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公开(公告)号：CN1373912A
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：CN00812862.6
申请日：2000-09-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M8/0273 , H01M8/0204 , H01M8/0206 , H01M8/0223 , H01M8/0228 , H01M8/0258 , H01M8/0276 , H01M8/0284 , H01M8/241 , H01M8/2457 , H01M8/2483 , H01M2300/0082
Abstract: 本发明的高分子电解质型燃料电池的隔板具有向其电极供给氧化剂气体或燃料气体的气体通道,由金属板和形成于该金属板表面的导电性薄膜所构成。金属板和前述导电性薄膜之间具有因导电性薄膜材料扩散而形成的扩散层。该燃料电池即使长时间使用,金属板也不会产生腐蚀和溶解,且输出功率稳定。
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公开(公告)号：CN107848835A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680042083.8
申请日：2016-07-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B29/38 , B01J23/20 , B01J27/24 , B01J37/348 , C01B21/0821 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2006/40 , C23C14/0036 , C23C14/0676 , C30B25/06 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02521 , H01L21/02565 , H01L21/02609 , H01L21/02631 , H01L31/032 , H01L31/036 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种具有锐钛矿型晶体结构、由化学式NbON表示的锐钛矿型铌氧氮化物。并且，本发明还提供一种半导体结构体(100)，其包含：至少一个主面由具有钙钛矿型晶体结构的钙钛矿型化合物形成的基板(110)、和在基板(110)的所述一个主面上生长的具有锐钛矿型晶体结构、由化学式NbON表示的铌氧氮化物(例如锐钛矿型铌氧氮化物膜(120))。
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公开(公告)号：CN107848834A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680042055.6
申请日：2016-07-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C30B29/38 , C01B21/0821 , C01G33/00 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C01P2006/40 , C23C14/0021 , C23C14/024 , C23C14/0676 , C23C14/28 , C30B25/105 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/02433 , H01L21/02521 , H01L21/02565 , H01L21/02609 , H01L21/02631 , H01L31/032 , H01L31/036 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种具有金红石型晶体结构、由化学式NbON表示的金红石型铌氧氮化物。并且，本发明还提供一种半导体结构体(100)，其包含：至少一个主面由具有金红石型晶体结构的金红石型化合物形成的基板(110)、和在基板(110)的所述一个主面上生长的具有金红石型晶体结构、由化学式NbON表示的铌氧氮化物(例如金红石型铌氧氮化物膜(120))。
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公开(公告)号：CN107663624A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710545932.8
申请日：2017-07-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B1/003 , C23C14/0036 , C23C14/0676 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , C23C14/3457 , C25B1/04 , C25B9/06 , C25B11/0405 , C25B11/0415 , C25B11/0447 , Y02E60/364 , Y02E60/366 , C23C14/34
Abstract: 提供载流子密度小的SrNbO2N。本发明涉及使锶铌氮氧化物膜生长的方法，该方法具备采用溅射法在钛酸锶基板上使载流子密度为1×1018cm-3以下的所述锶铌氮氧化物膜生长的工序。
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公开(公告)号：CN107523841A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710372598.0
申请日：2017-05-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B1/003 , C25B1/10 , C25D11/00 , H01M8/0656 , Y02E60/368 , C25B1/04 , C25B11/0478
Abstract: 提供具有高的水分解效率的水分解用电极。本发明是制造用于利用光来分解水的具备助催化剂层的电极的方法，该方法具备以下工序：工序(a)：在基板的导电性的主面上形成含有选自含铌的氮氧化物和含铌的氮化物之中的至少任一种的催化剂层；工序(b)：在含有氧化性气体杂质的稀有气体气氛中，在所述催化剂层上形成过渡金属氧化物层，得到具备所述基板、所述催化剂层和所述过渡金属氧化物层的层叠体；工序(c)：将所述层叠体浸渍于电解质水溶液中；和工序(d)：在所述电解质水溶液中对所述层叠体施加正电位，使所述过渡金属氧化物层变成所述助催化剂层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103153868B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201280003145.6
