-
公开(公告)号：CN108363221A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810057823.6
申请日：2018-01-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种基于石墨烯的可调节波长范围的长波通过型的滤光器。该器件在光学窗口表面覆盖石墨烯薄膜，在石墨烯表面覆盖离子液体或者离子凝胶，从石墨烯和光学窗口引电极连接至电压源。通过调节电压可改变石墨烯的费米能级进而调节某特定波长范围的光透过率，即调节滤光器截止波长的位置，大于滤光器截止波长的光将通过滤光器从另一侧出射，小于截止波长的光不通过，最终实现可调节的长波通过型滤光器。与传统的滤光器先比，本发明提供的滤光器的截止波长范围可调，功耗低等特点，可方便替换传统滤光器，可广泛应用于光学工程，光学仪器等领域。
-
公开(公告)号：CN105112998B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201510561590.X
申请日：2015-09-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种氧化物衬底辅助的快速制备大尺寸单晶石墨烯的方法，涉及单晶石墨烯的制备方法。其主要特征为用金属箔片作为催化剂及生长基底，用氧化物作为衬底与金属箔片紧密接触，然后利用常压化学气相沉积法，快速获得大尺寸高质量单晶石墨烯。本发明提出的方法，解决了CVD方法制备大尺寸单晶石墨烯中常用单晶作为基底、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题，通过非常简单的方法，实现了极其快速地制备出高质量大尺寸的单晶石墨烯样品。
-
公开(公告)号：CN104697946A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510061035.0
申请日：2015-02-04
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/31
Abstract: 本发明公开了一种衬底上碳纳米管水平阵列密度的快速光学表征方法。该方法包括如下步骤：将单根碳纳米管的光学吸收性质推广至宏观材料中，将二维材料(如石墨烯)的光学表征方法引入碳纳米管水平阵列领域，建立光学衬度与碳纳米管水平阵列密度及不同类型碳纳米管比例之间的定量公式，利用交叉偏振方法显著提高碳纳米管的光学信号(10-100倍)，实现所述高密度碳纳米管水平阵列的光学表征。本发明提供的方法，克服了传统表征方法耗时、操作复杂、易损伤样品的缺点，实现了衬底上碳纳米管密度和类型的快速、准确、无损伤的表征，可广泛应用于碳纳米管的生长和测试实验中，为优化碳纳米管生长方法提供必不可少的监控和反馈措施。
-
公开(公告)号：CN211669400U
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202020624697.0
申请日：2020-04-23
Abstract: 本公开涉及光学工程及光通讯技术领域，提出了一种光纤及具有其的电光调制器。光纤包括光纤本体和覆盖层组，光纤本体上设置有空气孔，空气孔沿光纤本体的长度方向延伸；空气孔的孔壁上设置有覆盖层组，覆盖层组包括第一石墨烯层、第二石墨烯层以及夹设在第一石墨烯层和第二石墨烯层之间的绝缘层，第一石墨烯层设置在空气孔的孔壁上。光纤本体、第一石墨烯层、绝缘层以及第二石墨烯层的结合可以实现光纤中光强、光相位等光信号的调节，该调制具有制作工艺简单，与光纤通信系统集成方便等优点，在光纤通信，传感器和雷达系统等领域有广阔的应用前景。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
Search Results
124
records
(took 0.016 seconds)
