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公开(公告)号：CN116534807A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310493478.1
申请日：2023-05-05
申请人： 济南德亨医学科技有限公司
发明人： 亓德胜 , 杨萍 , 卡塔日娜•马特拉斯•波斯托莱克 , 张晓 , 蒋三平 , 张爱玉 , 朱元娜 , 曹永强 , 李忠春 , 孙燕燕 , 武建伟 , 陈国宁 , 孙相美 , 杨彩月 , 沈付娆
IPC分类号： C01B19/04 , B82Y30/00 , C09K11/02 , C09K11/88 , G01N33/543
摘要： 本发明公开了一种CdSe纳米颗粒的改性方法及所得产品，将预水解的含氨基的硅烷试剂加入CdSe纳米颗粒溶液中搅拌，得到含有硅烷层的CdSe纳米颗粒溶液；将含有硅烷层的CdSe纳米颗粒溶液均匀分散到含氨基的硅烷试剂水解形成的粘性溶胶中，静置得到含CdSe纳米颗粒的SiO2凝胶玻璃；将SiO2凝胶玻璃进行高温热处理，然后放入液氮中进行淬冷处理，再用强碱进行清洗，得到改性的纳米颗粒。本发明解决了CdSe量子点稳定性差及发光效率低的问题，改性后CdSe量子点发光稳定性好，发光效率高，分散性好不易团聚，在发光显示及过敏源检测等领域有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN116507145A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310042386.1
申请日：2023-01-28
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本发明涉及半导体纳米颗粒、其制造方法、以及包括其的电致发光器件和显示设备。电致发光器件包括第一电极、第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层，所述发光层包括多个半导体纳米颗粒，其中所述发光层配置成发射绿色光，其中所述多个半导体纳米颗粒包括：包括铟、磷、和任选地锌的第一半导体纳米晶体，和包括锌硫属化物的第二半导体纳米晶体，其中所述锌硫属化物包括锌、硒和硫，其中在所述多个半导体纳米颗粒中，锌对铟的摩尔比大于或等于约60:1，和其中所述电致发光器件配置成呈现出如以约2700尼特的初始驱动亮度测量的大于或等于约120小时的T90。
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公开(公告)号：CN115074130B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210612477.X
申请日：2022-05-31
申请人： 北京理工大学
摘要： 本申请公开了一种长波长合金化PbxSn1‑xSe量子点及其制备方法、应用。所述长波长合金化PbxSn1‑xSe量子点的吸收峰位置在1646‑2271nm波段；所述长波长合金化PbxSn1‑xSe量子点的直径为6‑6.5nm。并公开了所述长波长合金化PbxSn1‑xSe量子点的制备方法，通过热注入法，先加热得到铅和锡的共混前驱体溶液，然后在一定温度下注入硒前驱体溶液，反应得到合金化的PbxSn1‑xSe量子点。解决了PbSe量子点的Sn合金化问题，解决了将PbSe的吸收推向长波长的难题。
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公开(公告)号：CN116463122A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310367262.0
申请日：2023-04-07
申请人： 复旦大学
摘要： 本发明涉及一种基于喷墨打印技术制备的荧光液晶纳米复合材料，包括胆甾相液晶聚合物薄膜、小分子液晶和荧光纳米颗粒，其中小分子液晶和荧光纳米颗粒通过喷墨打印技术引入胆甾相液晶聚合物薄膜中。与现有技术相比，本发明由于荧光纳米颗粒和胆甾相液晶聚合物网络彼此独立，因此荧光色和结构色的调节互不干扰，可实现荧光液晶纳米复合材料两种颜色的全色域调控，突破了传统荧光液晶材料在拓宽色域和保持液晶排列间难以平衡的困境。本发明在光学多路复用成像、高级防伪技术、光学信息存储和图案激光器等领域具有潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN116426285A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202111665911.2
申请日：2021-12-31
申请人： TCL科技集团股份有限公司
发明人： 王元
IPC分类号： C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H10K50/115
摘要： 本申请实施例公开了一种量子点的制备方法及制得的量子点、量子点发光二极管，涉及光电技术领域。量子点的制备方法包括：提供量子点前驱体溶液、水；以及在200～300℃的条件下将量子点前躯体溶液与水混合。通过该方法可以避免量子点在合成过程中过度生长，从而有效控制量子点尺寸和荧光波长。
