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公开(公告)号：CN206743226U
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201720579398.8
申请日：2017-05-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种基于MEMS工艺的220GHz接收机，涉及太赫兹技术领域。所述接收机包括通过MEMS工艺制作的Si基镀金盒体和位于所述盒体内的接收机电路，所述Si基镀金盒体包括位于内侧的Si壳体和位于Si壳体外侧的金属镀层。所述接收机的盒体为采用MEMS工艺实现的Si盒体，通过镀金实现和金属相同的功能，质量轻，大大降低了接收机的重量，且采用MEMS工艺，系统集成度更高。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205692840U
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201620576393.5
申请日：2016-06-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L23/544
Abstract: 本实用新型公开了一种背面带有标记的太赫兹肖特基二极管，涉及肖特基二极管技术领域。所述二极管包括太赫兹肖特基二极管本体，所述太赫兹肖特基二极管本体包括半绝缘GaAs衬底，所述半绝缘GaAs衬底的下表面设有标记，用于指示所述二极管本体正面的电极位置，区分阴极和阳极。通过在衬底的背面上制作标记，区分二极管的阳极和阴极，避免装配错误，提高了二极管倒装焊接的可辨识性和可使用性。
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公开(公告)号：CN205657651U
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201620478149.5
申请日：2016-05-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/14
Abstract: 本实用新型公开了一种太赫兹二倍频平衡式倍频电路，涉及用非正频率从一个独立信号源倍频或分频产生振荡的装置技术领域。所述倍频电路包括射频输入波导、石英基板和输出波导，在石英基板上倒装焊接两个分立的多管结GaAs基倍频二极管组件作为非线性倍频器件，两个GaAs基倍频二极管组件采用直流反向串联的形式，可以根据倍频电路的频率高低选择单管2管芯或者单管4管芯，通过在石英电路上对传输的电场进行模式转换，构成了一个二倍频平衡式电路。所述倍频电路中的肖特基二极管组件与输入波导分离，管结数量不再受制于输入波导的宽度，与传统平衡式倍频电路相比，承受输入功率的能力有所增加。
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公开(公告)号：CN204859113U
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201520567209.6
申请日：2015-07-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/00
Abstract: 本实用新型公开了一种用于太赫兹倍频链的新型混合集成电路，涉及太赫兹器件技术领域。所述电路包括射频输入波导、第一石英基板、射频输入过度微带线、第一传输微带线、第一低通滤波器、输入匹配微带线、第一GaAs太赫兹倍频二极管、第二传输微带线、第二GaAs太赫兹倍频二极管、输出匹配微带线、第四传输微带线、射频输出过渡微带线、射频输出波导、第三传输微带线、第二低频滤波器、第三低频滤波器、第一金丝跳线、第二金丝跳线、第二石英基板以及第三石英基板。所述混合集成电路可以获得4次倍频、6次倍频和9次倍频输出，且集成度高，小型化程度高，可以获得最大的功率输出，工艺简单。
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公开(公告)号：CN204596797U
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201520326936.3
申请日：2015-05-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/41
Abstract: 本实用新型公开了一种可偏置类混频GaAs基太赫兹肖特基二极管，涉及二极管技术领域。所述二极管包括位于衬底上的第一金属电极组件、第二金属电极组件、第一二极管组件和第二二极管组件，所述二极管通过将一端的金属电极组件分成两个小的分电极组件，可以在两个小的分电极组件上引入直流馈电，增加直流偏置，可选择偏置使二极管工作在变容管状态或变阻管状态，工作在容性状态，可以获得较好的倍频效率，工作在阻性状态，可以获得较大的工作带宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN204013404U
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201420455892.X
申请日：2014-08-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03D7/16
