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公开(公告)号：CN103809177A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310738571.0
申请日：2013-12-30
Applicant: 南京大学
IPC: G01S13/90
Abstract: 本发明涉及一种基于FPGA的雷达成像并行化方法，包括图像并行化、数据并行化以及流水并行化，对于相互独立的成像点：通过图像级的并行化处理，将成像任务平均分配到若干个芯片中并行执行；对于单个芯片中的成像任务，通过脉冲级的并行化处理，对各个像素点对应的图像源数据进行反投影运算，并将得到的反投影值输出；对于BP算法中反投影运算部分，通过流水级的并行化处理，将目标图像的像素点按行划分，从而完成像素点的反投影运算。有益效果为：采用混合并行化的方法，结合硬件资源条件，将图像域并行化、脉冲域并行化与流水级并行化相结合，并充分利用FPGA高速运行的优势，在运算单元内部采用流水线的并行化方法，使运算单元得到更充分的优化。
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公开(公告)号：CN103729867A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201410005665.1
申请日：2014-01-07
Applicant: 南京大学 , 中国电子科技集团公司第十四研究所
IPC: G06T11/00
Abstract: 本发明涉及一种基于BP反投影成像算法的硬件加速器，包括脉冲存储器，用于存储大量的脉冲数据；图像数据存储模块，包括至少两个连续的图像数据存储器，用于存储每次反投影运算前后的源数据和结果数据；反向投影运算单元，用于进行反投影运算，实现时延调整和相干累加功能；以及AHB接口，用于集成所述脉冲存储器、图像数据存储器以及反向投影运算单元，完成三者与AHB总线之间的信息交互。有益效果为：1）采用合适位宽的定点数代替一般使用的双精度浮点数来进行计算，这样做减小了运算误差以及逻辑资源的使用。其相位误差由11.25°减小到1.4°。（2）提出了反投影成像数据处理方法，实现各级流水线无缝对接，获得较高的数据吞吐率，有效实现算法的并行化。
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公开(公告)号：CN102158380B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110041623.X
申请日：2011-02-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于统计时分复用技术的多簇片上网络架构，该架构在簇内采用基于统计时分复用技术的总线结构；在总线上设有主设备、从设备、总线部件及统计时分复用控制单元；统计时分复用控制单元与主设备、从设备及总线部件连接；其中，从设备包括存储器及具有等待机制的网络接口；总线部件包括仲裁器、解码器以及多路选择器；统计时分复用控制单元统筹控制总线上主设备、从设备来实现统计时分复用机制；具有等待机制的网络接口接收总线上主设备发起的数据传输请求，并在满足触发条件情况下触发传输。本发明可以有效降低网络负荷、减小通信延时，进而提高片上网络系统整体性能，因此有着良好的实用价值和广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102508803A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110393660.7
申请日：2011-12-02
Applicant: 南京大学
IPC: G06F13/28
Abstract: 本发明公开了一种矩阵转置存储控制器，该矩阵转置存储控制器包括处理器、总线、直接内存存取、网络接口、存储单元、中断和程序存储器；处理器通过总线与直接内存存取、网络接口，中断、程序存储器进行数据传输；存储单元通过直接内存存取与总线及网络接口连接；网络接口与总线连接，并通过片上网络与外部存储器连接。本发明选择SRAM作为存储器，控制简单，读写操作容易，在处理器的控制下，能充分发挥SRAM作为存储器的优势。本发明提供了三种转置模式；使用处理器控制完成矩阵转置，能灵活地选择转置方法，适用于对各种大小的矩阵进行转置，并具有很好的扩展性。同时，本发明使用DMA作为数据通道，可提供高速的数据传输速率。本发明适用于片上网络中。
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公开(公告)号：CN102495568A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110397889.8
申请日：2011-12-05
Applicant: 南京大学
IPC: G05B19/042
Abstract: 基于四片FPGA的验证片上网络多核处理器的开发板，四片FPGA芯片之间连接构成全互联结构，每一片FPGA芯片都设有GTX传输通道和GPIO传输通道分别与其它三片FPGA芯片连接，每片FPGA芯片分别设有电源管理模块、板级时钟驱动模块及存储系统；第二FPGA芯片与第四FPGA芯片上分别设有开发板的数据输入和数据输出接口，所述数据输入和数据输出接口为全双工差分的2.5Gbps光口。本发明仿存带宽达到759.2Gbps，这是目前其它多FPGA开发板的电路设计远不能达到的，片间互连吞吐率大于30Gbps，为FPGA硬件设计人员提供足够多硬件资源，以便验证和实现基于NoC的超大规模多核处理器的原型芯片设计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102368739A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201110393715.4
