一种铁磁性氧化钛掺钴光催化材料的制备方法

    公开(公告)号:CN101181682B

    公开(公告)日:2010-08-11

    申请号:CN200710160241.2

    申请日:2007-12-14

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种铁磁性氧化钛掺钴光催化材料的制备方法。制备了具有室温铁磁性的Ti1-xCoxO2(x=0~15%)光催化材料,其方法为:以钛酸丁酯和乙酸钴作为前驱体,分别溶于无水乙醇和丙酮的混合溶液中,配制成钛酸丁酯溶液和乙酸钴溶液,将硝酸作为稳定剂,柠檬酸为络合剂,聚二乙醇2000作为分散剂,分别加入到钛酸丁酯溶液中,充分搅拌后,将两种溶液混合、搅拌,放置陈化后,得到透明、均匀的溶胶。将溶胶烘干,并进行热处理后,得到所需的铁磁性氧化钛掺钴光催化材料。该材料通过化学法,在不改变TiO2锐钛矿相结构的前提下,将Co引入其中,使其具有明显的室温铁磁性,并且其光催化性能在外加磁场作用下有明显改善。

    p型掺杂ZnO基稀磁半导体材料及制备方法

    公开(公告)号:CN101183595B

    公开(公告)日:2010-11-24

    申请号:CN200710160237.6

    申请日:2007-12-14

    Abstract: 本发明公开了一种p型掺杂ZnO基稀磁半导体材料及制备方法。材料分子结构式为Zn1-x-yTMyNaxO,Tm代表过渡金属元素Co、Ni、Mn等,x=0-10%,y=0-20%。方法:将醋酸锌、醋酸钠和过渡金属盐作为前驱物,溶于乙二醇甲醚中,并加入乙醇胺作为稳定剂,搅拌后形成稳定的溶胶。将溶胶烘干、热处理后得到粉末样品,或者将溶胶以旋涂的方法在预先清洗的Si片或其他衬底(石英玻璃,蓝宝石,SiC等)上均匀覆涂,烘干、热处理后,得到薄膜样品。溶胶-凝胶法制备材料具有技术简单,低耗费且易于获得大面积薄膜等优点,在制得室温铁磁性ZnO基稀磁半导体的基础上,成功引入Na离子得到p型掺杂,使磁性能得到提高,并通过调节Na离子的浓度控制磁性能。

    一种氧化锌基稀磁半导体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN101183587A

    公开(公告)日:2008-05-21

    申请号:CN200710160240.8

    申请日:2007-12-14

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了纳米添加氧化锌基稀磁半导体材料及其制备方法。制备了氧化锌基稀磁半导体多晶粉末,其具有分子结构式Zn1-xTMxO,其中TM代表过渡金属元素Fe、Co、Ni、Mn,其浓度为x=0~10%,并通过掺入纳米SiO2或纳米C粉体的方式获得了更高磁性能的稀磁半导体粉体样品。用醋酸锌和过渡金属盐作为前驱物,溶于乙二醇甲醚中,加入适量的稳定剂乙醇胺,搅拌完全溶解后,经过陈化、烘干、热处理后,得到Zn1-xTMxO多晶粉末,将此粉末与纳米粉体混合,充分研磨后,再次进行热处理,制得所需的纳米添加氧化锌基稀磁半导体材料。在制得具有室温铁磁性氧化锌基稀磁半导体材料的基础上,成功引入纳米粉体,改善其晶界缺陷,提高材料磁性能。

    一种铁磁性氧化钛掺钴光催化材料的制备方法

    公开(公告)号:CN101181682A

    公开(公告)日:2008-05-21

    申请号:CN200710160241.2

    申请日:2007-12-14

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种铁磁性氧化钛掺钴光催化材料的制备方法。制备了具有室温铁磁性的Ti1-xCoxO2(x=0~15%)光催化材料,其方法为:以钛酸丁酯和乙酸钴作为前驱体,分别溶于无水乙醇和丙酮的混合溶液中,配制成钛酸丁酯溶液和乙酸钴溶液,将硝酸作为稳定剂,柠檬酸为络合剂,聚二乙醇2000作为分散剂,分别加入到钛酸丁酯溶液中,充分搅拌后,将两种溶液混合、搅拌,放置陈化后,得到透明、均匀的溶胶。将溶胶烘干,并进行热处理后,得到所需的铁磁性氧化钛掺钴光催化材料。该材料通过化学法,在不改变TiO2锐钛矿相结构的前提下,将Co引入其中,使其具有明显的室温铁磁性,并且其光催化性能在外加磁场作用下有明显改善。

