公开(公告)号：CN119816234A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202380065948.2

申请日：2023-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李仁柱 ,  梁承龙 ,  李重熙 ,  康盛旭 ,  金成珍 ,  金延洙 ,  安珍爀 ,  金泳杓

IPC: A47L15/44

Abstract: 根据本公开的一实施例的洗碗机包括：主体；设在主体内的内胆；开闭内胆前部的门；清洁剂自动顶推装置，置于门中并设成朝内胆内部顶推固体清洁剂。清洁剂自动顶推装置包括：第一储存室，设成竖向堆叠和装载多块固体清洁剂；第二储存室，与第一储存室隔开，设成竖向堆叠和装载多块固体清洁剂；安置部，布置在第一和第二储存室之间，其上安置多块固体清洁剂中的从第一储存室排放的一块固体清洁剂或多块固体清洁剂中的从第二储存室排放的一块固体清洁剂；第一顶推器，将一块固体清洁剂移出第一储存室，使多块固体清洁剂之一从第一储存室排放到安置部；第二顶推器，将一块固体清洁剂移出第二储存室，使多块固体清洁剂之一从第二储存室排放到安置部。

公开(公告)号：CN119278087A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202380042925.X

申请日：2023-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴贞河 ,  郭箕纹 ,  金成珍 ,  李定根 ,  李钟浩

IPC: B01D61/48 ,  B01D61/52 ,  B01D61/54 ,  B01D61/58 ,  C02F1/469 ,  C02F1/00 ,  B01D61/42

Abstract: 所公开的净水器包括利用电力来净化水的去离子装置及与所述去离子装置电连接的控制部。所述去离子装置包括壳体、布置在形成于所述壳体内的多个隔离室中的每一个的多个电过滤器。所述控制部被配置为：在净水操作时，使所述多个电过滤器区分为吸附离子性物质的多个吸附电过滤器以及处于待机状态的至少一个静息电过滤器进行操作；根据在从所述净水操作的终止时间点到预定的待机时间内是否被输入所述净水操作的重启指令来重启所述净水操作或执行用于所述多个电过滤器的再生的再生操作。

公开(公告)号：CN111093455B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN201880055706.4

申请日：2018-05-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔祥洙 ,  金成珍 ,  李昌旭 ,  洪承基

IPC: A47L15/00 ,  A47L15/42 ,  A47L15/50 ,  A47L15/44

Abstract: 本申请提供了具有能够提高使用便利性的结构的洗碗机。该洗碗机可以以内置方式安装在整体厨房中，该整体厨房包括具有容纳空间的橱柜和位于橱柜上并包括开口的柜台。洗碗机可以包括：包括前开口的箱；配置为打开或关闭前开口的前门；配置为打开或关闭开口的顶部门；位于箱内部的筐，该筐经过前开口取出；以及经过开口取出的附加筐。

公开(公告)号：CN107689348B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN201710607147.0

申请日：2017-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张贤禹 ,  朴正焕 ,  R.卡帕甘图 ,  金成镇 ,  卢晙镛 ,  韩正勋 ,  金承洙 ,  金成珍 ,  李昭定

IPC: H01L23/00

Abstract: 一种半导体器件包括衬底、第一绝缘层、数据存储元件、接触插塞和第一虚设坝。第一绝缘层在衬底上并包括焊盘区和与焊盘区相邻的外围区。数据存储元件在第一绝缘层的焊盘区上。接触插塞穿透外围区上的第一绝缘层。第一虚设坝穿透第一绝缘层并设置在数据存储元件与接触插塞之间。

公开(公告)号：CN112670293A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011024561.7

申请日：2020-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成吉 ,  金成珍 ,  金智美 ,  金廷奂 ,  金赞炯

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11578

Abstract: 公开了半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置包括：堆叠结构，其包括交替地堆叠在衬底上的多个电极和多个介电层；竖直沟道结构，其穿透堆叠结构；以及导电焊盘，其位于竖直沟道结构上。竖直沟道结构包括半导体图案和在半导体图案与电极之间的竖直介电图案。半导体图案的上部包括包含卤素元素的杂质区。半导体图案的上部与导电焊盘相邻。

