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公开(公告)号：CN1093200A
公开(公告)日：1994-10-05
申请号：CN94100193.8
申请日：1994-01-07
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G09G1/22 , G09G3/2011 , H01J1/316 , H01J31/127 , H01J2201/3165
Abstract: 一种电子束发生装置的驱动方法包含：在电子束调制过程中，将一个截止电压加于第一调制器，其邻近的第二调制器加有“通”电压作为信息信号。这种电子束发生装置有一个含有很多电子发射器件的电子源以及很多根据信息信号对电子源发射的电子束进行调制的调制器。
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公开(公告)号：CN101499390B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200810066050.4
申请日：2008-02-01
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/04 , H01J1/3044 , H01J1/316 , H01J9/025 , H01J9/027 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2201/3165 , H01J2329/0455 , H01J2329/0489
Abstract: 本发明涉及一种电子发射器件，其包括：一绝缘基底；多个平行且等间隔排列的第一电极与多个平行且等间隔排列的第二电极设置于绝缘基底上，每两个相邻的第一电极与每两个相邻的第二电极形成一个网格；多个电子发射单元分别对应设置于每个网格内，每个电子发射单元中设有至少一个电子发射体，该电子发射体的两端分别与所述第一电极和第二电极电连接，所述电子发射体具有一间隙，并在该间隙处形成两个尖端，每个尖端具有多个电子发射尖端。
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公开(公告)号：CN1921051B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200610115094.2
申请日：2006-08-24
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/316 , H01J29/04 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2201/3165 , H01J2329/0489
Abstract: 本发明实现了这样的一种电极结构：其以可靠的方式快速地引起消孤而不会维持放电电流，并提供了一种配备有这种电极结构的电子源和图像显示设备。器件电极2和3在它们连接到扫描布线6和信号布线4的区域中部分地变窄，使扫描布线6和信号布线4绝缘的绝缘层5延伸以覆盖器件电极2和3的狭窄部分。
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公开(公告)号：CN101673653A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910170514.0
申请日：2009-09-04
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/316 , H01J1/3046 , H01J31/127 , H01J2201/30423 , H01J2201/3165 , H01J2329/0423 , H01J2329/0489
Abstract: 本发明公开了一种电子束器件以及使用所述电子束器件的图像显示装置。在采用提供栅极和阴极以将绝缘构件上形成的凹部夹在中间的电子发射器件的电子束器件中，电子在与栅极碰撞之后被散射然后被提取，使得能容易地获得稳定的电子发射特性，并且即使当产生过多热量时也防止电子发射器件因过热而劣化或者断裂。所述电子发射器件包括：阴极，其具有突起(30)，该突起被定位成跨越所述绝缘构件的外表面和所述绝缘构件中形成的凹部的内表面；以及栅极，包括至少两个导电层的叠层结构。在面对所述突起的部分处布置的导电层的热膨胀系数大于另一导电层的热膨胀系数。
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公开(公告)号：CN101615542A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910150571.2
申请日：2009-06-26
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 岛津晃
CPC classification number: H01J9/027 , H01J1/316 , H01J31/127 , H01J2201/3165 , H01J2329/0489
Abstract: 本发明涉及一种电子发射器件、电子发射器件的制造方法、电子源及图像显示装置。所提供的是一种电子发射器件，其电子发射效率优异，并可获得大的电子发射量和稳定的电子发射特性。电子发射器件包括：通过第一间隙设置的第一导电膜和第二导电膜；与第一导电膜连接的第一碳膜；以及与第二导电膜连接、并通过第二间隙和第三间隙与第一碳膜相对的第二碳膜。在第二间隙和第三间隙中设置有连续的凹部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101582358A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910140873.1
申请日：2009-05-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/316 , H01J31/127 , H01J2201/3165 , H01J2329/0489
Abstract: 本发明公开一种电子发射器件和图像显示装置。所述电子发射器件具有：形成在基板上的一对器件电极、和连接到器件电极的导电膜。导电膜在器件电极之间具有第一间隙、并且至少在第一间隙中具有碳膜，所述碳膜具有第二间隙。基板是通过在基体上层叠含氮的激活抑制层和含氮率小于激活抑制层的含氮率的激活促进层形成的，并且沿膜厚度方向在激活抑制层中具有含氮率分布。激活促进层侧的激活抑制层的含氮率小于基体侧的激活抑制层的含氮率。
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公开(公告)号：CN101582355A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910140869.5
申请日：2009-05-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/316 , H01J9/027 , H01J2201/3165 , H01J2329/0481 , H01J2329/0489
Abstract: 本发明提供一种长时期保持具有最小波动的稳定电子发射性能的电子发射器，所述电子发射器包括：在绝缘基板上形成的至少一对电极和形成为使所述电极互连的多个导电膜，其中，所述导电膜中的每一个在所述电极之间具有间隙，所述电极之间的距离L1和所述导电膜沿与所述电极彼此相对的方向正交的方向的宽度W1满足W1/L1≤0.18，并且所述导电膜的薄层电阻在1×102至1×107Ω/□的范围内。并且，本发明提供一种通过使用长时期保持具有最小波动的稳定电子发射性能的电子发射器而长时期表现出小波动的长寿命图像显示装置。
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公开(公告)号：CN100533646C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200510074218.2
申请日：2005-05-31
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 安藤洋一
CPC classification number: H01J29/04 , H01J1/316 , H01J29/028 , H01J29/864 , H01J31/127 , H01J2201/3165 , H01J2329/8625 , H01J2329/864 , H01J2329/8645 , H01J2329/8665
Abstract: 提供一种图像显示装置，目的是在不改变隔离物的设计的情况下补偿由于隔离物引起的电子束的不规则偏离。把固定有形成了多个发射电子的电子发射元件(8)的电子源基板(9)的背面板(1)、和形成了用来加速上述电子的金属背板(11)的前面板(2)对置配置，用隔离物(3)以一定的间隔支撑这些面板，从电子发射元件(8)发射的电子的初速矢量随与隔离物(3)的距离不同而不同。
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公开(公告)号：CN101364511A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810145636.X
申请日：2008-08-07
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/316 , H01J31/127 , H01J2201/3165 , H01J2329/0489
Abstract: 本发明公开了一种电子发射器件和图像显示装置。电子发射器件包括：形成在绝缘基板上的一对器件电极；以及导电膜，其形成为连接所述器件电极并且具有电子发射部分，其中，所述导电膜具有3nm至50nm的厚度，并且用贵金属以及贱金属的氧化物制成，在被包含在所述导电膜中的金属之中的贱金属的百分比是30mol％或更多，并且所述导电膜在厚度方向上具有所述贱金属的氧化物的浓度梯度。
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公开(公告)号：CN101359567A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810129452.4
申请日：2008-07-31
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/316 , B82Y30/00 , C01G23/047 , C01G51/04 , C01G53/04 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/127 , C23C18/1295 , C23C30/00 , H01J31/127 , H01J2201/3165 , H01J2329/0489 , Y10T428/26
Abstract: 一种在衬底上形成的由金属或合金制成的厚度从3nm到50nm的导电膜，其中所述导电膜的密度对该金属或合金的块体密度的比为0.2到0.5，所述导电膜的电阻率对该金属或合金的块体电阻率的比是100到100000。
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