申请日：2011-12-02
Applicant: 南京大学
IPC: H04L12/56
Abstract: 本发明公开了一种面向包-电路交换片上网络路由器的广播机制算法，根据片上网络拥塞情况进行路由仲裁，根据链路资源的占用情况动态改变路由路径，记录满足路由条件的输出端口，当遇到有两个可能路径的情况时，采用广播机制，同时选择两条可能路径进行路由尝试，每条路由尝试中都采用了回退转向路由算法，能够避免死锁，选择两条路径中先建立的链路进行数据传输，释放掉另外一条未建立的链路。本发明在同一时间内尝试不同的路由路径，从而可以充分利用网络资源，有效避免了拥塞，同时几乎不影响吞吐量情况下减小了平均包延迟。本发明资源消耗少、传输延时小，适用于实现高性能的片上网络系统。
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公开(公告)号：CN101834789A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010151023.4
申请日：2010-04-15
Applicant: 南京大学
IPC: H04L12/56
Abstract: 本发明公开了一种面向包-电路交换片上路由器的回退转向路由算法及所用路由器，该算法是一种自适应路由算法，根据片上网络拥塞情况进行路由仲裁，根据链路资源的占用情况动态改变路由路径。该算法记录满足路由条件的输出端口，在遇到拥塞后重新选择输出端口，实现回退路由，从而可以充分利用网络资源，有效避免拥塞，提高平均吞吐量，减少平均包延迟；该路由器包括依次连接的输入状态机、优先级编码器、地址译码器、仲裁器和输出状态机；本发明在选择路由路径时，不向180度方向折回路由，并且不向远离目的节点的方向路由，所以不会引起死锁或活锁的问题。本发明成本低、性能高，适用于实现高性能的片上网络系统。
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公开(公告)号：CN101082629B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200710024843.5
申请日：2007-07-04
Applicant: 南京大学
IPC: G01N35/10
Abstract: 液体自动定量连续加样装置，由十六孔阀、可逆同步电机、蠕动泵、接近传感器、液位传感器、定量环以及测控电路组成，所述测控电路的包括MCU系统，内部带有非易失存储器存储各种设定的控制模式，MCU带有串行通讯接口，接近传感器安装在十六孔阀的定位把手两侧，液位传感器分别安装在试样罐以及十六孔阀的试剂出口；传感器信号输出连接MCU；MCU的输出连接可逆同步电机，电机带动十六孔阀的旋转驱动；其中接近传感器采用电感式微型集成接近传感器，传感器输出信号经光耦隔离和电平转换后可由MCUI/O口直接读出；所述可逆同步电机和蠕动泵控制电路的连接方式是，MCU的I/O口输出信号通过光耦在经NPN三极管驱动蠕动泵。
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公开(公告)号：CN100479307C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200710023138.3
申请日：2007-06-06
Applicant: 南京大学
IPC: H02M3/07 , H03K19/094
Abstract: 本发明公开了一种电荷泵电路结构，包括辅助电荷泵、电平移位器和主电荷泵，辅助电荷泵为电平移位器提供次高电平(VDD)，并用于改善主电荷泵低阶开关(P1，P2)控制时钟的摆幅，加速其启动过程；主电荷泵启动后又反过来为电平移位器提供最高电平(VCP)，最终改善了主电荷泵高阶开关(P3，P4)控制时钟的摆幅。本发明能有效控制开关管的电导，提高电压增益，避免了高阶电荷泵通常遇到的低效率、启动时间长等缺陷，具有高电源增益，启动时间短等特征，并且适合于低电压应用环境。
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公开(公告)号：CN100432574C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200410041940.1
申请日：2004-09-10
Applicant: 南京大学
CPC classification number: F25B21/00 , F25B2321/0023 , Y02B30/66
Abstract: 用于磁制冷的永磁电控动态磁路的方法与装置：装置磁体由两种永磁材料构成，一种为高强磁体材料，另一永磁材料为控制用磁体材料，利用电流控制线圈对控制磁体材料进行充磁和反向充磁控制，致冷磁工质分布长条形，在其上下两侧，设有高强磁体材料，且每块磁铁磁场取向相反但均与磁工质分布长条形的长度方向平行，均充当固定磁铁的作用；左右相邻的两高强磁体材料之间设有至少两块并列的控制用磁体材料，且控制用磁体材料上设有充磁线圈；当对磁工质加磁场时，利用控制器对电控线圈加上一方向与高强磁体材料一致的增强磁场，对工质材料产生相变；反相充磁时，控制用磁体内形成若干个小的磁力线短路回路，使磁工质上的磁场减小，实现了退磁过程。
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