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公开(公告)号：CN116622176B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310597325.1
申请日：2023-05-25
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种多孔绝热吸声气凝胶及其制备方法及其应用，所述多孔绝热吸声气凝胶包含聚乙烯醇、细菌纤维素、锆钛酸钡钙线，所述锆钛酸钡钙线与细菌纤维素相互缠结，并分散于聚乙烯醇中；本发明所提供的多孔绝热吸声气凝胶，以聚乙烯醇在体系中充当聚合物基体框架，锆钛酸钡钙线与细菌纤维素互相缠结，均匀分散在基体中，发明人发现，锆钛酸钡钙线的添加可以促使吸声系数峰值2000～3000Hz增强，使得本发明的多孔绝热吸声气凝胶具有优异的中低频吸声性能，同时锆钛酸钡钙线与细菌纤维素互相缠结结构，在材料内形成了复杂的孔道，声波在气凝胶中前进时受阻并被耗散，进一步实现对噪音的耗散，提升中低频吸声性能。
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公开(公告)号：CN118290785B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410393203.5
申请日：2024-04-02
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及介电材料制备技术领域，尤其涉及一种交联聚醚酰亚胺介电薄膜及其制备方法和应用。本发明通过将二酐、二胺、含羧基二胺单体与无水有机溶剂混合，进行聚合反应，得到前聚体溶液；将前聚体溶液进行化学法亚胺化，得到聚合物溶液；聚合物溶液静置，再将其涂覆在基材上，进一步完成亚胺化，再进行脱羧交联，得到交联聚醚酰亚胺介电薄膜。本发明采用“一锅法”制备一种投料简单、环境友好、交联程度可控的且具有优异高温储能性能的聚醚酰亚胺介电薄膜，制备工艺简单，反应均在液相中进行，能与目前工业上生产聚醚酰亚胺薄膜的工艺流程充分兼容。并且制备的交联聚醚酰亚胺薄膜具有优异的热稳定性、机械性能、耐击穿电场强度和储能性能。
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公开(公告)号：CN115966402B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202211546528.X
申请日：2022-12-05
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性纳米复合电介质混合液及柔性纳米复合电介质和应用，本发明的柔性纳米复合电介质混合液包括以总量计的7～30wt％铁电材料、0.5～1.2wt％碳量子点、4～10wt％聚合物基体和55％～88wt％有机溶剂，在室温下，将所述柔性纳米复合电介质混合液旋涂于柔性衬底上，干燥得到本发明的柔性纳米复合电介质。本发明的柔性纳米复合电介质的制备方法基于阈值理论，在制备柔性纳米复合电介质所采用的柔性纳米复合电介质混合液中新加入了少量导电的碳量子点，极大地提高了柔性纳米复合电介质的相对介电常数，并通过磁力机械搅拌工艺与旋涂工艺相结合的制备工艺实现了大规模的复合电介质薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN118109815A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410545489.4
申请日：2024-05-06
Applicant: 中南大学
IPC: C23C28/00 , C23C14/16 , C23C14/35 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种HfO2基薄膜及其制备方法，包括基底，所述基底上设有金属W层，所述金属W层上覆盖有Hf0.5Zr0.5O2薄膜，所述Hf0.5Zr0.5O2薄膜上覆盖有ZrO2薄膜。其制备方法包括如下步骤：在基底上沉积金属W层；再在金属W层上沉积Hf0.5Zr0.5O2薄膜；然后在Hf0.5Zr0.5O2薄膜上沉积ZrO2薄膜，获得HfO2基无定形薄膜后，于保护气氛或真空条件下退火处理后，获得HfO2基薄膜成品。本发明有效解决了HfO2薄膜介电常数与剩余极化值相矛盾的问题。
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公开(公告)号：CN118019435A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410025903.9
申请日：2024-01-08
Applicant: 中南大学
IPC: H10N30/853 , H10N30/88 , H10N30/30 , H10N30/097 , H10N30/088 , H10N30/02 , H10N30/03 , H02N2/18
Abstract: 本发明公开了一种无铅压电陶瓷发电器件及其制备和应用，该无铅压电陶瓷发电器件包括上层导电膜、压电陶瓷阵列夹层和下层导电膜；所述的压电陶瓷阵列夹层包括若干按阵列排列的压电陶瓷柱，以及分散在各压电陶瓷柱之间的有机聚合物；所述的压电陶瓷柱为无铅致密压电陶瓷；各相邻压电陶瓷柱的间距为1mm。本发明对所述的材料的制备和应用进行了阐述。本发明中，通过控制所述的无铅压电陶瓷柱的形状和纵横比，能够改善器件的压电输出性能，提高压电复合材料的强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117898529A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311703275.7
