公开(公告)号：CN113252747A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110628104.7

申请日：2021-06-06

Applicant: 济南大学

Inventor： 张勇 ,  刘德玲 ,  马洪敏 ,  吴丹 ,  任祥 ,  李玉阳 ,  王欢 ,  范大伟 ,  孙旭 ,  魏琴 ,  王雪莹

IPC: G01N27/26 ,  G01N27/30 ,  G01N27/327

Abstract: 本发明涉及一种自供能传感器的制备方法及应用。具体是设计了一种利用光电阳极WO3/In2S3和光电阴极Pt‑ZnO/Bi2S3同时促进产生阳极光电流的自供能传感器，可用于光电化学免疫传感检测。在可见光照射下，Pt‑ZnO/Bi2S3作为光电阴极具有较好的能带匹配结构可以提供稳定的阴极光电流；WO3/In2S3异质结构为光电阳极基底材料提供稳定的阳极光电流，其较大的比表面积可增加光的捕获和生物分子的负载。此外，光电阳极WO3/In2S3的光生电子沿外电路流动，吸引光电阴极Pt‑ZnO/Bi2S3的光诱导空穴，加速载流子传输速率，提高阳极光电流响应。制备的BiNS‑Fe@Fe作为标记物，竞争性的消耗光能和电子供体，提高了传感器的稳定性和灵敏度，本发明构建的自供能传感器，用于快速、灵敏光电化学免疫传感检测肿瘤标志物，具有较宽的检测范围和较低的检出限。

公开(公告)号：CN108761095B

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201810840278.8

申请日：2018-07-27

Applicant: 济南大学

Inventor： 魏琴 ,  张益峰 ,  冯锐 ,  魏东 ,  杜斌 ,  张勇 ,  孙旭 ,  杨兴龙

IPC: G01N33/68 ,  G01N27/327

Abstract: 本发明涉及基于二氧化锡/二硫化锡/介孔氮化碳的光电化学免疫传感器的制备方法及应用。本发明以二氧化锡/二硫化锡/介孔氮化碳为基底材料并用可见光照射来获得光电流。基底材料的三种组分能带匹配良好，使光电转换效率大大提高。用作二抗标记物的二氧化硅/硫化铅对光电流猝灭作用显著。待测氨基末端脑钠肽前体的量不同，导致结合的二抗及二抗标记物的量不同，进而导致了对光电信号影响程度的不同。构建的传感器实现了对氨基末端脑钠肽前体的检测。其检测限为50 fg/mL。

公开(公告)号：CN109254053B

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201811306544.5

申请日：2018-11-05

Applicant: 济南大学

Inventor： 刘召壹 ,  张勇 ,  魏琴

IPC: G01N27/26 ,  G01N27/30 ,  G01N27/327

Abstract: 本发明公开了一种环境雌激素电化学分析传感器的制备方法。属于新型纳米功能材料与生物传感分析技术领域。本发明首先在一次性可抛电极上制备了氢氧化钴纳米片阵列，利用其大的比表面积和高活性氢氧基官能团，以及聚多巴胺的氨基官能团，采用原位生长的方法，相继在氢氧化钴纳米片阵列上直接相继制备了含有电子媒介体的聚多巴胺薄膜和以环境雌激素为模板分子的分子印迹聚合物，在将模板分子洗脱以后，原来的模板分子的位置变为了空穴，即洗脱模板分子的分子印迹聚合物，由此，一种环境雌激素电化学分析传感器便制备完成。

公开(公告)号：CN109254055B

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN201811306712.0

申请日：2018-11-05

Applicant: 济南大学

Inventor： 张勇 ,  程荣琦 ,  魏琴

IPC: G01N27/26 ,  G01N27/30 ,  G01N27/327 ,  G01N21/76

Abstract: 本发明公开了一种氨苄西林电致化学发光传感器的制备方法。属于新型纳米功能材料与生物传感分析技术领域。本发明首先在一次性可抛电极上制备了镍铁双金属氧化物纳米片阵列，利用其大的比表面积采用原位生长的方法，相继在镍铁双金属氧化物纳米片阵列上直接相继制备了聚多巴胺薄膜和原位包覆鲁米诺的以氨苄西林为模板分子的分子印迹聚合物，在将模板分子洗脱以后，原来的模板分子的位置变为了空穴，即洗脱模板分子的分子印迹聚合物，由此，一种氨苄西林电致化学发光传感器便制备完成。

公开(公告)号：CN109307695B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201811306537.5

申请日：2018-11-05

Applicant: 济南大学

Inventor： 张勇 ,  程荣琦 ,  杜斌

IPC: G01N27/26 ,  G01N27/30 ,  G01N27/327 ,  G01N21/76

Abstract: 本发明公开了一种杀虫脒电致化学发光传感器的制备方法。属于新型纳米功能材料与生物传感分析技术领域。本发明首先在一次性可抛电极上制备了钴镍双金属氮化物纳米片阵列，利用其大的比表面积和对氨基的高吸附活性，以及聚多巴胺的氨基官能团，采用原位生长的方法，相继在钴镍双金属氮化物纳米片阵列上直接相继制备了聚多巴胺薄膜和原位包覆鲁米诺的以杀虫脒为模板分子的分子印迹聚合物，在将模板分子洗脱以后，原来的模板分子的位置变为了空穴，即洗脱模板分子的分子印迹聚合物，由此，一种杀虫脒电致化学发光传感器便制备完成。

