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公开(公告)号：CN111442729B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202010300801.5
申请日：2020-04-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明涉及一种基于布洛赫表面波单向耦合效应的位移传感装置，包括泄漏辐射显微系统，所述泄漏辐射显微系统沿光信号走向依次包括激光器、透镜组、偏振片、半玻片、入射物镜、位移平台、收集物镜、收集透镜以及成像相机，所述位移平台上设有位移传感芯片，所述位移传感芯片为布洛赫表面波单向耦合芯片。本发明使用的入射光场简单，无需矢量光束整形，并且布洛赫表面光场消光比随入射光场与芯片的相对位移变化剧烈，使得传感灵敏度和精度高、响应速度快。同时，本发明还提高了量程。另外，本发明使用的布洛赫表面波单向耦合芯片为全介质结构，易储存，重复利用率高，且该芯片容错率高，易于加工，降低了加工难度。
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公开(公告)号：CN111600195B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010383180.1
申请日：2020-05-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体和光电集成技术领域，特别是涉及一种硅基单片集成激光器及其制备方法，包括：衬底层、埋氧化层、硅波导器件、上覆层和三维波导器件；所述埋氧化层上设有图形化的限向结构；所述限向结构内设有激光器结构；所述硅波导器件设置在所述埋氧化层上；所述埋氧化层、所述激光器结构和所述硅波导器件远离所述衬底层的表面形成第一表面，所述上覆层设置在所述第一表面上；所述三维波导器件设置在所述上覆层上。通过在激光器结构有源区上方引入三维波导结构，实现激光器结构有源区和硅波导之间高质量的光学连接。
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公开(公告)号：CN112311466A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011256744.1
申请日：2020-11-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H04B10/40 , H04B10/516 , G01K13/00
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，本发明公开了一种集成光收发器，其包括集成连接的片上组件、片外组件和温度传感器；该片上组件包括硅基滤波件，该硅基滤波件用于实现不同波长的光的合波或者分波；该温度传感器用于监测该片上组件的温度；该片外组件包括片外滤波器，该片外滤波器与该硅基滤波件连接，该片外滤波器用于接收该温度传感器监测的温度，当该温度小于预设温度时，调整波长偏离的光的波长于原波长的位置，从而本申请提供的集成光收发器具有成本高、尺寸小和性能好的特点。
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公开(公告)号：CN111722321A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010060074.X
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/30
Abstract: 本申请涉及一种光膜转换器及其制备方法，该光膜转换器集成在硅波导上，并与光纤连接。光膜转换器包括衬底层、电介质层、第一波导层和第二波导层；第一波导层包括第一波导和第一电介质槽；第一波导的顶部和第二波导层接触，第一波导的底部和电介质层接触；第一波导的宽度由远离光纤至靠近光纤的一端逐渐增大；第一电介质槽围绕设置于第一波导的外侧；第一电介质槽的底部与电介质层连通；第二波导层包括第二波导；第二波导朝向光纤的端面与第一波导朝向光纤的端面互相配合，用于耦合光纤。本申请通过上述光膜转换器实现光膜尺度从硅波导到光纤的尺度转换，如此，可以降低芯片与光纤光耦合损耗，可以降低光纤成本。
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公开(公告)号：CN111458792A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010301643.5
申请日：2020-04-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明涉及一种基于不对称双狭缝结构的布洛赫表面波单向耦合芯片，包括一玻璃基底以及排布在该玻璃基底上的布拉格反射单元，所述布拉格反射单元中设有不对称双狭缝结构。本发明结构简单，并且本发明对狭缝长度没有严格要求，狭缝宽度和深度容错率高，降低了加工的难度。同时，本发明对入射光要求简单，仅需要偏振高斯光即可实现BSW单向传输功能，无需复杂的柱矢量光场。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111442729A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010300801.5
