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公开(公告)号：CN108345026A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810136597.0
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01T1/36
Abstract: 一种计算带电粒子防护层后能谱的方法，本发明涉及计算带电粒子防护层后能谱的方法。本发明的目的是为了解决现有技术存在轨道带电粒子防护层后能谱的计算速度慢，计算时间长，以及空间粒子辐射会使电子器件的工作寿命缩短，造成巨大损失的问题。过程为：确定轨道入射粒子的微分能谱；确定防护材料及防护材料厚度；确定入射粒子的入射角度；若入射粒子为电子，计算E′1与射程及防护材料厚度的关系；若入射粒子为质子或离子，计算E′2、E′3、E′4和E′5分别与射程及防护材料厚度的关系；计算入射粒子与防护材料的非弹性截面；分别计算电子、质子和离子防护层后的微分能谱。本发明用于空间环境效应、核科学与应用技术领域。
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公开(公告)号：CN108335979A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810136626.3
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/322
Abstract: 本发明提供了同时产生电离和位移缺陷的辐照粒子能量选择方法，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明的辐照粒子能量选择方法其应用对象包括各类航天器用关键材料和器件，基于Monte Carlo计算方法，在特定材料状态条件下，计算单位注量入射粒子的电离/位移吸收剂量和射程。根据电离和位移吸收剂量的比例关系，即可确定入射粒子的能量，保证其同时产生稳定的电离和位移缺陷。
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公开(公告)号：CN108333212A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810136601.3
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N25/16
Abstract: 一种基于自由基含量预测辐致聚合物基复合材料热膨胀系数的方法，它属于复合材料的尺寸稳定性的评价技术领域，本发明解决了航天器在轨运行期间，由于受到实验条件和设备条件的限制，对结构复杂的聚合物基复合材料的热膨胀系数的测量需要的时间较长，且测量难度较高的问题。本发明利用聚合物基复合材料作为实验样品，在真空度小于1Pa条件下，对实验样品进行辐照实验，得出该聚合物基复合材料的自由基含量随着辐照注量或剂量的变化规律与热膨胀系数随着辐照注量或剂量的变化规律一致，因此，在轨运行期间，可以仅测量自由基含量来预测聚合物基复合材料的热膨胀系数。本发明可以应用于复合材料的尺寸稳定性的评价技术领域用。
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公开(公告)号：CN108281480A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810136624.4
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种表征不同类型粒子辐照诱导电离和位移缺陷形成与退火状态的一种同时产生电离和位移缺陷信号的器件及其制备方法，属于核科学与技术领域。本发明包括集电区、基区、n个发射区、发射极、基极和集电极；集电区的掺杂浓度小于1E15/cm3；基区外边缘的长边距集电区外边缘的距离d范围为0.1～300μm，基区外边缘的宽边距集电区外边缘的距离e的范围为0.1～300μm；基区掺杂浓度为1E15/cm3～1E17/cm3；发射区的长边a与宽边b的比值在500:1～1:500范围内，扩散结深度在0.1μm至3.0μm之间；相邻两个发射区的间距不小于a/2、不大于5a；发射区掺杂浓度为5E15/cm3～1E20/cm3。
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公开(公告)号：CN106568702A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610911385.6
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: G01N17/00 , G01N23/02 , G01N2033/0003 , G01N2223/104 , G01N2223/107
Abstract: 中高轨道航天器用暴露材料空间综合环境效应地面模拟试验方法，涉及空间环境效应技术领域。它是为了解决现有航天器用暴露材料地面模拟试验方法中，均未能全面模拟中高轨道航天器用暴露材料空间综合环境的问题。本发明所述的中高轨道航天器用暴露材料空间综合环境效应地面模拟试验方法，将待试验样品置于密封腔内，并对密封腔体抽真空；将待试验样品进行热循环试验；根据待试验样品的厚度t，选择入射电子及质子的能量，对待实验样品进行带电粒子辐照试验，进行中高地球轨道航天器用暴露材料性能测试。本发明适于在空间环境效应研究与抗辐照加固技术应用中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106404810A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610911383.7