申请日：2023-12-12
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种压电陶瓷基抗菌与促创口修复鞋垫及其制备方法，涉及新型穿戴材料技术领域，包括鞋垫基底材料、固化剂，还包括掺入鞋垫基底材料内的压电陶瓷材料，所述压电陶瓷材料占鞋垫基底材料质量的10～30％。本发明提供的压电陶瓷基抗菌与促创口修复鞋垫，抗菌原理来源于压电陶瓷材料，具有优异的抗菌和灭菌性能，在正常使用过程中不会出现失活和中毒等现象，也降低了灭菌鞋垫的制作成本，还促进了创面中TGF‑β和CD31的表达和分泌，从而加速了成纤维细胞的增殖和迁移，进而加速伤口愈合过程。
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公开(公告)号：CN117820640A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410019381.1
申请日：2024-01-05
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及介电材料制备技术领域，公开了一种交联聚酰亚胺类电介质薄膜材料，在聚酰亚胺类材料中引入带羧基的二胺单体共缩聚，再通过亚胺化和脱羧交联，即得交联聚酰亚胺类电解质薄膜材料。本发明提供的交联聚酰亚胺类电介质薄膜的制备方法，在合成商用聚酰亚胺类电介质基础上不增加额外工艺技术，制备的电介质薄膜表面和横截面平整光滑且无明显缺陷。
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公开(公告)号：CN115819106B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202211517378.X
申请日：2022-11-29
Applicant: 中南大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/491 , B33Y10/00 , B33Y70/10
Abstract: 本发明公开了一种具有功能梯度结构的复合PZT多孔陶瓷的制备方法，涉及功能材料制备技术领域。包括如下步骤：(1)PZT浆料的配制：将PZT粉体、分散剂和粘结剂均匀地分散于溶剂中，得到PZT浆料悬浮液，调节pH至6～8，形成PZT浆料；(2)三维结构的坯体制备：利用绘图软件设计得到具有梯度结构的陶瓷模型，通过3D直写技术，在定向温场中获得三维结构坯体；(3)PZT多孔陶瓷的制备：将打印所得到的三维结构进行冷冻干燥、烧结，即获得具有宏观与微观复合多孔结构的PZT多孔陶瓷。本发明通过设置定向温场，使得浆料中的液相介质水将沿温度梯度结晶生长，从而具有优异的传感特性。
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公开(公告)号：CN116371398B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310379258.6
申请日：2023-04-11
Applicant: 中南大学
IPC: B01J23/18 , C02F1/30 , B01J37/10 , C02F101/30
Abstract: 本发明公开了一种BIT‑Nd块体压电光催化剂及其制备方法和应用，将钕掺杂钛酸铋纳米粉与粘结剂混合，压制成型获得BIT‑Nd陶瓷生坯、烧结获得BIT‑Nd陶瓷片，然后将BIT‑Nd陶瓷片置于含钕掺杂钛酸铋前驱体浆液A的水热反应釜中，水热反应，于BIT‑Nd陶瓷片表面生长钕掺杂钛酸铋纳米花即得BIT‑Nd块体压电光催化剂，本发明采用刚性基体上生长纳米花，基体选用同种物质压制的压电陶瓷片，从而在基体与纳米花协同作用下大幅提高压电催化效率。
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公开(公告)号：CN114836716B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210292866.9
申请日：2022-03-23
Applicant: 中南大学
IPC: C23C14/16 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/56 , C23C14/04 , C23C28/00 , H01L21/02 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种无顶电极夹持HfO2基薄膜材料的制备方法及应用，制备步骤如下：以Si为基底，采用标准的RCA工艺对其进行表面清洁；采用直流磁控溅射方法在Si底上溅射一层金属Ti层；将Ti/Si置入原子层沉积ALD系统中，进行HfO2基薄膜的沉积；将沉积完的HfO2基薄膜/Ti/Si进行退火；退火完成后，再将HfO2基薄膜/Ti/Si放入磁控溅射里，采用掩模版进行顶电极溅射，得到无顶电极夹持HfO2基薄膜材料。通过本发明方法既可以消弱顶电极对薄膜铁电性的决定性作用，同时也能保证HfO2基薄膜材料具有强铁电性和稳定性，又可以避开FeFET制备过程当中顶电极刻蚀这一过程，保障干净的界面质量，并实现工艺的简单化和低成本化。
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