Abstract: 本实用新型公开了一种用于太赫兹混频器的新型混合集成电路，涉及电通信的传输装置技术领域。包括石英基板电路、GaAs基板电路、射频波导以及本振波导，GaAs基板电路包括GaAs基板和位于GaAs基板内的GaAs太赫兹肖特基二极管，所述GaAs太赫兹肖特基二极管的正面朝上，GaAs太赫兹肖特基二极管焊盘两端分别集成一段GaAs基的微带传输线或者悬置微带传输线，GaAs基的微带传输线或者悬置微带传输线分别与两侧的石英基板电路电连接。所述集成电路降低了器件微组装的工艺难度，与目前常用的混合集成电路形式相比，二极管的组装精度提高，可以降低混频器的变频损耗，使得混频器的测试结果更加接近设计结果。
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公开(公告)号：CN203760501U
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201420150501.3
申请日：2014-03-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/108 , H01L31/0352
Abstract: 本实用新型公开了一种GaN基等离子激元探测器，涉及半导体器件领域。自下至上包括衬底、AlN缓冲层、GaN层和AlGaN层，AlGaN层上方左侧和右侧为源端和漏端欧姆接触金属层，源端和漏端欧姆接触金属层与AlGaN和GaN层接触，且在AlGaN和GaN层上的厚度相等且大于AlGaN层厚度；中间为石墨烯层，包括第一、第二石墨烯层和石墨烯周期型栅肖特基接触层，且与AlGaN层和GaN层接触，第一与第二石墨烯层相连且呈T形，第二石墨烯层与石墨烯周期型栅肖特基接触层相连；第一石墨烯层上设有欧姆接触电极。本实用新型采用石墨烯周期型栅结构，与金属栅相比，增加了太赫兹波透过率和太赫兹波与二维电子气的耦合效率。
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公开(公告)号：CN203351611U
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201320462912.1
申请日：2013-07-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/08 , H01L29/20
Abstract: 本实用新型公开了一种基于极化掺杂的GaN横向肖特基二极管，属于半导体器件领域。本实用新型自下而上包括衬底、缓冲层和GaN层，在GaN层上设有渐变组分AlGaN层、与渐变组分AlGaN层横向结构形成的欧姆接触金属层和肖特基接触金属层，所述渐变组分AlGaN层的Al组分非均匀分布。该二极管与普通HEMT材料结构的二极管相比，有源区采用渐变组分AlGaN，减弱了由于电子聚集引起的可靠性问题；与硅掺杂形成N-/N+高低浓度结构的GaN肖特基二极管相比，本实用新型的串联电阻较小；与GaAs肖特基二极管相比，在同等肖特基结面积的情况下，可以承受更大的输入功率，且散热性能增强；与普通HEMT材料结构的二极管相比，本实用新型电容的非线性更强，更加适合作为变容器件，且器件结构简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN206743197U
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201720610872.9
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/16
Abstract: 本实用新型公开了一种双面石英鳍线太赫兹平衡式二次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、两个肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板正反面的前侧鳍线与后侧鳍线；位于正面的所述肖特基二极管的一端与正面的前侧鳍线电连接，位于正面的所述肖特基二极管的另一端与正面的后侧鳍线电连接，且所述肖特基二极管位于前侧鳍线与后侧鳍线间距离保持不变的位置处。所述电路使得射频输入输出波导可以在同一直线上，方便电路人员设计，同时加工更为简单；且石英电路采用双面电路，在正反两面均放置反向串联的肖特基二极管，可提高倍频效率，提高输出功率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206743193U
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201720609201.0
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种单面石英鳍线单二极管太赫兹平衡式二次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、反向串联的GaAs基太赫兹肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板上的前侧鳍线与后侧鳍线；所述肖特基二极管的一端与前侧鳍线电连接，所述肖特基二极管的另一端与后侧鳍线电连接，且所述肖特基二极管位于前侧鳍线与后侧鳍线间距离保持不变的位置处。所述电路与传统平衡式倍频电路相比，输入输出波导过渡均采用鳍线过渡，使得射频输入输出波导可以在同一直线上。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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