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公开(公告)号：CN104167458A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410360909.8
申请日：2014-07-25
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/105 , H01L31/184 , H01L31/1856
Abstract: 本发明提供了一种紫外探测器，所述紫外探测器包括衬底，所述衬底上依次设有n型层、i型超晶格倍增层、i型光敏吸收层和p型层；所述n型层上设有n型欧姆电极，所述p型层上设有p型欧姆电极；所述i型超晶格倍增层为Ⅲ族氮化物的超晶格。本发明解决了现有技术中紫外探测器中由于电子和空穴的离化系数相近而导致的紫外探测器不灵敏，难以探测弱紫外光的问题。
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公开(公告)号：CN102419460B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201110276131.9
申请日：2011-09-16
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种耦合波导、其制作方法及应用其的半导体光电子器件。所述耦合波导包括衬底、下波导包层、第一波导芯层、隔离层、第二波导芯层和上波导包层，所述第二波导芯层具有横向宽度沿导光方向逐渐变化的宽度渐变段。其制作方法为：S1：一次外延依次生长下波导包层、第一波导芯层、隔离层以及第二波导芯层；S2：对所述第二波导芯层进行处理，形成宽度渐变段；S3：进行二次外延形成上波导包层。所述半导体光电子器件包括电吸收调制器或光探测器，所述耦合波导第二波导芯层与所述电吸收调制器或光探测器对应部分的横向宽度沿导光方向逐渐变窄。本发明可以根据需要对耦合波导各处横向光场的分布进行调整，进而优化器件光限制因子的分布。
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公开(公告)号：CN103018256B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201210538857.X
申请日：2012-12-13
Applicant: 清华大学深圳研究生院
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明公开了一种LED缺陷检测系统，包括驱动恒流源、屏蔽装置、LED固定装置、光汇聚装置、光检测装置、信号处理装置；LED固定装置用于承载固定待检测的LED；驱动恒流源用于施加范围在1pA～1mA的电流至LED，使LED电致发光；屏蔽装置用于屏蔽周围环境中的背景光，使LED发出的光不受背景光的干扰；光汇聚装置用于将LED发出的光汇聚至光检测装置；光检测装置检测LED发出的光，将检测的光信号转换为电信号输出至信号处理装置；信号处理装置接收LED刚好有光子发出时光检测装置输出的电信号，同时存储所述LED刚好有光子发出时所述驱动恒流源施加的电流值，根据所述电流值和所述电信号计算得到所述LED的缺陷密度。本发明的LED缺陷检测系统，可计算得到该LED的缺陷密度。
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公开(公告)号：CN102338940B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201110256183.X
申请日：2011-08-31
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于环腔的电吸收调制器，涉及光电子集成器件技术领域，所述电吸收调制器包括：相互耦合的电吸收波导和直路输入输出波导，所述电吸收波导为环腔结构。本发明的优势在于：1)利用了直路输入输出波导和基于环腔的电吸收波导的耦合作用，由于直路透过光与绕腔传播不同次数的耦合输出光产生干涉，由于环腔的谐振特性，使透过光对腔内的损耗相比一般电吸收调制器敏感，从而提高调制效率；2)将电吸收调制器中的电吸收波导做成环腔结构后，器件尺寸可以减少一个数量级，降低了集总电路电容参数，具有高频调制的潜能。
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公开(公告)号：CN102306667B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110263481.1
申请日：2011-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101 , G01J1/42
Abstract: 一种波长上转换半导体结构及其光探测方法，属于半导体材料和器件制作领域，其特征在于：所述的波长上转换结构最少包括两个量子势阱层和位于二者之间的势垒层，量子势阱层-1中的电子激发态能级与电子基态能级之间的能量差对应于红外光子能量，量子势阱层-2中的电子基态能级与量子势阱层-1中的电子激发态能级之间的能量差小于50meV。本发明可极大地降低波长上转换过程引入的暗计数。基于所述波长上转换半导体结构的红外弱光探测方法，其特征在于，当吸收红外光子时，处于量子势阱层-1中基态能级的电子跃迁到激发态能级，然后通过共振隧穿进入量子势阱层-2中，电子空穴复合发出可被具有极低暗计数的光探测器所探测的短波长光子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102135520B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201010503291.8
申请日：2010-10-11
Applicant: 清华大学
IPC: G01N27/327 , H01B1/04
CPC classification number: H01L29/475
Abstract: 一种用于氮化镓肖特基生化传感器的接触电极及其制备方法，以石墨烯作为氮化镓肖特基生化传感器的接触电极，实现了石墨烯与氮化镓基材料的肖特基接触，利用石墨烯的一些优良特性，可以满足一种灵敏度高、噪声小、耐高温、成本低和无毒性生化传感器的需求。
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公开(公告)号：CN102677207A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210164663.8
申请日：2012-05-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种基于太阳能光热转化的蓄热保温材料，由载体和附着在载体上的以颗粒形式存在的添加物构成，载体为有机聚合物，有机聚合物包括人工和天然聚合物，添加物由金属、半导体和绝缘介质的一种或者一种以上构成，制备方法是先准备载体和添加物，然后将准备好的载体和添加物经由聚酯装置形成聚酯熔体，再将熔体在螺杆作用下以特定喷丝孔的喷丝板挤出，经牵伸而成特定截面形状的纤维；再进一步对纤维进行后期整理，经上油、拉伸和定型工序卷取成型，使得其具有将良好的光泽、颜色和触感；最终将所得的丝线制成所需的纺织物，本发明材料能够有效隔热，蓄能加热，保温防寒。
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公开(公告)号：CN101719630B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200910242274.0
申请日：2009-12-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种用于全光时钟恢复的弯曲波导双波长激光器，属于光通信领域的光电子器件技术领域。该光电子器件将两个分布反馈半导体激光器集成在同一个衬底上，在衬底上依次外延下波导层、多量子阱有源层、光栅层、上波导层、上包层、欧姆接触层。两个分布反馈半导体激光器具有相同周期的光栅结构，其波导存在一定弯曲角，从而造成两个分布反馈激光器的激射光波长存在一定差异，进而可用于全光时钟恢复。本发明结构新颖，制作工艺简单，将在未来的高速通讯领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102338940A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110256183.X
申请日：2011-08-31
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于环腔的电吸收调制器，涉及光电子集成器件技术领域，所述电吸收调制器包括：相互耦合的电吸收波导和直路输入输出波导，所述电吸收波导为环腔结构。本发明的优势在于：1)利用了直路输入输出波导和基于环腔的电吸收波导的耦合作用，由于直路透过光与绕腔传播不同次数的耦合输出光产生干涉，由于环腔的谐振特性，使透过光对腔内的损耗相比一般电吸收调制器敏感，从而提高调制效率；2)将电吸收调制器中的电吸收波导做成环腔结构后，器件尺寸可以减少一个数量级，降低了集总电路电容参数，具有高频调制的潜能。
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公开(公告)号：CN102231422A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201110162767.0
申请日：2011-06-16
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种无荧光粉单芯片GaN基发光二极管，包括衬底材料，以及在衬底材料上依次外延生长的缓冲层、n型GaN体材料、有源区、p型AlGaN阻挡层及p型GaN接触层；其中，所述有源区由蓝光量子阱、绿光量子阱或量子点层、以及红光量子点层组成。本发明还涉及了上述无荧光粉单芯片GaN基发光二极管的制备方法。本发明所述发光二极管具有效率高、显色性好、色温稳定、成本低的优点，在通用照明和某些特殊照明领域具有广阔的应用前景。
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