公开(公告)号：CN109254054B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201811306711.6

申请日：2018-11-05

Applicant: 济南大学

Inventor： 张勇 ,  刘召壹 ,  杜斌

IPC: G01N27/26 ,  G01N27/30 ,  G01N27/327

Abstract: 本发明公开了一种基于钴基氮化物纳米阵列的杀虫脒传感器的制备方法。属于新型纳米功能材料与生物传感分析技术领域。本发明首先在一次性可抛电极上制备了钴镍双金属氮化物纳米片阵列，利用其大的比表面积和对氨基的高吸附活性，以及聚多巴胺的氨基官能团，采用原位生长的方法，相继在钴镍双金属氮化物纳米片阵列上直接相继制备了含有电子媒介体的聚多巴胺薄膜和以杀虫脒为模板分子的分子印迹聚合物，在将模板分子洗脱以后，原来的模板分子的位置变为了空穴，即洗脱模板分子的分子印迹聚合物，由此，一种基于钴基氮化物纳米阵列的杀虫脒传感器便制备完成。

公开(公告)号：CN109307696B

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201811306538.X

申请日：2018-11-05

Applicant: 济南大学

Inventor： 张勇 ,  程荣琦 ,  杜斌

IPC: G01N27/26 ,  G01N27/30 ,  G01N27/327 ,  G01N21/76

Abstract: 本发明公开了一种检测有机氯农药的分子印迹传感电极的制备方法。属于新型纳米功能材料与生物传感分析技术领域。本发明首先在一次性可抛电极上制备了铁钴双金属氮化物纳米片阵列，利用其大的比表面积和对氨基的高吸附活性，以及聚多巴胺的氨基官能团，采用原位生长的方法，相继在铁钴双金属氮化物纳米片阵列上直接相继制备了聚多巴胺薄膜和原位包覆鲁米诺的以有机氯农药为模板分子的分子印迹聚合物，在将模板分子洗脱以后，原来的模板分子的位置变为了空穴，即洗脱模板分子的分子印迹聚合物，由此，一种检测有机氯农药的分子印迹传感电极便制备完成。

公开(公告)号：CN109254050B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201811306533.7

申请日：2018-11-05

Applicant: 济南大学

Inventor： 程荣琦 ,  张勇 ,  魏琴

IPC: G01N27/26 ,  G01N27/30 ,  G01N27/327 ,  G01N21/76

Abstract: 本发明公开了一种瘦肉精电致化学发光传感器的制备方法。属于新型纳米功能材料与与食品安全分析技术领域。本发明首先在一次性可抛电极上制备了氧化铁纳米片阵列，利用其大的比表面积采用原位生长的方法，相继在氧化铁纳米片阵列上直接相继制备了聚多巴胺薄膜和原位包覆鲁米诺的以瘦肉精为模板分子的分子印迹聚合物，在将模板分子洗脱以后，原来的模板分子的位置变为了空穴，即洗脱模板分子的分子印迹聚合物，由此，一种瘦肉精电致化学发光传感器便制备完成。

公开(公告)号：CN112147191A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010854094.4

申请日：2020-08-24

Applicant: 济南大学

Inventor： 鞠熀先 ,  贾洪英 ,  魏琴 ,  张勇 ,  范大伟 ,  匡轩 ,  孙旭 ,  王欢

IPC: G01N27/30 ,  G01N27/327 ,  G01N27/48 ,  G01N21/76 ,  G01N33/53 ,  G01N33/532 ,  G01N33/543 ,  G01N33/74

Abstract: 本发明涉及一种金簇修饰铜钴材料检测降钙素原的电化学发光传感器的制备方法。本发明以电沉积铂纳米粒子作为基底材料，金簇修饰铜钴材料作为二抗标记物和共反应促进剂，采用共反应促进剂型信号放大策略，构建了信号增强型ECL传感器，实现了在10 fg/mL～50 ng/mL线性范围内对降钙素原的灵敏检测，检测限为3.41 fg/mL。

公开(公告)号：CN109060904B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201810688980.7

申请日：2018-06-28

Applicant: 济南大学

Inventor： 范大伟 ,  鲍春竹 ,  刘昕 ,  张勇 ,  马洪敏 ,  吴丹 ,  王欢 ,  魏琴 ,  杜斌 ,  胡丽华

IPC: G01N27/30 ,  G01N27/26 ,  G01N21/63

Abstract: 本发明涉及一种基于介孔花状氧化锡复合材料的光电化学N端前脑钠肽传感器的制备方法及应用，属于光电化学传感器领域。通过水热法合成的新颖的花状SnO2，其介孔结构使其具备更好的存储空间，更大的比表面积和较高的表面活性有利于尺寸较小的纳米粒子在其表面生长，用氮掺杂的碳量子点NCQDs来敏化SnO2，增强其可见光吸收，再原位生长Bi2S3纳米粒子，得到光电活性显著提高的介孔花状氧化锡复合材料SnO2/NCQDs/Bi2S3，通过层层自组装方法，将N端前脑钠肽抗体、牛血清白蛋白和N端前脑钠肽抗原组装到SnO2/NCQDs/Bi2S3复合材料上，利用SnO2/NCQDs/Bi2S3优异的光电活性以及N端前脑钠肽抗原抗体之间的特异性结合，实现对N端前脑钠肽的超灵敏检测，这对N端前脑钠肽的分析检测具有重要的意义。