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公开(公告)号：CN114335943A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111440761.5
申请日：2021-11-30
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种基于混合折叠基片集成波导谐振腔的高选择性带通滤波器，由上至下包括顶层金属层、上层介质层、中间金属层、下层介质和底层金属层，在中间金属层上设置由六组金属化通孔组成的第一谐振腔、第二谐振腔和第三谐振腔，在第一谐振腔和第三谐振腔的两个短边上设置相对的过渡结构和第一矩形槽，在第二谐振腔上设置L形槽以及第二矩形槽。本发明通过改变第二矩形槽的长度可得到两种不同的灵活的频率响应，并且过渡结构的圆弧状第一微带线引入的源与负载的耦合能够在不增加滤波器尺寸的基础上引入一个额外的可控传输零点，从而进一步提高滤波器的选择特性和带外抑制水平。本发明设计结构简单且紧凑，选择特性及带外抑制好，插损低。
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公开(公告)号：CN114284664A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111440286.1
申请日：2021-11-30
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于混合折叠基片集成波导谐振腔和新型带状线耦合的带通滤波器，由上至下包括顶层金属层、上层介质层、中间金属层、下层介质和底层金属层，在中间金属层上设置由六组金属化通孔组成的第一谐振腔、第二谐振腔和第三谐振腔，并通过在第一谐振腔和第三谐振腔上设置矩形槽、在第二谐振腔上设置L型槽以及连通三个谐振腔的儿字形槽，组成新型的带状线耦合结构。本发明设计结构简单，滤波器结构紧凑，馈电简单，选择性和带外抑制好，降低了加工难度，与传统的基片集成波导腔体耦合带通滤波器相比，面积减小，同时双层封闭式结构，减少了辐射损耗，所设计的带通滤波器差损低，更适合应用于现代毫米波电路集成。
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公开(公告)号：CN112952318B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110125388.8
申请日：2021-01-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于折叠基片集成波导谐振腔的四阶交叉耦合带通滤波器，包括顶层金属层、上层介质基片、中间层金属层、下层介质基片和底层金属层。顶层介质基片和底层介质基片上均设置沿田字形布置的六组金属化通孔，中间金属层上蚀刻有四个L形槽；两层层介质基片上的六组金属化通孔与三层金属层、两层介质基片和四个L形槽构成四个双重折叠的折叠基片集成波导谐振腔。中间层金属层上还设置有一个I形槽用来实现两个谐振腔之间的混合电磁耦合。本发明滤波器结构紧凑，馈电简单，选择性和带外抑制好，降低了加工难度，与传统的基片集成波导交叉耦合滤波器相比，面积减少了四分之三，减少了辐射损耗，更适合应用于现代微波/毫米波电路集成。
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公开(公告)号：CN110752430B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911029293.5
申请日：2019-10-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明揭示了一种小型化慢波半模基片集成波导E面耦合器，包括堆叠放置的顶层介质基片和底层介质基片，顶层介质基片的上表面设置有顶层金属层，顶层介质基片和底层介质基片之间设置有中间层金属层，底层介质基片的下表面设置有底层金属层。顶层介质基片和底层介质基片上各设置有一排金属化通孔，该排金属化通孔与顶层金属层、顶层介质基片、中间层金属层构成第一半模基片集成波导，该排金属化通孔与中间层金属层、底层介质基片、底层金属层构成第二半模基片集成波导。该耦合器在更小的体积内实现了45%的3‑dB工作带宽，工作频带内性能稳定，相对于更常见的H面慢波耦合器极大地拓宽了耦合器在小型化、双极化等方面的应用前景。
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公开(公告)号：CN112952318A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110125388.8
申请日：2021-01-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于折叠基片集成波导谐振腔的四阶交叉耦合带通滤波器，包括顶层金属层、上层介质基片、中间层金属层、下层介质基片和底层金属层。顶层介质基片和底层介质基片上均设置沿田字形布置的六组金属化通孔，中间金属层上蚀刻有四个L形槽；两层层介质基片上的六组金属化通孔与三层金属层、两层介质基片和四个L形槽构成四个双重折叠的折叠基片集成波导谐振腔。中间层金属层上还设置有一个I形槽用来实现两个谐振腔之间的混合电磁耦合。本发明滤波器结构紧凑，馈电简单，选择性和带外抑制好，降低了加工难度，与传统的基片集成波导交叉耦合滤波器相比，面积减少了四分之三，减少了辐射损耗，更适合应用于现代微波/毫米波电路集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111092281B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910856190.X
