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公开(公告)号：CN102426343B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201110254091.8
申请日：2011-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明涉及一种基于SQUID偏置电压反转的读出电路及低频噪声的抑制方法，其特征在于通过偏置反转电路，实现偏置反转，从而抑制低频噪声的产生，具体是所述的读出电路是由SBC构型SQUID低温部分和偏置反转读出电路两部分构成。抑制方法主要过程包括：(1)放大器输入偏置电压调整；(2)交流方法偏置电压加在；(3)磁通相位调整与直流磁通补偿；(4)载波消除；(5)积分反馈输出。本发明所涉及的电路结构相对简单，便于多通道集成，可广泛应用于生物磁、物探等低频测量。
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公开(公告)号：CN103016611A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210546662.X
申请日：2012-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于心磁图仪的减震装置及减震方法，所述的减震装置由两个同心圆环板材与若干个弹簧阻尼器构成，其中若干个弹簧阻尼减震器均匀分布在两片同心圆环板材之间，构筑成三明治结构。使用所述的减震装置的方法特征是减震橡胶为天然橡胶NR、顺丁橡胶BR或丁苯橡胶SRR。利用本发明提供的减震装置及方法可有效地衰弱振动传递且不额外引入噪声干扰，达到振动隔离的效果，从而衰弱耦合进人梯度计的振动噪声，提高了心磁信号信噪比，增强了心磁图仪的系统稳定性和可靠性，为心磁图仪的推广普及提供了良好的技术保障。
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公开(公告)号：CN101907693B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201010220629.9
申请日：2010-07-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R35/00 , G01R33/035
Abstract: 本发明涉及一种SQUID平面三轴磁强计串扰定量标定及消除方法，其特征在于平面三轴磁强计的串扰存在于反馈线圈与相邻SQUID之间，测试反馈线圈与SQUID间的互感可对串扰进行定量标定，在此基础上消除串扰。本方法包括以下步骤：(1)SQUID平面三轴磁强计准备；(2)三轴串扰定量标定；(3)串扰分析与消除。其特征是：采用平面裸SQUID组成的三轴磁强计代替传统线绕磁强计，以互感为指标标定串扰大小并进行消除。本发明的优点是：平面SQUID磁强计集成度高，避免了线路传输带来的磁通干扰，串扰的标定和消除保证了平面SQUID磁强计的优化使用。
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公开(公告)号：CN101893693A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010228159.0
申请日：2010-07-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/387 , G01R33/3875
Abstract: 本发明涉及一种基于空间相关性的磁场动态补偿系统和方法，该系统基于PID负反馈电子电路及环境磁场波动的空间相关性，利用大、小两套亥姆霍兹线圈架及两个磁通门计，可以实现三轴方向上环境磁场的动态补偿。本发明还公开了三种使用该系统的方法包括：（1）比例型磁场动态补偿方法；（2）串联积分型磁场动态补偿方法；（3）并联积分型磁场动态补偿方法。本发明的系统易于搭建、成本低、操作简单，并能够获得很好的动态补偿效果，同时方法可以最大程度地消除磁通门计对线圈中心处其他磁探测器件的影响，在基于SQUID的极低场核磁共振及其成像以及其他生物磁研究中有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN116224183A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310225080.X
申请日：2023-03-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种SQUID检测模块、芯片、传感器及磁测量系统，包括：反馈线圈、SQUID器件及第一约瑟夫森结，SQUID器件包括并联的第二约瑟夫森结及第三约瑟夫森结；反馈线圈、SQUID器件及第一约瑟夫森结的第一端连接在一起，并作为SQUID检测模块的第一连接端子；反馈线圈的第二端作为SQUID检测模块的第二连接端子；SQUID器件的第二端作为SQUID检测模块的第三连接端子；第一约瑟夫森结的第二端作为SQUID检测模块的第四连接端子。本发明能有效抑制直流偏移，引线电阻产生的直流偏移不影响传感器的工作点；运行简单，只需调节直流偏置电压，无需处理工作点电压偏移问题，大大降低系统操作难度，提高系统运行和维护效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115585400A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211194036.9
