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公开(公告)号:CN112447130A
公开(公告)日:2021-03-05
申请号:CN202011381869.7
申请日:2010-09-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/30 , G09G3/3225 , G09G3/3266 , H01L27/32
Abstract: 本发明涉及显示装置和包括显示装置的电子设备。本发明的一个目的在于提供具有减少的功耗的显示装置以及提供具有减少的功耗且在暗处能够长时间地使用的自发光型显示装置。利用薄膜晶体管形成电路,在该薄膜晶体管中使用了高度纯净化的氧化物半导体,并且像素能够保持一定的状态(视频信号已被写入的状态)。因此,即使在显示静止图像的情况下,也能容易地执行稳定的操作。此外,可以延长驱动器电路的操作间隔,这使得显示装置的功耗降低。而且,在自发光型显示装置的像素部分中使用蓄光材料以存储光,由此能够在暗处较长时间地使用该显示装置。
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公开(公告)号:CN111933668A
公开(公告)日:2020-11-13
申请号:CN202010806455.8
申请日:2015-12-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32 , H01L27/12 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/786 , H05B45/10 , H05B45/30 , G09G3/3233
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。本发明的一个方式的目的之一是抑制因环境温度变化所引起的流过发光元件的电流的变动而产生的亮度不均匀。利用监控电路控制流过像素部所包括的第一发光元件的电流。监控电路包括第二发光元件、晶体管、电阻器以及放大电路。第二发光元件的阳极与晶体管的源极连接。第二发光元件的阴极与电阻器及放大电路的第一输入端子连接。放大电路的第二输入端子与第二电源线连接。放大电路的输出端子与晶体管的栅极连接。晶体管的漏极与第三电源线连接。晶体管和电阻器都包括氧化物半导体膜。
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公开(公告)号:CN105849796B
公开(公告)日:2020-02-07
申请号:CN201480069840.1
申请日:2014-12-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种能够抑制像素之间的亮度的不均匀的发光装置。发光装置包括像素、第一电路及第二电路。第一电路具有生成包含从像素取出的电流值的信号的功能,第二电路具有根据信号校正图像信号的功能。像素至少包括至少一个发光元件、第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有根据图像信号控制对发光元件的电流供应的功能。第二晶体管具有控制从像素取出电流的功能。第一晶体管及第二晶体管的每一个的半导体膜包括:与栅极重叠的第一半导体区域;与源极或漏极接触的第二半导体区域;以及第一半导体区域和第二半导体区域之间的第三半导体区域。
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公开(公告)号:CN104103321B
公开(公告)日:2020-01-21
申请号:CN201410136414.7
申请日:2014-04-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的课题之一是通过栅极驱动器的布局设计缩短显示装置的边框宽度。将两个栅极驱动器设置在像素部的左右侧。栅极线按每M行交替地连接于左右侧的栅极驱动器。两个栅极驱动器包括由单一导电型的晶体管构成的移位寄存器和多路分配器。移位寄存器包括级联连接的k个第一单元电路。多路分配器包括从第一单元电路输入信号且连接于M条栅极线的k个第二单元电路。第二单元电路从M条栅极线中选择一条或多条输出来自第一单元电路的输入信号的布线,并对所选的布线输出来自第一单元电路的信号。由于可以从1级的移位寄存器对M条栅极线输出栅极信号,因此可以缩短移位寄存器的宽度。
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公开(公告)号:CN110544436A
公开(公告)日:2019-12-06
申请号:CN201910839607.1
申请日:2015-09-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G09F9/302 , G09F9/33 , G02F1/1362 , G02F1/1343 , G02F1/1333 , H01L27/32
Abstract: 本发明提供一种具有极高的分辨率、高显示质量、高开口率的显示装置。像素包括三个子像素,且与两个栅极线电连接。栅极线中的一个与两个子像素各自所具有的晶体管的栅极电连接,另一个栅极线与其他子像素所具有的晶体管的栅极电连接。三个子像素的各显示元件在相同方向上排列。三个子像素的三个像素电极在相同方向上排列。
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公开(公告)号:CN103852943B
公开(公告)日:2019-07-02
申请号:CN201310613100.7
申请日:2013-11-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor: 三宅博之