申请日：2019-09-10
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了一种基于人工磁导体的四阶耦合谐振器滤波器，该四阶耦合谐振器滤波器包括上层介质板和下层介质板，上层介质板和下层介质板之间互相贴合设置，所述上层介质板分为左右两块，即第一上层介质板和第二上层介质板，每块介质层底面各设有一段微带馈线，下层介质板的顶面设有人工磁导体结构和四阶耦合谐振器滤波器，底面为接地层。所述第一上层介质板为Rogers 5880，下层介质板为Rogers 3003。本发明针对人工磁导体的阻带特性，将其应用到四阶耦合谐振器滤波器当中，实现滤波器的低损耗特性和自封装特性。
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公开(公告)号：CN112290182A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010934087.5
申请日：2020-09-08
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明公开了一种基于基片集成同轴线的双频功分器，其结构从上往下依次为第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层和第三金属层，从左到右依次分为第一微带部分、基片集成同轴线部分和第二微带部分；功分器采用T型结功分器，主体在基片集成同轴线部分，输入端是一段阻抗变换器，两个输出端的传输线通过两对平行耦合线相连，并设有四条并联的开路枝节线。本发明可以用多层PCB工艺实现，结构简单，成本低廉，易于集成。与相同结构的微带线相比，基片集成同轴线是一种具有屏蔽的结构，可以限制能量向外辐射，减小损耗，同时，避免相邻信号之间的串扰；与相同结构的基片集成波导相比，本发明以TEM为主模，没有色散，工作带宽大，体积小。
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公开(公告)号：CN110752430A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911029293.5
申请日：2019-10-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明揭示了一种小型化慢波半模基片集成波导E面耦合器，包括堆叠放置的顶层介质基片和底层介质基片，顶层介质基片的上表面设置有顶层金属层，顶层介质基片和底层介质基片之间设置有中间层金属层，底层介质基片的下表面设置有底层金属层。顶层介质基片和底层介质基片上各设置有一排金属化通孔，该排金属化通孔与顶层金属层、顶层介质基片、中间层金属层构成第一半模基片集成波导，该排金属化通孔与中间层金属层、底层介质基片、底层金属层构成第二半模基片集成波导。该耦合器在更小的体积内实现了45%的3-dB工作带宽，工作频带内性能稳定，相对于更常见的H面慢波耦合器极大地拓宽了耦合器在小型化、双极化等方面的应用前景。
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公开(公告)号：CN110212278A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910530205.3
申请日：2019-06-19
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明揭示了一种基于人工磁导体的毫米波一分四微带功率分配器，该微带功率分配器包括紧密贴合的底层、中间层和顶层三种结构，底层为微带功率分配器，中间层为介质腔，顶层为人工磁导体周期结构，微带功率分配器设置于介质基板的上表面，介质腔设置于介质板上，人工磁导体周期结构设置于电磁带隙介质基板上。本发明设计结构简单，易于加工，成本低，节约了额外的封装；同时，该结构使得功率分配器本身更加紧凑，可以彼此紧密地制造。毫米波功率分配器的引入，较大程度地拓展了毫米波电路的应用前景；引入人工磁导体结构，抑制了微带线的杂散辐射，降低了插入损耗，进一步提高了毫米波功率分配器的传输性能，为毫米波电路的研究与应用打下了基础。
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公开(公告)号：CN106099379B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201610393692.X
申请日：2016-06-03
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01Q13/20
Abstract: 本发明公开了一种基片集成非辐射介质波导漏波天线，是一种由共面波导和三层基片集成非辐射介质波导构成的三层电路结构，其中基片集成非辐射介质波导是通过在印刷电路板上设计一系列空气通孔实现的，共面波导集成在电路的中间层，将共面波导通过三角形渐变结构接入基片集成非辐射介质波导，同时调整三角形渐变结构来实现阻抗匹配；在与共面波导同一端的底层介质板上开了一个矩形槽，在稳定电路的同时避免了对共面波导性能的干扰。本发明能顺利实现由共面波导接入基片集成非辐射介质波导，激励起辐射性能更优良的高阶模，从而形成了周期性漏波天线，同时实现了微波毫米波混合多层电路的集成，有利于毫米波频段电路的设计，制作工艺简单，成本低廉。
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