申请日：2020-04-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明涉及一种基于布洛赫表面波单向耦合效应的位移传感装置，包括泄漏辐射显微系统，所述泄漏辐射显微系统沿光信号走向依次包括激光器、透镜组、偏振片、半玻片、入射物镜、位移平台、收集物镜、收集透镜以及成像相机，所述位移平台上设有位移传感芯片，所述位移传感芯片为布洛赫表面波单向耦合芯片。本发明使用的入射光场简单，无需矢量光束整形，并且布洛赫表面光场消光比随入射光场与芯片的相对位移变化剧烈，使得传感灵敏度和精度高、响应速度快。同时，本发明还提高了量程。另外，本发明使用的布洛赫表面波单向耦合芯片为全介质结构，易储存，重复利用率高，且该芯片容错率高，易于加工，降低了加工难度。
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公开(公告)号：CN105652371B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201410664561.1
申请日：2014-11-14
Applicant: 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种偏振分束器，所述偏振分束器至少包括：形成在SOI材料的顶层硅上的波导，所述波导至少包括第一级Y分支波导、第二级Y分支波导、第三级Y分支波导，以及模式转化器；所述第二级Y分支波导包括第三分支波导和第四分支波导；其中，所述模式转化器连接第一级Y分支波导的根波导和第二级Y分支波导的根波导；所述第四分支波导连接所述第三级Y分支波导的根波导；所述第一级Y分支波导的根波导的宽度S1的取值范围为S1>1μm。本发明提供的偏振分束器具有几百纳米的工作带宽和较为简单的加工工艺。
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公开(公告)号：CN108227075A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810218999.5
申请日：2018-03-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种弯曲波导结构、制备方法及基于所述弯曲波导结构的偏振分束旋转器，弯曲波导结构包括：衬底；第一波导，弯曲设置于衬底上，包括第一耦合区；第二波导，弯曲设置于衬底上，第二波导包括与第一耦合区耦合的第二耦合区，第二波导与第一波导之间具有预设间距，第二耦合区包括下部波导及位于下部波导上方的上部波导，下部波导与上部波导的截面宽度不同。通过上述方案，本发明提供的弯曲波导结构，通过改进外部波导的结构，在整体波导结构中引入了非对称结构的设计，使得外部波导的耦合区的两端以及上下均具有不同的尺寸，该非对称性设计具有增大带宽的作用，解决了现有波导结构的对波长敏感问题，进一步拓宽了弯曲波导结构的实际应用。
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公开(公告)号：CN108153001A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201611103311.6
申请日：2016-12-05
Applicant: 上海新微科技服务有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中科院南通光电工程中心
IPC: G02F1/05
Abstract: 本发明提供一种大带宽硅基光调制器，包括：基底及其上的绝缘层；n型掺杂硅层，位于所述绝缘层之上；p型掺杂硅层，位于所述n型掺杂硅层之上；铁电薄膜，位于所述p型掺杂硅层之上；其中，所述n型掺杂硅层接地，所述p型掺杂硅层接控制信号，所述铁电薄膜接控制信号。本发明有效的将铁电薄膜与普通的硅基光调制器集成在一起，利用铁电薄膜极化时的场强，大幅度提升了光调制器中载流子浓度的变化范围及灵敏度，从而提升了光调制器的调制带宽。本发明可直接用于硅基光调制器，也可以用于马赫-曾德尔型光调制器的两臂，后者可以进一步增大调制器的调制宽度。本发明结构简单，控制方便，工艺与CMOS兼容，很适合工业推广。
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公开(公告)号：CN104730643B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201510173591.7
申请日：2015-04-13
Applicant: 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/27
Abstract: 本发明提供一种具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器及其设计方法，其中，所述设计方法至少包括：将所述多模干涉耦合器中的多模区设计为矩形波导，确定所述多模区的尺寸，其方法如下：分析计算所述多模区各阶模的有效折射率，以得到横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差及其与所述多模区的宽度、厚度的对应关系图；预先选定所述多模区所需的厚度，在所述横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差为零的条件下，根据所述对应关系图确定所述多模区所需的宽度和长度，以使所述多模干涉耦合器工作时能够具有偏振不敏感特性。本发明的设计方法，通过最佳化的设计器件各个尺寸，实现偏振不敏感特性的90°相移光混合器。
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