    一种氧化锌掺铁稀磁半导体材料的制备方法

    公开(公告)号:CN101183607A

    公开(公告)日:2008-05-21

    申请号:CN200710160238.0

    申请日:2007-12-14

    Abstract: 本发明公开了一种氧化锌掺铁稀磁半导体材料的制备方法。它用乙酸锌、醋酸亚铁作为前驱物,溶于乙二醇甲醚中,并加入乙醇胺作为稳定剂,抗坏血酸作为抗氧化剂,搅拌得到溶胶,将溶胶经烘干、热处理后得到氧化锌掺铁稀磁半导体材料粉末,或者将溶胶滴加在衬底上,采用旋涂的方法得到氧化锌掺铁稀磁半导体材料薄膜。本发明中抗坏血酸在样品制备过程中起着关键的作用,它能够有效地保护Fe2+离子在空气环境中不被氧化,更易于进入ZnO晶格完成无序取代,使Fe的掺杂量得到提高,达到10%,超越了原来传统溶胶-凝胶制备工艺中所能达到的最高掺杂浓度7%。样品保持单一的ZnO纤锌矿结构,并表现出明显的室温铁磁性。

    p型掺杂ZnO基稀磁半导体材料及制备方法

    公开(公告)号:CN101183595A

    公开(公告)日:2008-05-21

    申请号:CN200710160237.6

    申请日:2007-12-14

    Abstract: 本发明公开了一种p型掺杂ZnO基稀磁半导体材料及制备方法。材料分子结构式为Zn1-x-yTMyNaxO,Tm代表过渡金属元素Co、Ni、Mn等,x=0-10%,y=0-20%。方法:将醋酸锌、醋酸钠和过渡金属盐作为前驱物,溶于乙二醇甲醚中,并加入乙醇胺作为稳定剂,搅拌后形成稳定的溶胶。将溶胶烘干、热处理后得到粉末样品,或者将溶胶以旋涂的方法在预先清洗的Si片或其他衬底(石英玻璃,蓝宝石,SiC等)上均匀覆涂,烘干、热处理后,得到薄膜样品。溶胶-凝胶法制备材料具有技术简单,低耗费且易于获得大面积薄膜等优点,在制得室温铁磁性ZnO基稀磁半导体的基础上,成功引入Na离子得到p型掺杂,使磁性能得到提高,并通过调节Na离子的浓度控制磁性能。

    一种纳米添加氧化锌基稀磁半导体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN100498988C

    公开(公告)日:2009-06-10

    申请号:CN200710160240.8

    申请日:2007-12-14

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了纳米添加氧化锌基稀磁半导体材料及其制备方法。制备了氧化锌基稀磁半导体多晶粉末,其具有分子结构式Zn1-xTMxO,其中TM代表过渡金属元素Fe、Co、Ni、Mn,其浓度为x=0~10%,并通过掺入纳米SiO2或纳米C粉体的方式获得了更高磁性能的稀磁半导体粉体样品。用醋酸锌和过渡金属盐作为前驱物,溶于乙二醇甲醚中,加入适量的稳定剂乙醇胺,搅拌完全溶解后,经过陈化、烘干、热处理后,得到Zn1-xTMxO多晶粉末,将此粉末与纳米粉体混合,充分研磨后,再次进行热处理,制得所需的纳米添加氧化锌基稀磁半导体材料。在制得具有室温铁磁性氧化锌基稀磁半导体材料的基础上,成功引入纳米粉体,改善其晶界缺陷,提高材料磁性能。

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