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公开(公告)号：CN101968973A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010289979.0
申请日：2010-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C16/24
Abstract: 本发明提供一种能抑制位线间漏电流的相变存储器电路结构，其包括：多条字线和多条位线；由多个各自连接在一条位线和一条字线上的相变存储单元形成的存储阵列，其中，每一相变存储单元包括：由相变材料形成且一端连接相应位线的相变电阻以及连接在所述相变电阻另一端和相应字线之间的选通管；以及多个控制单元，各控制单元的输入端分别连接一条位线，各输出端分别连接在相应位线上的各相变存储单元的相变电阻和选通管的公共连接点，分别用于拉低相应位线上未被选中的相变存储单元的相变电阻和选通管的公共连接点的电位，从而避免漏电流流经未被选中的相变存储单元的相变电阻，如此抑制位线间的漏电流，有效提高存储器的可靠性。
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公开(公告)号：CN101951144A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010225592.9
申请日：2010-07-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明提供一种高效电荷泵及其工作方法，包括：用于产生非交叠第一时钟信号和第二时钟信号的时钟发生器；电荷转移电容；包括分别连接在所述电荷转移电容的上极板和下极板的第一受控开关和第二受控开关的充电电路；包括分别连接在所述电荷转移电容上极板和下极板的第三受控开关和第四受控开关、及稳压电容的电荷转移电路；用于产生参考电压的参考电压发生电路；以及输入端分别连接在所述参考电压发生电路的输出端和所述电荷转移电容的下极板的比较电路，其在电荷转移电容每次将电荷转移至电荷泵输出端时，都将电荷转移电容的下极板的电压限定在特定的电压，而非其能够达到的电压，由此，可增加电荷泵电路的转换效率。
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公开(公告)号：CN101567420B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200910052407.8
申请日：2009-06-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器加热电极的制备方法，首先利用CVD技术在衬底上依次沉积SiO2/Si3N4/SiO2介质层，接着使用亚微米CMOS标准工艺曝光技术在顶层SiO2上制备出直径为150～300nm的孔洞。之后，沉积Si3N4100～200nm并刻蚀，连同一开始沉积的Si3N4刻穿，在孔洞中形成出50～150nm厚的Si3N4侧墙。最后，将Si3N4侧墙作为硬掩膜把底层SiO2刻蚀完，利用CVD技术填入W、TiN等电极材料，并进行化学机械抛光停在底层SiO2上，形成直径100nm以下的柱状加热电极。本发明不仅避免了直接使用100nm以下曝光技术的困难，降低了制造成本，更重要的是降低了相变存储器的操作电流和功耗。
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公开(公告)号：CN101916590A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010258113.3
申请日：2010-08-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C16/06
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的数据读出方法及读出电路，当读数据电路在读取相变存储器的一条位线上被选择出的相变存储单元所存储的数据的同时，预充电电路对所述相变存储器的各待读取相变存储单元各自所在的位线中的至少一条进行预充电操作，由此可解决相变存储器在读出时由于位线寄生电容大而无法快速读出的问题，有效提高数据的读出速度。
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公开(公告)号：CN101488557B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200910046486.1
申请日：2009-02-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料，其组分为SicSbaSeb.，其中，48≤b≤60，20≤a≤40，8≤c≤40，a+b+c＝100；或60≤b≤80，20≤a≤40，3≤c≤20，a+b+c＝100。与现有技术相比，本发明所述的Si-Sb-Se相变薄膜材料比常用的Ge2Sb2Te5材料具有更快的结晶速度，可以有更快的读写速度，有着更好的数据保持特性，有着比SbSe两元材料更好的热稳定性。同时该材料不含元素Te，是一种环境友好材料，与CMOS工艺兼容性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101826463A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010138167.6
申请日：2010-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/329 , H01L21/28 , H01L29/872 , H01L45/00
Abstract: 本发明提供的共用金属层的肖特基二极管和相变存储阵列的制造方法在制造形成肖特基二极管结构后，以肖特基二极管的金属层作为相变存储器的下电极，在其金属层上继续沉积不具有下电极的相变存储器结构，由此实现肖特基二极管和相变存储器的金属层共享，通过这种驱动二极管和相变存储器共用金属层的结构，可以有较少的工艺步骤制造了二极管和相变存储器阵列，有效节省了光刻次数，提高器件稳定性，通过采用特定的半导体，使得电极金属和半导体层之间形成稳定的肖特基接触。作为本发明的一部分，还包括采用前述方法所形成的肖特基二极管和相变存储器的共用金属层的结构。
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公开(公告)号：CN101783172A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200910200724.X
申请日：2009-12-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明揭示了一种相变存储器，所述相变存储器包括数条存储翼plane；所述plane包括n个存储块block和n个先入先出堆栈FIFO，每个block对应一个FIFO；其中，n为相变存储器并行读写位数；plane与plane之间依靠数据总线、地址总线和控制总线连接；所述block包括存储阵列、行列译码器及驱动电路。本发明提出的相变存储器，可提高相变存储器写入速度。由于每一位独立地从FIFO中取得数据，所以每一位在进行RESET或SET操作时，不会如传统并行写入方式那样受其他位是否进行SET影响，由此减少了RESET操作之后的等待时间。
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公开(公告)号：CN101777388A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010022600.X
申请日：2010-01-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种获得相变存储器相变电阻晶化率的方法，该方法为利用不同的电压对相变存储器进行Reset操作，然后进行Set操作，测得Reset操作的电压-电阻曲线，Set操作的电压-电流曲线，和Set态的电流-电压曲线，并根据相变存储器的电阻-电压-电流关系方程最终获得晶化率的值。本发明在相变电阻被电流或电压加热发生相变时，其相变区电阻晶化率进行计算，并通过对相变区电阻晶化率的计算确定加热电流或电压与加热时间的关系；本发明还可以为相变过程中阻值的变化提供理论指导，同时为多值存储的研究提供了一种解决方案。
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公开(公告)号：CN101776718A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910200962.0
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种快速表征相变材料及介质层的方法，包括如下步骤：清洗硅片；在所述硅片上制备底层介质层；在所述底层介质层上制备底层电极；在底层电极上制备电介质层；在电介质层上利用光刻及刻蚀工艺制备一系列通孔，使其下方的底层电极通过通孔露出；在所述通孔内制备相变材料，相变材料与所述底层电极接触；在所述相变材料上制备顶层接触电极；在所得结构表面制备顶层绝热保护层；采用三维控制器将纳米机械探针快速定位，使其与顶层接触电极接触，从而完成材料电学性能的测试表征。本发明的测试方法工艺步骤简单，利用三维控制器精确操纵纳米机械探针快速定位于单元结构上部，从而可完成相变材料及介质层电性能的快速测试。
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公开(公告)号：CN101335327B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810041391.6
申请日：2008-08-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 宋志棠
Abstract: 本发明涉及一种控制相变材料或相变存储单元体积变化的方法及相应结构，其特征在于在25℃～400℃的温度区间通过退火改善相变存储单元中的相变材料自身结构变化引起的体积变化；在400℃～650℃温度区间通过相变存储单元的结构的改进，在相变材料周围包裹一层阻挡层材料，阻止相变材料在加热过程中的扩散、挥发。本发明还提供了相应的相变存储单元结构上的改进。
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