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F2001/134372 , G09G3/3614 , G09G3/3655 , G09G2300/0876
Abstract: 本发明的目的之一是制造一种防止闪烁发生的液晶显示装置。该液晶显示装置中的多个像素中分别包括:晶体管;通过晶体管交替地被供应具有相反的极性的第一信号及第二信号的液晶元件;以及具有第一电极及第二电极的电容元件,液晶元件包括:具有隔着绝缘膜重叠的区域的像素电极及公共电极;以及像素电极及公共电极上的液晶层,公共电极在多个像素间电连接,电容元件所包括的第一电极电连接到像素电极,在对液晶元件供应第一信号之后直到液晶元件被供应第二信号为止的时间内,使第二电极的电位在高度不同的第一电位与第二电位之间变化,以使施加到液晶层的电压变化减小。
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公开(公告)号:CN105390110B
公开(公告)日:2019-04-30
申请号:CN201510906424.9
申请日:2010-11-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/36
Abstract: 本发明涉及显示设备及其驱动方法。液晶显示设备包括:设置有端子部分、开关晶体管、驱动电路部分、以及包括像素晶体管的像素电路部分的第一基板;设置有经由开关晶体管电连接到端子部分的公共电极的第二基板;以及像素电极和公共电极之间的液晶。在静止图像切换到活动图像的周期中,按顺序执行以下步骤:将公共电位(端子206A的电位)供应到公共电极的第一步骤;将电源电压(Vdd)供应到驱动电路部分的第二步骤;将时钟信号(GCK)供应到驱动电路部分的第三步骤;以及将起动脉冲信号(GSP)供应到驱动电路部分的第四步骤。
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公开(公告)号:CN103855170B
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201310625431.2
申请日:2013-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种新颖的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置,包括:像素部;设置在像素部的外侧的驱动电路部;以及与像素部和驱动电路部中的一方或双方连接且包括一对电极的保护电路,其中,像素部包括配置为矩阵状的像素电极和与像素电极电连接的晶体管,晶体管包括包含氮和硅的第一绝缘层和包含氧、氮和硅的第二绝缘层,并且,保护电路在一对电极之间具有第一绝缘层。
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公开(公告)号:CN107731931A
公开(公告)日:2018-02-23
申请号:CN201710967394.1
申请日:2010-09-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L27/32 , G09G3/20 , G09G3/3208 , G09G3/3233
CPC classification number: G09G3/3208 , G09G3/2003 , G09G3/3233 , G09G2330/021 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/78609 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及显示装置和包括显示装置的电子设备。本发明的一个目的在于提供具有减少的功耗的显示装置以及提供具有减少的功耗且在暗处能够长时间地使用的自发光型显示装置。利用薄膜晶体管形成电路,在该薄膜晶体管中使用了高度纯净化的氧化物半导体,并且像素能够保持一定的状态(视频信号已被写入的状态)。因此,即使在显示静止图像的情况下,也能容易地执行稳定的操作。此外,可以延长驱动器电路的操作间隔,这使得显示装置的功耗降低。而且,在自发光型显示装置的像素部分中使用蓄光材料以存储光,由此能够在暗处较长时间地使用该显示装置。
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公开(公告)号:CN107209429A
公开(公告)日:2017-09-26
申请号:CN201680009371.3
申请日:2016-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1343 , G02F1/133602 , G02F1/136286 , G02F2001/13606 , G09F9/30 , G09G3/3648 , G09G2300/0439 , H01L29/786
Abstract: 本发明的目的是提供可以降低布线之间的寄生电容的显示装置、显示品质高的显示装置以及可以降低功耗的显示装置。本发明的显示装置包括:信号线121;扫描线103;第一电极123;第二电极125a;第三电极125b;第一像素电极139a;第二像素电极139b;以及半导体膜135,其中,信号线与扫描线交叉,第一电极与信号线电连接,第一电极包括与扫描线重叠的区域,第二电极与第一电极对置,第三电极与第一电极对置,第一像素电极与第二电极电连接,第二像素电极与第三电极电连接,半导体膜与第一电极、第二电极及第三电极接触,并且,半导体膜设置在扫描线与第一电极至第三电极之间。
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