申请日：2022-09-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种液态低温介质输送装置、方法及超导器件工作系统，至少包括：增压部、输送部、控制部及屏蔽罩；输送部包括存储杜瓦及输送管；输送管的一端插入存储杜瓦中，另一端插入到工作杜瓦中；存储杜瓦内灌注有液态低温介质；工作杜瓦设置于屏蔽罩内，屏蔽罩用于屏蔽低温介质输送时工作杜瓦的外部的背景磁场，配合输送部同步使用；增压部通过管道与存储杜瓦连接；控制部包括称重器及显示器；称重器设置于工作杜瓦的下方，用于对工作杜瓦中的液态低温介质称重；称重器与显示器电连接。本发明用于解决现有技术中在利用低温介质降温时，出现磁通钉扎以及出现磁通钉扎蠕动，最终影响器件性能的问题。
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公开(公告)号：CN115436846A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211287490.9
申请日：2022-10-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/022 , G01R33/035
Abstract: 本发明提供超导量子干涉器磁平面梯度计、磁场探测方法及系统，包括：超导闭合回路及两个SQUID；超导闭合回路包括梯度线圈及两个输入线圈；梯度线圈由两个大小相等、绕向相反的感应线圈绕制而成，两个感应线圈互相关于第一对称轴对称；两个输入线圈大小相等，且沿着第一对称轴对称设置于梯度线圈的两侧，两个输入线圈与梯度线圈串联；两个SQUID沿所述第一对称轴对称设置于超导闭合回路的两侧，用于分别感应对应输入线圈的磁通，并将磁通转换为电压。本发明设置了全对称的磁梯度计，并通过单侧独立工作以及双侧联合工作的模式切换，避免了引入额外的超导回路带来的共模影响，有效的减少了梯度计的不平衡度，提高了器件整体的均匀性。
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公开(公告)号：CN114221629A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111088251.6
申请日：2021-09-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03F3/60
Abstract: 本发明提供一种平衡式超导量子干涉器件微波放大器及其制备方法，该平衡式超导量子干涉器件微波放大器包括第一3dB正交定向耦合器、第一阻抗匹配网络、第二阻抗匹配网络、第一超导量子干涉器件、第二超导量子干涉器件、第三阻抗匹配网络、第四阻抗匹配网络及第二3dB正交定向耦合器。本发明的平衡式超导量子干涉器件微波放大器的整个电路输入输出端是关于SQUID对称，相较于单路SQUID微波放大器电路，平衡式SQUID微波放大器不仅能够大幅度提升输入输出匹配性能，扩展器件工作带宽，更容易实现级联，还能够改善放大器饱和功率和良好稳定。平衡式SQUID微波放大器采用平面微纳制备工艺加工实现，与现有大部分超导器件制备工艺兼容，可大大提高相关低温探测系统集成度。
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公开(公告)号：CN113093067B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110348350.7
申请日：2021-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035 , G01R33/00
Abstract: 本发明提供一种超导量子干涉传感器系统及其抑制输出偏移的方法，所述方法包括：提供超导量子干涉传感器系统，并于其中增设引线电阻表征件；获取不同液面高度下引线电阻表征件的引线电阻及超导量子干涉器件的输出偏移量，并对二者进行线性拟合以得到引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系；基于引线电阻与输出偏移量之间的线性变化关系，得到当前液面高度下引线电阻表征件的引线电阻所对应的输出偏移量，并以此产生偏置电压补偿量来对SQUID读出电路提供的偏置电压进行修正，从而抑制超导量子干涉器件的输出偏移。通过本发明的超导量子干涉传感器系统及其抑制输出偏移的方法，解决了现有超导量子干涉器件因低温引线所引起的输出偏移的问题。
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公开(公告)号：CN112068047A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010962027.4
申请日：2020-09-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种改善超导量子器件EMC性能的器件结构与制备方法，器件结构包括衬底、第一金属层，绝缘结构层，第一金属层及金属屏蔽壳盖之间为超导量子干涉器件的结构区，该结构区其主要包括约瑟夫森结区、势垒层、自感环路和引线结构、配线层、输入线圈、反馈线圈和引线电极等。本发明可以提高超导量子干涉器件抗干扰能力，减小超导量子干涉器件的封装体积，提高使用系统集成度。本发明的屏蔽壳仅百微米量级，其本征谐振频率和低频截止频率远高于超导量子干涉器件工作点，避免对器件的影响。此外，集成屏蔽壳采用金属层，可以损耗约瑟夫森结高频辐射，在器件阵列中增加了相邻器件之间的隔离，避免相互串扰。
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