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公开(公告)号：CN102520531A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110424539.6
申请日：2011-12-16
申请人： 清华大学
IPC分类号： G02F1/017
摘要： 本发明涉及光通信中的光电子器件领域，公开了一种n-i-n型电光调制器，从下至上依次包括：衬底、下欧姆接触层、下限制层、下导波层、有源层、上导波层、上限制层和上欧姆接触层，上、下限制层为N型掺杂结构；所述有源层的禁带宽度为Eg1、折射率为n1，上、下导波层的禁带宽度为Eg2、折射率为n2，上、下限制层的禁带宽度为Eg3、折射率为n3，禁带宽度满足Eg1＞Eg3＞Eg2的关系，折射率满足n2＞n1＞n3的关系。本发明能够改善电光调制器的调制特性。
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公开(公告)号：CN102419460B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201110276131.9
申请日：2011-09-16
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种耦合波导、其制作方法及应用其的半导体光电子器件。所述耦合波导包括衬底、下波导包层、第一波导芯层、隔离层、第二波导芯层和上波导包层，所述第二波导芯层具有横向宽度沿导光方向逐渐变化的宽度渐变段。其制作方法为：S1：一次外延依次生长下波导包层、第一波导芯层、隔离层以及第二波导芯层；S2：对所述第二波导芯层进行处理，形成宽度渐变段；S3：进行二次外延形成上波导包层。所述半导体光电子器件包括电吸收调制器或光探测器，所述耦合波导第二波导芯层与所述电吸收调制器或光探测器对应部分的横向宽度沿导光方向逐渐变窄。本发明可以根据需要对耦合波导各处横向光场的分布进行调整，进而优化器件光限制因子的分布。
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公开(公告)号：CN103605218B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310495012.1
申请日：2013-10-21
申请人： 清华大学
IPC分类号： G02F1/035
摘要： 本发明公开了一种波导型电光调制器，包括波导结构和上下电极，所述波导结构包括在衬底上至下而上依次排列的下N型半导体包层、半导体芯层和上N型半导体包层，下电极与下N型半导体包层接触，上电极与上N型半导体包层接触，所述下N型半导体包层和半导体芯层之间具有绝缘体层，或者所述半导体芯层和上N型半导体包层之间具有绝缘体层。本发明还公开了一种波导型电光调制器的制作方法。这种结构的电光调制器可有效的形成电流阻挡，降低光场的波导损耗和微波电极损耗。本发明能够改善电光调制器的调制特性。
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公开(公告)号：CN102520531B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201110424539.6
申请日：2011-12-16
申请人： 清华大学
IPC分类号： G02F1/017
摘要： 本发明涉及光通信中的光电子器件领域，公开了一种n-i-n型电光调制器，从下至上依次包括：衬底、下欧姆接触层、下限制层、下导波层、有源层、上导波层、上限制层和上欧姆接触层，上、下限制层为N型掺杂结构；所述有源层的禁带宽度为Eg1、折射率为n1，上、下导波层的禁带宽度为Eg2、折射率为n2，上、下限制层的禁带宽度为Eg3、折射率为n3，禁带宽度满足Eg1＞Eg3＞Eg2的关系，折射率满足n2＞n1＞n3的关系。本发明能够改善电光调制器的调制特性。
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公开(公告)号：CN102427166A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110243841.1
申请日：2011-08-24
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01Q3/34
摘要： 本发明公开了一种光控微波波束接收系统，涉及微波光子学技术。所述系统包括：N个天线单元，所述天线单元连接光调制器的第一输入端；所述光调制器的第二输入端连接激光源；所述光调制器的输出端连接光信号处理单元的输入端；所述光信号处理单元包括N个输入端和M个输出端，用于实现光信号的合并和重新分配；所述光信号处理单元的M个输出端分别连接一个长度不同的光延时单元，所述光延时单元对相邻的所述激光源的输出激光的波长间隔所产生的延时量，刚好补偿微波信号由于来源方向而在相邻的所述天线单元上所产生的延时量。所述系统，通过简单的系统结构，满足了高数据率、多用户的需求，提高了移动通信性能。
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公开(公告)号：CN102427166B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201110243841.1
申请日：2011-08-24
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01Q3/34
摘要： 本发明公开了一种光控微波波束接收系统，涉及微波光子学技术。所述系统包括：N个天线单元，所述天线单元连接光调制器的第一输入端；所述光调制器的第二输入端连接激光源；所述光调制器的输出端连接光信号处理单元的输入端；所述光信号处理单元包括N个输入端和M个输出端，用于实现光信号的合并和重新分配；所述光信号处理单元的M个输出端分别连接一个长度不同的光延时单元，所述光延时单元对相邻的所述激光源的输出激光的波长间隔所产生的延时量，刚好补偿微波信号由于来源方向而在相邻的所述天线单元上所产生的延时量。所述系统，通过简单的系统结构，满足了高数据率、多用户的需求，提高了移动通信性能。
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公开(公告)号：CN103605218A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310495012.1
申请日：2013-10-21
申请人： 清华大学
IPC分类号： G02F1/035
摘要： 本发明公开了一种波导型电光调制器，包括波导结构和上下电极，所述波导结构包括在衬底上至下而上依次排列的下N型半导体包层、半导体芯层和上N型半导体包层，下电极与下N型半导体包层接触，上电极与上N型半导体包层接触，所述下N型半导体包层和半导体芯层之间具有绝缘体层，或者所述半导体芯层和上N型半导体包层之间具有绝缘体层。本发明还公开了一种波导型电光调制器的制作方法。这种结构的电光调制器可有效的形成电流阻挡，降低光场的波导损耗和微波电极损耗。本发明能够改善电光调制器的调制特性。
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公开(公告)号：CN102419460A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110276131.9
申请日：2011-09-16
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种耦合波导、其制作方法及应用其的半导体光电子器件。所述耦合波导包括衬底、下波导包层、第一波导芯层、隔离层、第二波导芯层和上波导包层，所述第二波导芯层具有横向宽度沿导光方向逐渐变化的宽度渐变段。其制作方法为：S1：一次外延依次生长下波导包层、第一波导芯层、隔离层以及第二波导芯层；S2：对所述第二波导芯层进行处理，形成宽度渐变段；S3：进行二次外延形成上波导包层。所述半导体光电子器件包括电吸收调制器或光探测器，所述耦合波导第二波导芯层与所述电吸收调制器或光探测器对应部分的横向宽度沿导光方向逐渐变窄。本发明可以根据需要对耦合波导各处横向光场的分布进行调整，进而优化器件光限制因子的分布。
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