申请日：2012-08-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C01G33/00 , B01J27/24 , B01J35/02 , B01J37/02 , B01J37/10 , C01B3/04 , H01M8/06 , C23C16/40 , H01M8/10
CPC classification number: C25B11/0447 , B01J35/004 , C01B13/0207 , C23C16/308 , C23C16/405 , C25B1/003 , C25B1/04 , C25B9/00 , H01M8/0656 , Y02E60/364 , Y02E60/368 , Y02E60/50
Abstract: 本发明的NbON膜是利用光照射产生光电流的NbON膜。本发明的NbON膜优选为单相膜。本发明的氢生成设备(600)具备：包含导电体(621)和配置于所述导电体(621)上的所述本发明的NbON膜(622)的光半导体电极(620)；与所述导电体(621)电连接的对电极(630)；与所述NbON膜(622)及所述对电极(630)的表面接触的包含水的电解液(640)；以及收容所述光半导体电极(620)、所述对电极(630)及所述电解液(640)的容器(610)，通过向所述NbON膜(622)照射光而产生氢。
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公开(公告)号：CN102369312B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201080009866.9
申请日：2010-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B1/003 , C01B3/042 , Y02E60/364 , Y02E60/368
Abstract: 氢气生成装置(100)具有：框体(1)，其内部能够保持液体且至少一部分能够透光；电解液，其被保持在框体(1)的内部且含有水；光电极(2)，其配置在框体(1)的内部，具有与所述电解液相接的第一面，并通过照射透过框体(1)的光来分解所述水而产生气体；导电体(3)，其在框体(1)的内部相对于光电极(2)配置在与所述第一面相反侧的第二面侧的区域，且具有与所述电解液相接的面，并且该导电体(3)与光电极(2)电连接。在导电体(3)与所述电解液相接的所述面上设有沿产生的所述气体流动的方向延伸的槽部(3a)。
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公开(公告)号：CN102575361B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201080046454.2
申请日：2010-11-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B1/003 , C01B3/042 , H01M8/0606 , H01M14/005 , Y02E60/364 , Y02E60/366 , Y02E60/50 , Y02P20/135
Abstract: 本发明的光电化学电池(100)具备：半导体电极(120)，该半导体电极(120)包括导电体(121)、具有纳米管阵列构造的第一n型半导体层(122)、以及第二n型半导体层(123)；与导电体(121)连接的对电极(130)；与第二n型半导体层(123)以及对电极(130)接触的电解液(140)；以及用于容纳半导体电极(120)、对电极(130)以及电解液(140)的容器(110)。将真空能级作为基准，(I)第二n型半导体层(123)的传导带以及价电子带的带边能级分别比第一n型半导体层(122)的传导带以及价电子带的带边能级大，(II)第一n型半导体层(122)的费米能级比第二n型半导体层(123)的费米能级大，并且，(III)导电体(121)的费米能级比第一n型半导体层(122)的费米能级大。
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公开(公告)号：CN103582608A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201380001465.2
申请日：2013-04-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B1/10 , C01B3/042 , C25B1/003 , C25B1/02 , C25B1/04 , C25B1/06 , C25B9/00 , C25B9/10 , C25B9/18 , C25B15/08 , H01M8/0656 , Y02E60/364 , Y02E60/366 , Y02E60/368 , Y02E60/50
Abstract: 本发明提供氢生成单元、氢生成设备及使用该氢生成设备的能量系统。本发明的氢生成单元设有贯通框体的电解液供给孔、电解液排出孔、第一氢流通孔及第二氢流通孔，在设置氢生成单元时，电解液供给孔配置成比电解液排出孔靠铅垂上侧，第一氢流通孔配置成比电解液供给孔靠铅垂上侧，第二氢流通孔配置成比电解液排出孔靠铅垂上侧。利用本结构，能大幅降低与电解液及氢有关的配管长度及歧管数量，能简单且合理地将氢生成单元彼此连结。
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公开(公告)号：CN102686314A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201180004738.X
申请日：2011-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种光半导体及其制造方法、以及光半导体设备、光触媒、氢生成设备和能量系统。本发明的光半导体的制造方法包括：混合工序，制作包含铌化合物和还原防止剂的混合物，该铌化合物至少在组成中含有氧；氮化工序，使所述混合物与氮化合物气体进行反应，从而使所述混合物氮化；和洗净工序，从通过所述氮化工序得到的试样中，利用洗净液溶解铌氮氧化物以外的化学种，分离出铌氮氧化物。本发明的光半导体实质上由铌氮氧化物构成，该铌氮氧化物具有斜锆石型结晶构造、且具有由组成式NbON表示的组成。
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