含Cu量分层变化的铜铟镓硒薄膜的磁控溅射制备方法

    公开(公告)号:CN102412341A

    公开(公告)日:2012-04-11

    申请号:CN201110348538.8

    申请日:2011-11-07

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种含Cu量分层变化的铜铟镓硒薄膜的磁控溅射制备方法,其做法是:将CuIn0.7Ga0.3Se2靶材,交替进行低功率密度溅射和高功率密度溅射,交替次数至少为一次;每次交替中均先进行低功率密度溅射形成一层含Cu量高的沉积层,后进行高功率密度溅射形成含Cu量低的沉积层;最后在真空中热处理形成含Cu量分层变化的CIGS光吸收层薄膜。该法可以方便的制备出所需要的Cu含量分层变化的铜铟镓硒薄膜,制备时只需一个靶材,制备方法简单,对设备要求低,工艺稳定;且制备的薄膜各层的成分均匀性好,薄膜质量高。

    一种YBCO超导薄膜靶材的制备方法

    公开(公告)号:CN101492291B

    公开(公告)日:2012-01-25

    申请号:CN200910058543.8

    申请日:2009-03-09

    CPC classification number: Y02E40/64

    Abstract: 一种YBCO超导薄膜靶材的制备方法,其作法是:A、YBCO超导相粉末的制备。B、压片将A步制备的粉末,置于模具中,在压机上用20-30MPa的压力加压制片;将压制得到的片放在橡胶包套里,于150-200MPa的压强下进行冷等静压,得超导片材;C、片材的烧结将B步所得的超导片材在箱式炉中烧结20-30小时,烧结温度为850-960℃;D、渗氧将C步烧结后的超导片材放在管式炉里,在温度450-500℃下,渗氧处理2-3小时,即得。该方法制备的靶材均匀、形状好、致密度高,超导性能好;且其成本低,适宜于靶材的大批量生产。

    一种制备高温超导涂层导体SrZrO3缓冲层薄膜的方法

    公开(公告)号:CN102176349A

    公开(公告)日:2011-09-07

    申请号:CN201110009391.X

    申请日:2011-01-17

    CPC classification number: Y02E40/642

    Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体SrZrO3缓冲层薄膜的方法,涉及高温超导材料制备技术领域,该方法制备的薄膜有极好的化学兼容性,能有效地阻挡Ni和ReBCO中的Cu的相互扩散。本发明制备过程包括以下步骤:将乙酸锶和乙酰丙酮锆溶解在丙酸中,形成无水溶液;向无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛(PVB),制成成膜性好的胶体;再将胶体涂覆在基片上,干燥后,放入烧结炉中烧结成相,即得锶锆氧(SrZrO3)高温超导涂层导体缓冲层。

    一种制备高温超导涂层导体BaZrO3缓冲层薄膜的方法

    公开(公告)号:CN102157675A

    公开(公告)日:2011-08-17

    申请号:CN201110009810.X

    申请日:2011-01-17

    Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体BaZrO3缓冲层薄膜的方法,属于高温超导材料制备技术领域。该方法制备的薄膜有极好的化学兼容性,能有效地阻挡Ni和ReBCO中的Cu的相互扩散。本发明包括以下步骤:将乙酸钡和乙酰丙酮锆溶解在丙酸中,形成无水溶液;向无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛(PVB),制成成膜性好的胶体;再将胶体涂覆在基片上,干燥后,放入烧结炉中烧结成相,即得钡锆氧(BaZrO3)高温超导涂层导体缓冲层。该方法成本不高,制作工艺简单,操作控制容易,不污染环境。

    一种制备氟化稀土的方法
    116.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101348274B

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN200810045898.9

    申请日:2008-08-27

    Abstract: 一种制备氟化稀土的方法,由以下步骤组成:a、配制乙酸稀土水溶液:按氧化稀土与乙酸的摩尔比为1∶6~8,将氧化稀土溶于20%—40%的稀乙酸中,形成乙酸稀土水溶液。b、配制氟化铵水溶液:取6~6.5倍氧化稀土摩尔量的氟化铵,溶于去离子水中,形成氟化铵水溶液。c、氟化稀土制备:将a步的乙酸稀土水溶液与b步的氟化铵水溶液混合、反应,并沉淀出氟化稀土。d、干燥和烧结:c步将沉淀出的氟化稀土在70~100℃真空干燥后,在烧结炉中250~350℃下烧结5~10小时。该方法不腐蚀设备,不污染环境,工艺简单,能耗低,便于工业化生产;并且制备的产品纯度高。

    一种掺杂二硼化镁超导材料的制备方法

    公开(公告)号:CN101462881A

    公开(公告)日:2009-06-24

    申请号:CN200910058021.8

    申请日:2009-01-05

    CPC classification number: Y02E40/64

    Abstract: 一种掺杂二硼化镁超导材料的制备方法,其作法是:按摩尔比1∶0.7-2.5分别称量镁粉和硼粉;再按镁粉和硼粉的总质量与掺杂物的质量比1∶0.01-1称量掺杂物,掺杂物为山梨酸或山梨酸盐中的一种;将镁粉、硼粉和掺杂物的粉末均匀混合成混合粉末;然后在氩气气氛保护下进行烧结,烧结的温度为600℃-1200℃、保温时间0.5-12个小时,即得。该方法制备时间短,反应温度低,效率高,成本低,尤其适合于工业化生产;利用该法制备的二硼化镁超导材料,临界电流密度显著提高,尤其是在高磁场下临界电流密很高,有利于其在高磁场下的应用,实用性强。

    一种掺杂碘化锌的铌三铝超导线材的制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119049795A

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN202411237232.9

    申请日:2024-09-04

    Abstract: 本发明公开了一种掺杂碘化锌的铌三铝超导线材的制备方法和应用,涉及超导材料技术领域。在制备过程中向Nb粉和铝粉中掺入碘化锌,经管式炉加热,碘化锌在1150℃左右分解为Zn和I,通过I和Nb在1150℃左右发生化合反应,且该过程边发生化合反应,边发生分解反应形成Nb,通过分解反应达到细化Nb的目的,使与Al反应的Nb的粒径变小,进而使得Nb和Al反应的更加充分,后续RHQ处理过程中,生成更符合化学计量比76:24的更纯的Nb3Al超导相,而粒径更小的Zn可能作为纳米磁通钉扎中心,从而提高制得的铌三铝超导线材的超导性能,获得超导性能优异的掺入碘化锌的铌三铝超导线材。

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