公开(公告)号：CN100393730C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200410090025.1

申请日：2004-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宣钟白 ,  郑铉潭 ,  李光熙 ,  马相国 ,  申铉振

IPC: C07F7/21 ,  C08G77/08 ,  H01L21/312

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08G77/045 ,  C08G77/06 ,  C08G77/50 ,  Y10T428/31663

Abstract: 一种多官能的环状硅酸盐(或酯)化合物，由该硅酸盐(或酯)化合物制备得到的基于硅氧烷的聚合物和使用基于硅氧烷的聚合物生产绝缘膜的方法。本发明的硅酸盐(或酯)化合物与常规的发孔材料高度相容，并且几乎不吸湿，因而可用于制备适于SOG方法的基于硅氧烷的聚合物。此外，通过使用基于硅氧烷的聚合物制备得到的膜，在机械性能、热稳定性和抗龟裂性方面是优良的，并且由于它的低吸湿性，在绝缘性质上有增强。因此，在半导体生产方面，本发明的膜可很好地用作绝缘膜。

公开(公告)号：CN101165883A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710162507.7

申请日：2007-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹善美 ,  崔在荣 ,  李东旗 ,  崔诚宰 ,  申铉振

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/28 ,  H01L27/146 ,  H01L27/32 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01J17/04 ,  H01J29/02 ,  H01J9/02 ,  G06F3/042 ,  G02F1/1343

CPC classification number: H01J9/02 ,  B82Y10/00 ,  G02F1/13439 ,  H01B1/127 ,  H01B1/24 ,  H01J1/02

Abstract: 本发明公开了一种利用导电分散剂的透明碳纳米管(CNT)电极。该透明CNT电极包括透明基底和形成在透明基底的表面上的CNT薄膜，其中，CNT薄膜由包含CNT和掺杂的分散剂的CNT组合物形成。本发明还公开了一种该透明CNT电极的制造方法。该透明CNT电极显示出优异的导电性，可以通过室温湿法工艺按照经济且简单的方式制造该透明CNT电极，并且该透明CNT电极可应用于柔性显示器。该透明CTN电极可用于制造需要具有透光性和导电性的各种装置，包括图像传感器、太阳能电池、液晶显示器、有机电致发光(EL)显示器和触摸屏面板。

公开(公告)号：CN100383147C

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200410076698.1

申请日：2004-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  郑铉潭 ,  宣钟白 ,  马相国 ,  林珍亨 ,  李在俊 ,  李光熙 ,  金正培

IPC: C07F7/21 ,  C08G77/14 ,  H01L21/31

CPC classification number: C07F7/21 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明公开了一种多官能环状硅氧烷化合物(A)，硅氧烷基(共)聚合物，其由化合物(A)制备，或由化合物(A)和至少一种具有有机桥连(organic bridge)的硅单体(B)、无环烷氧基硅烷单体(C)和线形硅氧烷单体(D)制备；和一种用该聚合物制备介电薄膜的方法。本发明的硅氧烷化合物是高度活性的，因此由其制备的聚合物具有优良的机械性能、热稳定性和抗裂性，以及与常规成孔材料相容而得到的低介电常数。此外，低含碳量和高二氧化硅含量增强了其在半导体方法中的适用性，因此，这种膜非常适宜用作介电薄膜。