公开(公告)号：CN112420723A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010836465.6

申请日：2020-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成吉 ,  金成珍 ,  金智美 ,  金廷奂 ,  金赞炯

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578

Abstract: 一种三维半导体装置，包括：导电层，其位于衬底上并且包括第一导电类型的杂质；基体层，其位于导电层上；堆叠件，其包括下绝缘膜以及位于下绝缘膜上的栅电极和模制绝缘层，其中，基体层包括高介电材料；竖直结构，其包括穿过堆叠结构的竖直沟道层和设置在竖直沟道层与多个栅电极之间的竖直绝缘层，竖直结构在绝缘基体层中具有在宽度方向上延伸的延伸区域；以及隔离结构，其穿过堆叠结构、绝缘基体层和导电层，并且在与衬底的上表面平行的方向上延伸，其中，导电层具有延伸部分，延伸部分在竖直结构的延伸区域中沿着竖直沟道层的表面延伸。

公开(公告)号：CN112151552A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010545433.0

申请日：2020-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成吉 ,  金智美 ,  金东谦 ,  金成珍 ,  金廷奂 ,  金赞炯 ,  崔至薰

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种垂直半导体装置，可以包括堆叠结构、沟道结构和下部连接结构。堆叠结构可以包括交替重复堆叠的绝缘层和栅电极。堆叠结构可以与衬底的上表面间隔开。沟道结构可以包括电荷存储结构和沟道。沟道结构可以穿过堆叠结构。下部连接结构可以形成在衬底上。下部连接结构可以与沟道和衬底电连接。下部连接结构的侧壁可以包括突出部，该突出部设置在从衬底的上表面开始的所述侧壁在竖直方向上的中心部分处。该垂直半导体装置可以具有高可靠性。

公开(公告)号：CN111050624A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880056857.1

申请日：2018-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌旭 ,  金成珍 ,  俞承完 ,  蔡承玟 ,  金镇斗

IPC: A47L15/42 ,  A47L15/00

Abstract: 公开了一种具有使用便利性提高的结构的洗碗机。洗碗机包括：桶，具有前开口和顶部开口；前门，布置成打开和关闭前开口；盖框架，布置在顶部开口上并且具有在上下方向打开的开口；顶门，布置成打开和关闭盖框架的开口；以及框架喷射器，布置在盖框架上，使得洗涤水喷洒在盖框架的一侧上。

公开(公告)号：CN104699743B

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201410727635.1

申请日：2014-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 庾志镐 ,  黄相钦 ,  金成珍 ,  李尚炫 ,  李赞熙

IPC: G16C20/40 ,  G16C60/00

Abstract: 示例性实施例涉及用于搜索新材料的系统和方法。示例性方法包括：基于现有的晶体结构数据来获取包括离子的替换趋势数据的替换趋势矩阵X；通过将对称矩阵因式分解模型应用到替换趋势矩阵X来计算离子性质矩阵U；基于计算的离子性质矩阵U来获取替换趋势预测数据；以及基于替换趋势预测数据来计算新晶体结构的替换的概率。

公开(公告)号：CN106102541B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201480073649.4

申请日：2014-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑敏晧 ,  金美罗 ,  金成珍 ,  金亨浚

IPC: A47L15/42 ,  A47L15/46 ,  A47L15/23

Abstract: 本发明涉及一种洗碗机和其控制方法，所述洗碗机可包括：洗涤盆，至少在其一侧具有开口；喷嘴，布置在所述洗涤盆内，用于喷射洗涤水；反射模块，能够在所述洗涤盆内移动，并反射由所述喷嘴喷射的洗涤水；以及移动模块，所述反射模块可分离地附接至所述移动模块，所述移动模块用于沿至少一个方向移动所述反射模块。