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公开(公告)号：CN100498988C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710160240.8
申请日：2007-12-14
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了纳米添加氧化锌基稀磁半导体材料及其制备方法。制备了氧化锌基稀磁半导体多晶粉末，其具有分子结构式Zn1-xTMxO，其中TM代表过渡金属元素Fe、Co、Ni、Mn，其浓度为x＝0～10%，并通过掺入纳米SiO2或纳米C粉体的方式获得了更高磁性能的稀磁半导体粉体样品。用醋酸锌和过渡金属盐作为前驱物，溶于乙二醇甲醚中，加入适量的稳定剂乙醇胺，搅拌完全溶解后，经过陈化、烘干、热处理后，得到Zn1-xTMxO多晶粉末，将此粉末与纳米粉体混合，充分研磨后，再次进行热处理，制得所需的纳米添加氧化锌基稀磁半导体材料。在制得具有室温铁磁性氧化锌基稀磁半导体材料的基础上，成功引入纳米粉体，改善其晶界缺陷，提高材料磁性能。
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公开(公告)号：CN100464380C
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200710069227.1
申请日：2007-06-07
Applicant: 浙江大学 , 浙江英洛华磁业有限公司
Abstract: 本发明公开了一种富稀土相的纳米钛粉改性制备高矫顽力稀土永磁方法。其步骤为：1)主相合金采用铸造工艺制成钕铁硼铸锭合金或采用速凝薄片工艺制成钕铁硼速凝薄片，晶界相合金采用铸造工艺制成铸锭合金或速凝薄片工艺制成速凝薄片或快淬工艺制成快淬带；2)将主相合金和晶界相合金分别制粉；3)将纳米钛粉添加到晶界相合金粉末中；4)混合后的主相合金和晶界相合金粉末在磁场中压制成型；5)在高真空烧结炉内制成烧结磁体。本发明制得的烧结钕铁硼矫顽力高，工作温度高，此工艺可以用于大规模批量生产，通过本发明可以制备出高矫顽力、高工作温度的烧结钕铁硼。
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公开(公告)号：CN100463082C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200710068486.2
申请日：2007-05-10
Applicant: 浙江大学 , 浙江英洛华磁业有限公司
Abstract: 本发明公开了一种纳米铜改性制备高矫顽力、高耐腐蚀性磁体方法。其步骤为：1)主相合金采用铸造工艺制成钕铁硼铸锭合金或采用速凝薄片工艺制成钕铁硼速凝薄片，晶界相合金采用铸造工艺制成铸锭合金或速凝薄片工艺制成速凝薄片或快淬工艺制成快淬带；2)将主相合金和晶界相合金分别制粉；3)将纳米铜添加到晶界相合金粉末中；4)混合后的主相合金和晶界相合金粉末在磁场中压制成型；5)在高真空烧结炉内制成烧结磁体。本发明制得的烧结钕铁硼矫顽力高，耐腐蚀性好，此工艺可以用于大规模批量生产，通过本发明可以制备出高矫顽力、高耐腐蚀性的烧结钕铁硼。
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公开(公告)号：CN100456395C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200610053144.9
申请日：2006-08-25
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了高耐腐蚀性烧结钕铁硼的制备方法。其步骤为：1)钕铁硼合金通过铸锭或速凝甩带工艺制得，经氢爆或机械破碎后采用球磨或气流磨工艺制粉；2)将除油液，活化液和化学镀铜液配制好；3)将钕铁硼磁粉首先用除油液除油，然后用活化液浸洗；4)将浸洗后的钕铁硼磁粉加到镀液中，进行化学镀铜，然后用真空烘干机烘干；5)烘干后的磁粉在磁场中压制成型坯件；6)将型坯件在高真空烧结炉内制成烧结磁体。采用该发明制得的烧结钕铁硼磁体的耐腐蚀性得到明显的提高，此工艺过程简单，适合于大规模批量化生产，因此通过本发明可以制备出高耐腐蚀性的烧结钕铁硼。
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公开(公告)号：CN101226801A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200710157181.9
申请日：2007-11-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种铁基合金抗电磁波干扰材料的制造方法。包括如下步骤：1)将熔炼好的铁基母合金放入快淬设备中，铁基母合金铸锭在惰性气体保护下经过重熔后被迅速浇注至高速旋转的辊轮上，得到快速冷凝的薄带；2)将薄带采用球磨工艺进行扁平化处理，得到扁平粉末；3)将扁平粉末放入不锈钢管中，抽真空，充入惰性保护气体，将不锈钢管放入管式炉中加热保温，随炉冷却；4)将扁平粉末与粘结剂混炼加工成薄片状可挠性抗电磁干扰材料。本发明改进了抗电磁干扰材料的制备工艺，工艺参数易控制，适合于大规模批量化生产，磁体具有极高的磁导率，磁屏蔽效果大大提高。
