的透明层的角落处积聚气泡的石英玻璃坩埚。不论是先实施底部方向移动步骤还是外周方向移动步骤都可以。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101724887A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910003377.1
申请日：2009-01-22
Applicant: 日本超精石英株式会社
CPC classification number: C30B15/10 , C03B19/095 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明提供一种石英玻璃坩埚，其即使在制造(提拉)大型化的硅单晶时，也可抑制熔融硅的局部温度偏差，制造(提拉)均匀的硅单晶。硅单晶提拉用石英玻璃坩埚，其从坩埚内表面侧至外表面侧至少具有透明层、半透明层和不透明层，其中，透明层气泡含有率小于0.3％，半透明层气泡含有率为0.3％～0.6％的范围，不透明层气泡含有率大于0.6％。
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公开(公告)号：CN101613174A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910142295.5
申请日：2009-06-29
Applicant: 日本特级石英株式会社
Inventor： 志满津敦
IPC: C03B20/00
CPC classification number: C03B19/095
Abstract: 本发明提供一种用于制造石英坩埚且在内部具备供冷却水流动的间隙的水冷式模具，其包括由导热金属或合金材料制成的外部模具部分和紧密地排列在所述外部模具部分的内表面上且由耐热材料制成的内部模具部分。
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公开(公告)号：CN101570392A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910203929.3
申请日：2009-04-30
Applicant: 日本超精石英株式会社
Inventor： 藤田刚司
CPC classification number: C03B19/095
Abstract: 本发明提供一种坩埚升降装置及坩埚取出方法，能容易地从铸模中取出石英玻璃坩埚等。该坩埚升降装置的特征在于，包括：紧密贴合在坩埚的开口部的盖部件；对由该盖部件密封的坩埚的内部空间进行减压的机构；以及所述盖部件的上下运动机构；与坩埚升降装置将内部空间被减压了的坩埚与盖部件一体地提升。该坩埚升降装置例如具有支架、由升降装置连接的盖部件、穿过该盖部件在坩埚内部空间开口的吸引管以及连接到该吸引管的减压装置；该升降装置具有自该支架上端的梁部进行上下运动的机构。该坩埚取出方法例如为使用该装置取出坩埚的方法。
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公开(公告)号：CN100374627C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200410032342.8
申请日：2004-04-02
Applicant: 日本超精石英株式会社
IPC: C30B15/10 , C03C3/06 , C03B5/02 , C01B33/113
CPC classification number: C03C3/06 , C03B19/095 , C03B2201/03 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y10S117/90 , Y10T117/1032 , Y10T117/1052
Abstract: 本发明提供了一种内部杂质浓度较低的高纯度石英坩埚及其制造方法。通过高纯度石英玻璃坩埚的制造方法制造出这样一种坩埚：从内侧表面开始1mm深度以内所含的Na和Li每一种的含量至少小于0.05ppm，其中，在通过电弧等离子体加热位于中空的旋转模具内表面上的原料石英粉来制造石英坩埚时，通过在模具和电弧极之间施加电压、以便将熔融石英玻璃层内含有的杂质金属迁移到外侧，来提高熔融石英粉层的纯度。该方法包括：在电弧熔解过程中将电弧极的电位保持在±500V范围内，向与地绝缘的模具施加-1000V到-20000V的电压，向外侧的未熔石英粉层施加高压。
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公开(公告)号：CN1214135C
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN99800258.5
申请日：1999-01-25
Applicant: MEMC电子材料有限公司
Inventor： J·D·霍尔德
CPC classification number: C30B35/002 , C03B19/095 , C30B15/10 , Y02P40/57 , Y10T117/1024 , Y10T117/1052
Abstract: 本发明公开了一种用于制备基本上没有晶体空隙缺陷的单晶硅的石英坩埚。该坩埚是通过在含有低于约0.5%不溶气体如氩气的气氛中，将石英粉导入旋转模具中而制得的。石英粉以沿模具内表面汇集，而后加热以熔化该石英粉由此形成坩埚。在所形成的坩埚中，包含在气泡中的气体含有低于约0.5%不溶气体。
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