公开(公告)号：CN106915732B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201710328499.2

申请日：2017-05-11

Applicant: 吉林大学

Inventor： 高伟 ,  李鑫 ,  殷红 ,  韩作良 ,  高丽莹 ,  李鑫峡 ,  孙多

IPC: C01B21/06 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明一种三维海胆状纳米氮化钒的制备方法，属于无机纳米材料制备的领域。制备过程是将金属钒粉末压制成圆柱状金属钒片，将金属钒片放入和自身形状大小契合的石墨锅内，石墨锅置于直流电弧反应腔室的阳极铜锅中，阴极钨棒悬于石墨锅上方；在冷凝壁套筒和阳极铜锅夹层中通入循环冷却水，向反应腔室通入氮气，进行起弧放电，保持电流90～100A；切断电源后，在氮气气氛中冷却钝化6小时。获得的三维海胆状纳米氮化钒由球体和分布于球体表面的针状晶须组成，球体直径为500～700nm，晶须长度为300nm。本发明制备工艺简单高效稳定经济，重复性高，样品纯度高，形貌新颖，有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN105568220A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201610027359.7

申请日：2016-01-15

Applicant: 吉林大学

Inventor： 殷红 ,  赵艳 ,  高伟 ,  李英爱 ,  李红东

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35

CPC classification number: C23C14/0647 ,  C23C14/0063 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明的一种磁控溅射制备立方氮化硼厚膜的方法，属于超硬材料及其制备的技术领域。以硅片为衬底，以h-BN或单质硼靶为溅射靶材，采用两步沉积法制备c-BN厚膜。在Ar/N2混合气体气氛下先溅射第一层氮化硼膜，再通入H2，按质量流量计H2用量为气体总流量的4％～15％，保持衬底温度、调节衬底负偏压溅射第二层氮化硼膜。本发明的方法在不使用过渡层、加H2量较少的条件下，直接在硅衬底上获得立方相含量75％以上，甚至超过95％的c-BN厚膜，膜厚可达4μm以上，其稳定性得到了显著提高。

公开(公告)号：CN103078127A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201310016010.X

申请日：2013-01-16

Applicant: 吉林大学

Inventor： 高伟 ,  尹广超 ,  殷红 ,  仲林红 ,  孙美玲 ,  丛日东 ,  谢晓君 ,  高秀华 ,  崔啟良

IPC: H01M8/12

Abstract: 本发明的磷灰石结构锗酸镧电解质粉体及其低温熔盐制备方法属于中温固体氧化物燃料电池电解质材料的技术领域。以氧化镧和氧化锗为反应原料，以氯化钠为熔盐；将原料和熔盐混合并加入无水乙醇进行球磨；球磨后的原料和熔盐的混合物烘干后烧结；烧结产物用去离子水洗涤再烘干，得到理想的磷灰石结构的锗酸镧电解质材料La10-xGe6O27-1.5x(0≤x＜0.40)粉体。本发明制备的磷灰石石结构的锗酸镧电解质粉体粒径小，分布均匀，无团聚，物相纯度高，具有优异的电学特性；使用的方法制备温度低，时间短，无Ge挥发，能量消耗少，工艺简单，成本低，对设备依赖性低，盐易分离可重复使用，适宜工业化应用。

公开(公告)号：CN102931423A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210450350.9

申请日：2012-11-12

Applicant: 吉林大学

Inventor： 高伟 ,  仲林红 ,  尹广超 ,  谢晓君 ,  殷红 ,  王欣 ,  崔啟良

IPC: H01M8/10

Abstract: 本发明的La9.33Ge6O26电解质材料粉体的LiCl熔盐制备法属于中温固体氧化物燃料电池电解质材料制备的技术领域。氧化镧和氧化锗为反应原料，氯化锂为熔盐；将原料和熔盐混合并加入无水乙醇进行球磨；球磨后的混合物烘干，在650~850℃下烧结8~48小时；用去离子水洗涤烧结后的产物中的LiCl盐，再烘干，得到La9.33Ge6O26电解质材料粉体。本发明制备的La9.33Ge6O26粉体粒径小，分布均匀，无团聚，物相纯度高；使用的方法制备温度低，时间短，能量消耗少，工艺简单，成本低，对设备依赖性低，适宜工业化应用。