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公开(公告)号：CN1911619A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610053249.4
申请日：2006-09-01
Applicant: 浙江大学 , 横店集团东磁股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种脉冲磁场中强磁－弱磁梯度材料凝胶注模的制备方法。其步骤为：1)浇注模具准备；2)将陶瓷粉末和强磁性的金属粉末按一定比例与水或非水溶剂混合后，在球磨机中搅拌制成均匀弥散的浆料；3)在磁场强度为0.1～5.0T，磁场梯度为0.1～50T/m的脉冲磁场中浇注、固化；4)烘干、烧结成型。本发明方法的优点是：可以制备出成分连续变化的各种厚度的梯度材料；利用成熟的陶瓷凝胶注模法成形工艺使生产强磁－弱磁梯度材料的手续简化、成本降低、性能提高。
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公开(公告)号：CN1268778C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200410025651.2
申请日：2004-06-22
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种电磁阀用封头材料及其制备方法。其成分满足(重量百分比)：C含量小于0.08%，Si含量为0.8～2.5%，Cr含量为12～16%，Mn含量为0.2～0.6%，S含量为0.2～0.4%，Ti含量为0.2～0.6%，稀土RE含量为0～0.1%，余为铁。满足上述成分要求的合金能采用传统的铸造方法获得钢坯，然后再经锻造、热轧或冷轧获得所需形状的型材，或采用粉末冶金成型的方法。型材最后经800℃以上的高温退火。这种材料除具有成本较低，耐蚀性好，易切削优点外，还具有良好的软磁性能。
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公开(公告)号：CN1255355C
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200410053950.7
申请日：2004-08-19
Applicant: 浙江大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/30 , C04B35/443 , C04B35/622 , H01F1/34
Abstract: 本发明公开了一种低温度系数、低损耗和高饱和磁通密度铁氧体材料制备方法。其主相是尖晶石结构，以氧化物含量计算的组成为：Fe2O3为45～52mol%；ZnO为20～35mol%；CuO为5～15mol%；MnO为1～3mol%；NiO为10～18mol%。制备方法的步骤如下：1)原料混合；2)预烧；3)杂质添加；4)二次球磨；5)成型烧结。本发明提供了的低温度系数、低损耗高饱和磁通密度的NiZn系铁氧体材料由于使用了CuO和Mn3O4替代了NiO，使得原材料成本降低。由于预烧温度和烧结温度低，节约了大量的能源，使得烧结设备的设计要求也降低了，进一步降低了生产成本。由于具有较宽的预烧和烧结温度范围，且无需气氛保护，使得工艺重复性和产品的一致性都很好。
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公开(公告)号：CN1242427C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200310108666.0
申请日：2003-11-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种氢化热处理法制备双相稀土永磁材料的方法。本发明的制备方法为：首先，采用真空熔炼法制备合金；其次，采用快淬法或机械合金化法，制备预合金粉末；然后，将预合金粉末置于氢气处理装置中，抽真空后通入氢气于600℃-1000℃温度范围内进行吸氢和脱氢处理；最后，采用粘结、冷压、热压或温变形法制备合金磁体。本发明所得磁粉及磁体具有比传统的双相稀土永磁材料更好的综合永磁性能，且生产设备及工艺简单，工艺消耗少。
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公开(公告)号：CN1725394A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510050000.3
申请日：2005-06-08
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种晶界相中添加纳米氮化硅提高钕铁硼工作温度和耐蚀性方法。其步骤为：1)主相合金采用铸造工艺制成钕铁硼铸锭合金或采用速凝薄片工艺制成钕铁硼速凝薄片，晶界相合金采用铸造工艺制成铸锭合金或速凝薄片工艺制成速凝薄片或快淬工艺制成快淬带；2)将主相合金和晶界相合金分别制粉；3)添加纳米氮化硅到晶界相合金粉末中；4)混合后的主相合金和晶界相合金粉末在磁场中压制成型；5)烧结炉内制成烧结磁体。该发明制得的烧结钕铁硼工作温度和耐蚀性比双合金工艺但不添加纳米氮化硅制得的磁体工作温度和耐蚀性高，也比单合金法制得的磁体工作温度和耐蚀性高。因此，通过本发明可以制备出高工作温度和耐蚀性的烧结钕铁硼。
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