公开(公告)号：CN107848835A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680042083.8

申请日：2016-07-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 菊地谅介 ,  中村透 ,  羽藤一仁 ,  长谷川哲也 ,  广濑靖

IPC: C01G33/00 ,  B01J27/24 ,  B01J35/02 ,  B01J37/02 ,  C23C14/06 ,  H01L21/363

CPC classification number: C30B29/38 ,  B01J23/20 ,  B01J27/24 ,  B01J37/348 ,  C01B21/0821 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2006/40 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0676 ,  C30B25/06 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/032 ,  H01L31/036 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种具有锐钛矿型晶体结构、由化学式NbON表示的锐钛矿型铌氧氮化物。并且，本发明还提供一种半导体结构体(100)，其包含：至少一个主面由具有钙钛矿型晶体结构的钙钛矿型化合物形成的基板(110)、和在基板(110)的所述一个主面上生长的具有锐钛矿型晶体结构、由化学式NbON表示的铌氧氮化物(例如锐钛矿型铌氧氮化物膜(120))。

公开(公告)号：CN107848834A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680042055.6

申请日：2016-07-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 菊地谅介 ,  羽藤一仁 ,  长谷川哲也 ,  广濑靖

IPC: C01G33/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/28

CPC classification number: C30B29/38 ,  C01B21/0821 ,  C01G33/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/84 ,  C01P2006/40 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/024 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/28 ,  C30B25/105 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/032 ,  H01L31/036 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种具有金红石型晶体结构、由化学式NbON表示的金红石型铌氧氮化物。并且，本发明还提供一种半导体结构体(100)，其包含：至少一个主面由具有金红石型晶体结构的金红石型化合物形成的基板(110)、和在基板(110)的所述一个主面上生长的具有金红石型晶体结构、由化学式NbON表示的铌氧氮化物(例如金红石型铌氧氮化物膜(120))。

公开(公告)号：CN107663624A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710545932.8

申请日：2017-07-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 菊地谅介 ,  中村透 ,  羽藤一仁

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C25B1/04 ,  C25B11/06

CPC classification number: C25B1/003 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3457 ,  C25B1/04 ,  C25B9/06 ,  C25B11/0405 ,  C25B11/0415 ,  C25B11/0447 ,  Y02E60/364 ,  Y02E60/366 ,  C23C14/34

Abstract: 提供载流子密度小的SrNbO2N。本发明涉及使锶铌氮氧化物膜生长的方法，该方法具备采用溅射法在钛酸锶基板上使载流子密度为1×1018cm-3以下的所述锶铌氮氧化物膜生长的工序。