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/06
CPC classification number: G01N23/06 , G01N2223/04 , G01N2223/1006 , G01N2223/104 , G01N2223/106 , G01N2223/107 , G01N2223/623
Abstract: 芳香族聚合物绝缘材料的位移辐射损伤等效性评价方法，涉及粒子辐射环境用芳香族聚合物绝缘材料不同辐照源位移辐照效应等效的性评价方法。解决了现有的辐射环境用芳香族聚合物材料空间辐照效应评价误差大的问题。首先计算各辐射源在待测材料样品中的位移辐射吸收剂量及射程；根据各辐射源在待测材料样品中的射程，确定待测材料样品厚度，使每种辐射源对应一块待测材料样品进行辐照试验，使各辐射源的辐照粒子完全穿透所对应的待测材料样品的厚度；辐照后，绘制各辐射源在辐照条件下的微观结构分析获得的各物理量与位移辐射吸收剂量的关系曲线，及性能测试获得的各物理量与位移辐射吸收剂量的关系曲线。本方法用于对芳香族聚合物绝缘材料进行评价。
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公开(公告)号：CN103887154B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410135913.4
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/265 , H01L21/331
Abstract: 一种基于钝化层离子注入方式的双极型器件的抗电离辐照加固方法，属于电子技术领域。本发明目的是针对目前的双极型器件表面的氧化物俘获正电荷和界面态使得双极型器件的抗辐照能力减弱的问题。本发明所述基于钝化层离子注入方式的双极型器件抗电离辐照加固方法，首先通过对离子种类为F、Cl、Br、I和As离子采用SRIM和TCAD软件进行模拟仿真，仿真获得离子能量、射程与注量，再进行离子注入。入射离子选用F、Cl、Br、I和As元素形成电离辐射缺陷的俘获陷阱，可降低电离辐射缺陷的密度。通过钝化层离子注入方式，减小氧化物俘获正电荷和界面态对器件性能的影响，提高双极型器件的抗辐照能力，用于航天器用电子器件的抗辐照加固。
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公开(公告)号：CN103093844B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310021277.8
申请日：2013-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 用于空间带电粒子辐射防护的掺杂碳纳米管和纳米钽的聚乙烯复合材料的应用，涉及用于空间带电粒子辐射防护的复合材料的应用。本发明是要解决现有的辐射防护材料方法制备得到的辐射防护材料，铝防护层存在密度大而导致使用重量大，采用聚乙烯做为辐射防护材料时存在着由于其热稳定性较差，制约其使用范围的问题。用于空间带电粒子辐射防护的掺杂碳纳米管和纳米钽的聚乙烯复合材料，是由聚乙烯树脂、碳纳米管、纳米钽和偶联剂制备而成。制备：一、将碳纳米管、纳米钽和偶联剂混合得改性碳纳米管和纳米钽；二、混合改性碳纳米管和纳米钽与聚乙烯树脂后热压。材料是用于防护空间质子和电子辐射。在本发明适用于辐射防护领域。
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公开(公告)号：CN102867557B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210379636.2
申请日：2012-10-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氮化硼-聚乙烯空间辐射防护复合材料的制备方法，它涉及一种聚乙烯空间辐射防护复合材料的制备方法，本发明是为解决现有的用于空间辐射防护材料的聚乙烯，其热稳定性差，及相同质量厚度下，纯铝过滤质子的效率低的技术问题，本发明的制备方法为：先将乙醇和氮化硼加入容器内，再加入偶联剂，在恒温水中反应，得到改性氮化硼，最后将聚乙烯与改性氮化硼加入到高混机中，得到氮化硼-聚乙烯空间辐射防护复合材料，本发明制备的一种氮化硼-聚乙烯复合材料的热降解温度为430～520℃，热稳定性能好，且滤质子的效率与纯铝相比提高了将近0.4～1倍，综合性能优异，在航天器辐射防护上有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN103871873A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410135985.9
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 石家庄天林石无二电子有限公司 , 中国空间技术研究院
IPC: H01L21/328 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/0808
Abstract: 基于发射区几何结构的双极器件抗辐照加固方法，涉及电子技术领域。它是为了解决现有的双极晶体管及电路在空间辐射环境中的电流增益损伤程度大，双极器件抗辐照能力低的问题。本发明的双极器件抗辐照加固方法保留了传统的双极器件工艺技术，制造工艺步骤非常简单。本发明所提出的新型技术可通过改进发射区几何结构，能大幅度降低电离辐照诱导的氧化物俘获正电荷和界面态对器件性能参数的影响，显著增强双极器件的抗辐照能力，同比增强了2-5倍。本发明适用于电子技术领域。
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