公开(公告)号：CN100394543C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200610007746.0

申请日：2006-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  村上贵宏

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H05H1/00 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种气体供给部件和等离子体处理装置，能够不滞留气体地向腔室供给气体。作为气体供给部件的导入气体喷淋头(32)，在气体孔(35)与腔室相对部侧的外缘部上具有相对于气体孔(35)的中心轴有n次旋转对称性(n是2以上的自然数)的斜面(201)。斜面(201)相对于电极板空间相对面的倾角是20°。此外，配置气体孔(35)的直径为2mm，彼此的间隔为5mm。

公开(公告)号：CN100378925C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510060171.4

申请日：2005-03-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  中山博之

IPC: H01L21/3065 ,  F04B37/10 ,  F04B37/14 ,  G01N15/00 ,  C03C4/00

Abstract: 提供一种可切实地监控包含易剥离的沉积物的颗粒，正确地评价真空装置的清洁度的真空装置及其颗粒监控方法、程序和颗粒监控用窗口部件。半导体制造装置(1000)具备用于对晶片实施制品化处理的处理室(100)。处理室(100)上部连接有设置了阀门(120)、用于导入清洗气体的吸气管线，在下部连接有设置了阀门a的预抽管线(200)。预抽管线(200)上设置有：排出处理室(100)内的气体的干式泵(220)、在阀门a和干式泵(220)之间监控颗粒的颗粒监控装置(210)。半导体制造装置(1000)通过打开阀门(120)，供给清洗气体，将冲击波所产生的物理性振动赋予处理室(100)内，使沉积物剥离，监控颗粒。

公开(公告)号：CN101134203A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710147767.7

申请日：2007-08-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚

IPC: B08B7/00 ,  B08B7/04

Abstract: 本发明提供了可以高效率而且充分地洗涤面向狭小空间的结构部件的洗涤装置。洗涤装置(100)具有主体(120)和从主体(120)内部弯曲自由地延伸的二层管喷嘴(110)。二层管喷嘴(110)具有喷出管(114)和包围该喷出管(114)的吸引管(112)，喷出管(114)的喷出口(114a)在吸引管(112)的吸引(112a)内开口。喷出管(114)在其喷出口(114a)附近有缩颈部(114b)，在该缩颈部(114b)中使供给的给定气体加速。结果，该气体的一部分被空气溶胶化，并且该气体由于加速而形成冲击波。这样，喷出管(114)将包含气体和由与该气体相同的物质构成的空气溶胶的冲击波，向着附着在结构物(50)表面上的颗粒(P)喷出。

公开(公告)号：CN101082560A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710139134.1

申请日：2005-03-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  中山博之

IPC: G01N15/00 ,  G01N15/02 ,  G01N15/06 ,  B08B9/08

Abstract: 提供一种可切实地监控包含易剥离的沉积物的颗粒，正确地评价真空装置的清洁度的颗粒监控用窗口部件。该颗粒监控用窗口部件，由在形成预定空间的框体和监控该框体内的颗粒的颗粒监控装置之间设置的透明基件制成，基件由透明的基座和在与该基座上的所述框体内的气体相对面的面上实施预定处理的表面处理层构成。

公开(公告)号：CN1691288A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510067931.4

申请日：2005-04-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  中山博之

IPC: H01L21/302

Abstract: 本发明提供一种不损伤基板，可以充分去除附着于基板的背面的异物的基板清洗装置。作为基板清洗装置的等离子体处理装置(1)备有：腔室(10)；配置于该腔室(10)内并载置晶片(W)的基座(11)；配置于该基座(11)，施加高电压的电极板(20)；给所述腔室(10)内排气的粗排放管线；在基座(11)和晶片(W)之间产生空间(S)的顶推销(30)；把N2气体供给到空间(S)的传热气体供给孔(27)，和向腔室10内导入处理气体等的浇淋头(33)，在生成空间S时，极性不同的高电压交互地施加于电极板(20)，N2气体向着晶片(W)的背面喷出到空间(S)，并且腔室(10)内被排气，进而在腔室(10)内被减压时，N2气体向腔室(10)导入。

公开(公告)号：CN1677624A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510059395.3

申请日：2005-03-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  中山博之

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23F4/00 ,  C23C16/50 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01J37/32431 ,  H01J2237/022

Abstract: 本发明提供可以抑制颗粒附着而防止晶片污染的等离子体处理装置以及方法。等离子体处理装置具备对晶片进行等离子体处理的处理室(100)。处理室(100)具备腔室侧壁(110)、上部电极(111)、为了用静电将晶片吸附在ESC台(120)而被埋设的吸附晶片用的ESC电极(120a)、配置在晶片的外周上的聚焦环(121)以及ESC台(120)。在ESC台(120)上，为了用静电将聚焦环(121)吸附在ESC台(120)而埋设吸附FR用的ESC电极(122a)。等离子体处理装置在进行等离子体处理中向ESC电极(120a、122a)供给不同电位的电力。