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公开(公告)号：CN116426271A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202111678095.9
申请日：2021-12-31
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种量子点、量子点组合物、发光二极管及显示装置，所述量子点的结构包括量子点核/壳层1/······/壳层n，其中，n为大于等于1整数，所述量子点满足以下条件：ECB壳层n‑ECB核≤0.4eV (1)其中，ECB壳层n为量子点的最外层壳层n的导带底能级，ECB核为量子点核的导带底能级，1≤m≤n。所述量子点具有空穴限域、电子非限域的特性，可以阻挡空穴进入量子点核的内部，而使电子顺利的进入量子点核的内部。
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公开(公告)号：CN116410751A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111670612.8
申请日：2021-12-31
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本申请公开一种量子点、量子点组合物、发光二极管及显示装置，所述量子点的结构包括量子点核/壳层1/······/壳层n，所述量子点中至少存在一第x层壳层，当x＝1时，壳层1的导带底能级小于与其相邻的量子点核的导带底能级及壳层2的导带底能级，当2≤x
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公开(公告)号：CN116410733A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111623430.5
申请日：2021-12-28
申请人： TCL科技集团股份有限公司
IPC分类号： C09K11/02 , C09K11/88 , C09K11/56 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , H10K50/16 , H10K50/165 , H10K50/115 , H10K71/00 , H10K85/60 , H10K59/10
摘要： 本申请提供一种复合材料及制备方法、光电器件及制备方法和显示装置，复合材料包括：电子传输材料；以及改性黑磷量子点，其中，改性黑磷量子点包括用于与电子传输材料形成异质结的黑磷量子点以及结合于黑磷量子点表面的含巯基的苯并咪唑化合物。本申请在电子传输材料中引入了含巯基的苯并咪唑化合物修饰的黑磷量子点，由于引入的含巯基的苯并咪唑化合物修饰的黑磷量子点存在孤对电子，孤对电子与电子传输材料以及发光层量子点之间的强相互作用，促进了黑磷基的杂化材料的合成，增加了层与层之间的结合性能，产生了协同效应，提高了器件的电子传输能力及器件寿命。
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公开(公告)号：CN116355608A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202111623088.9
申请日：2021-12-28
申请人： 财团法人工业技术研究院
摘要： 本发明公开一种光转换材料及其制备方法，其中该光转换材料包括：光转换混掺颗粒、包覆光转换混掺颗粒的第一包覆材料、以及形成于第一包覆材料上并包覆光转换混掺颗粒的第二包覆材料。所述的光转换混掺颗粒包含基质，以及均匀地分散于基质中的多个量子点。所述第一包覆材料包括氧化硅。所述第一包覆材料的FTIR的图谱中，于939cm‑1的吸亮度(A939)与于1000～1150cm‑1的吸亮度峰值(A1000～1150)的比值α(吸亮度比α：A939/A1000～1150)小于等于0.8。
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公开(公告)号：CN113122228B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201911406945.2
申请日：2019-12-31
申请人： TCL科技集团股份有限公司
IPC分类号： C09K11/02 , C09K11/88 , H10K50/115
摘要： 本发明属于量子点技术领域，尤其涉及一种量子点，所述量子点的表面结合有含钛有机配体。本发明量子点通过表面结合有含钛有机配体，不但能够减少量子点表面的缺陷态和量子点缺陷能力，减少非辐射跃迁，而且可以提高量子点膜层中的载流子的传输效率，使得空穴和电子更容易渗透到发光层里层，进一步提高发光效率。
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