公开(公告)号：CN101919076A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200980100861.4

申请日：2009-04-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  住友隆道 ,  中村孝夫

IPC: H01L33/00 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02389 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供包含具有良好表面形态的氮化镓基半导体膜的III族氮化物半导体器件。III族氮化物半导体光器件(11a)具备：III族氮化物半导体支撑体(13)、GaN基半导体区域(15)、有源层(17)和GaN基半导体区域(19)。III族氮化物半导体支撑体(13)的主面(13a)显示相对于与基准轴(Cx)正交的基准平面(Sc)倾斜的非极性，基准轴(Cx)沿III族氮化物半导体的c轴方向延伸。GaN基半导体区域(15)设置在半极性主面(13a)上。GaN基半导体区域(15)的GaN基半导体层(21)例如包含n型GaN基半导体，在n型GaN基半导体中添加有硅。GaN基半导体层(23)的氧浓度为5×1016cm-3以上时，在GaN基半导体层(23)的主面上后续生长的有源层(17)的结晶品质变得良好。

公开(公告)号：CN101789474A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010108912.2

申请日：2010-01-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  上野昌纪 ,  京野孝史 ,  秋田胜史

IPC: H01L33/06

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0075

Abstract: 一种制作氮化物类半导体发光元件的方法，能够改善阱层的膜厚方向上的铟组分不均匀，并且能够降低阱层内的缺陷密度。在阱层生长的第1期间(P1)，向生长炉(10)中供给作为III族原料的镓原料和铟原料，生长InGaN薄层。在第2期间(P2)，在不供给镓原料的情况下，向生长炉(10)中供给铟原料。第2期间(P2)与第1期间(P1)连续。第1期间(P1)为时刻t3～t4、时刻t5～t6。在时刻t3～t4，生长InGaN薄层(24a)，在时刻t5～t6，生长InGaN薄层(26a)。第2期间(P2)为时刻t4～t5。活性层(21)的阱层(25)由多个InGaN薄层(24a、26a)构成。

公开(公告)号：CN101682172A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200980000378.9

申请日：2009-02-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  秋田胜史 ,  善积祐介

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3215 ,  H01S5/3407 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供了一种III族氮化物半导体激光器，该III族氮化物半导体激光器具有良好的光学限制特性，并且包括具有良好晶体质量的InGaN阱层。在第一光引导层(21)与第二光引导层(23)之间设置有源层(19)。有源层(19)可以包括阱层(27a)、(27b)和(27c)，并且还包括在所述阱层之间设置的至少一个第一势垒层(29a)。第一光引导层(21)和第二光引导层(23)分别包括比第一势垒层(29a)的带隙(E 29 )小的第一InGaN区21a和第InGaN区23a，并且因此可以使得第一光引导层(21)和第二光引导层(23)的平均折射率(n 引导 )大于第一势垒层(29a)的折射率(n 29 )。因此，实现了良好的光学限制。第一势垒层(29a)的带隙(E 29 )大于第一InGaN区(21a)的带隙(E 21 )和第二InGaN区(23a)的带隙(E 23 )。

公开(公告)号：CN101527426A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910126226.5

申请日：2009-03-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  秋田胜史 ,  善积祐介

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/10

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S2304/12

Abstract: 提供一种能够容易地进行激光腔的方向确定的、使用非极性或半极性晶片制造氮化物半导体激光器的方法。在准备好具有由六方晶系氮化镓半导体构成的晶体(2)及标志构造物(3)的基板体(1)后，沿着与标志构造物(3)交叉的平面切断基板体(1)，形成具有第1标志(7)的六方晶系氮化镓半导体晶片(5)。之后，形成含有氮化镓系半导体层且具有第2标志(27)的半导体重叠层(20)。接着，形成具有与第2标志(27)的方向一致地设置的开口(25a)的绝缘膜(25)。进一步，在绝缘膜(25)及半导体重叠层(20)上形成电极(28)，从而形成基板制品(40)。以劈开面劈开基板制品(40)。